CsCu2I3薄膜的制备及其吸收谱的研究

本文介绍了用热蒸发技术制备ＣｓＣｕ２Ｉ３薄膜的方法，根据ＣｓＣｕ２Ｉ３的低温吸收谱计算出其激子参数；谱分析表明，ＣｓＣｕ２Ｉ３的电子和激子激发定域在ＣｕＩ４＾２－组成的双链结构之中是导致其光谱复杂性的主要原因。     

氮化铝薄膜的光学性能

分别使用X衍射仪和紫外（190 nm～800 nm）分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下（10 k～293 k）的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：     

ZnSe—ZnS应变层超晶格的激子吸收谱

在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.     

硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性

为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜。将生长后的样品分成两部分,其中一部分进行了退火处理。对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的X射线双晶衍射摇摆曲线,用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱,并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数。结果表明,退火后的薄膜质量明显提高。退火后大部分区域吸收增大,透射率