离子注入对黑松花粉粒和花粉管内骨架系统的损伤效应

以黑松花粉粒和花粉管为试验材料, 研究了离子注入对细胞骨架系统的损伤效应。研究结果表明, 离子注入会不同程度地破坏花粉管内微管网络的完整性, 花粉管形态的异常状态与其微管骨架结构的异常状态密切相关。离子注入对黑松花粉管内的微管骨架系统的正常结构有明显的效应, 这种效应的明显程度与离子注入剂量有一定的相关性, 即随着离子注入剂量的增加, 微管骨架系统受到破坏的程度更加明显。离子注入对黑松花粉管内微丝骨架系统的分布状态有明显的影响, 其程度也与离子注入剂量的大小存在一定的相关性。     

离子注入对MoN_x薄膜超导转变温度的影响

本文研究了离子注入参数、离子注入方式对MoN_x薄膜T_c的影响。实验结果表明:通过提高离子注入剂量、能量使MoN_x薄膜的T_c值提高将受到限制。而改变离子注入方式对提高MoN_x薄膜的T_c值效果显著。     

Mo离子注入对金刚石涂层附着性能的影响

采用Mo离子注入工艺对YG6硬质合金基体表面进行处理,用微波等离子体CVD(MPCVD)法沉积金刚石涂层,研究了Mo离子注入工艺对金刚石涂层附着性能的影响.结果表明,Mo离子注入后,硬质合金基体表面的化学成分发生了明显变化;采用适当剂量的Mo离子注入基体,可使CVD金刚石涂层的附着性能显著提高. 关键词： 金刚石涂层 Mo离子注入 硬质合金基体 附着性能     

聚合物物理属性对离子注入效应的影响

聚合物导电性能差, 表面电荷积聚所产生的电容效应致使其表面电位衰减, 采用等离子体浸没离子注入对其表面改性是非常困难的. 建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的粒子模拟(PIC)模型, 实时跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析. 并基于PIC模型, 将聚合物表面的二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联, 研究了聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数等物理量对鞘层演化、离子注入能量和剂量的影响规律. 研究结果表明: 当聚合物厚度小于200 μ m, 相对介电常数大于7, 二次电子发射系数小于0.5时, 离子注入剂量和高能离子所占的份额与导体离子注入情况相当. 通过对聚合物表面离子注入剂量和高能离子所占份额的研究, 为绝缘材料和半导体材料表面等离子体浸没离子注入的实现提供了理论和实验依据.     

等离子体源离子注入（Ⅱ）—技术扩展和初步研究结果

等离子体源离子注入（Ⅱ）──技术扩展和初步研究结果汤宝寅（哈尔滨工业大学，哈尔滨１５０００６）在ｐｓｌｌ前期研究工作上，我们主要集中在室温下气体离子注入，主要是氮离子注入。初步研究结果表明，ＰＳＩＩ氮离子注入能够显著提高某些材料的表面硬度和抗磨损特性...     

重离子注入超导体的研究

研究离子注入对超导体结构和电学性质的影响基于两个目的:探索离子注入技术制造高临界温度超导体的途径和利用离子注入超导体研究超导电性的基本特征。本文就此讨论重离子注入在超导体研究中的作用。     

B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象

离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。     

100kev,20mA多磁极会切场离子源的研制与调试

一、引 言 在科学技术领域中,离子源的应用越来越广泛,形成了一门独立的学科——离子应用科学。尤其是70年代以来由于离子注入技术应用到材料表面改性的研究取得进展,从而使离子注入技术得到发展。 离子注入材料表面改性是一门新技术,它的优点是离子注入不通过加热形成特定的原子混合,又能快速引入晶格缺陷,从而改变金属的微观结构及相成分,最后导致金属宏观性质的改变。     

离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心. 关键词： 量子阱 离子注入 光致荧光谱 界面混合     

高剂量与高能量离子注入研究进展

综述了离子束材料实验室在高剂量与高能量离子注入研究方面的新进展，包括高剂量离子注入动态靶的模拟计算了ＭＡＣＡ程序，多能离子注入深度分布计算，ＭｅＶ离子引起的ＨＯＰＧ表面损伤，ＭｅＶ离子诱变右旋糖酐生产菌种，高剂量离子注入在４５号钢表面形成耐腐蚀的保护层以及高速工具钢上形成含有大量超细碳化物的耐磨层。     

等离子体浸没离子注入非导电聚合物的适应性及栅网诱导效应的研究

本文建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的动力学Particle-in-cell(PIC)模型, 将二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联, 研究了非导电聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数对表面偏压电位的影响规律以及栅网诱导效应. 研究结果表明: 非导电聚合物较厚时, 表面自偏压难以实现全方位离子注入, 栅网诱导可以间接为非导电聚合物提供偏压, 并抑制二次电子发射, 为厚大非导电聚合物表面等离子体浸没离子注入提供了有效途径.     

离子注入材料表面改性

离子注入技术在半导体工业中已成为重要的加工技术,离子注入金属材料表面改性也开始走向实用阶段．对这项技术人们又提出了两种新的方法,第一种叫ＩＶＤ方法（ｉｏｎａｎｄｖａｐｏｕｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）,第二种叫离子束缝合法（ｉｏｎｂｅａｍｂｏｎｄｉｎｇ）．这就开拓了离子注入技术的一些新的应用领域,如磁泡材料、光学材料、超导材料和高分子材料等．下面作一简单介绍．一、两种新的离子注入方法１．ＩＶＤ方法?...     

离子注入强化金属表面的作用机制

离子注入技术是将高能束流的离子（一般为几十一几百ｋｅＶ）注入到固体材料的表面,从而改变材料表层的物理、化学和机械性能的一种新方法．早期,离子注入技术用于半导体器件的掺杂,大大促进了微电子学的发展．近年来,离子注入技术迅速地扩大应用到固体物理和材料科学的许多领域,如非晶态、超导、磁泡材料、集成光学材料等,成为一种重要的研究手段,并获得日益广泛的应用．离子注入技术作为金属表面处理的一种新方法,可?...     

一台简易的100keV离子注入机

一、引言用离子注入掺杂制造半导体器件的新工艺进入到批量生产的阶段后,半导体器件的生产单位往往需要一些专门生产某种特定类型器件的离子注入装置．对于这样的注入装置,除了要求稳定可靠外,还应当具备结构简单紧凑,操作方便而安全,造价低廉等特点．鉴于这一考虑,我们于１９７０年试制了一台简易的１００ｋｅＶ离子注入机．作为一台简易的离子注入机,其必不可少的部分是：（１）离子源：用以产生注入半导体材料或器件?...     

离子注入在陶瓷材料中的应用

随着科学技术的发展,离子注入的应用范围在不断扩大．它除了广泛应用于半导体、金属材料的表面改性外,在加工绝缘材料（如玻璃、陶瓷和高分子聚合物等）方面也表现出有一定的发展潜力,有可能在光的波导、磁泡储存,铁电陶瓷、光敏陶瓷、高温陶瓷、表面导电聚合物和表面催化等方面发挥作用．本文对离子注入在陶瓷材料中的一些应用及最近取得的一些成果作一综述．主要包括离子注入陶瓷材料的表面改性、离子注入合成陶瓷材料和?...     

激光椭圆仪对P~ 注入金属表层形成非晶态的分析

激光椭圆仪是利用椭圆偏振光与物质相互作用之后偏振状态的变化去探索物质性质的一种手段[1].对金属表层进行离子注入是获得金属表层非晶态的一种途径.本工作的目的是尝试将激光椭圆仪用于离子注入金属表层的分析,试图用椭圆仪获得离子注入的金属表层由晶态到非晶态转变的信息,     

等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术

本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入（ＰｌａｓｍａＳｏｕｒｃｅｌｏｎ　ｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ,简称ＰＳＩＩ）——的原理、装置和应用．除可应用于半导体外,这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需要．实践证明它是一种极有开拓前景的离子注入技术．     

氮离子注入纯铁中表面改性的穆斯堡尔谱研究

采用等离子体源离子注入方法,将氮离子注入纯铁粉中,对样品进行穆斯堡尔谱研究.对注氮前后样品的无反冲因子f、同质异能移位δ、电四极裂距ΔEQ进行了比较分析.解释了氮离子注入钢材表面其硬度和耐磨性提高的原因. 关键词：     

高剂量与高能量离了注入研究进展

综述了离子束材料实验室在高剂量与高能量离子注入研究方面的新进展,包括高剂量离子注入动态靶的模拟计算ＭＡＣＡ程序、多能离子注入深度分布计算、ＭｅＶ离子引起的ＨＯＰＧ表面操作、ＭｅＶ离子诱变右旋糖酐生产菌种、高剂量离子注入在４５号钢表面形成耐腐蚀的保护层以及在高速工具钢上形成含有大量超细碳化物的耐磨层. The development of high dose ion implantation and high energy ion implantation at the Ion Beam Application Group of IHIP in recent years is reviewed.     

可变色的钕和铒注入的ZnS发光二极管

利用离子注入技术制备ZnS发光二极管,当激发参数改变时,电致发光给出不同的发射颜色。一种类型ZnS发光二极管是将Nd离子注入到ZnS的一个表面,而Er离子注入到另一个表面,两而的电极做成条状并彼此交错,仪当反向偏压时才给出电致发光,因而外加电压改变极性时,二极管将是绿色(Er3+)或橙色(Nd3+)发光。第二种类型ZnS发光二极管是将Er和Nd离子注入到ZnS的同一表面,但是不同的深度,当外加电压的大小改变时,二极管发光颜色可以从绿色到橙色或者从橙色到绿色。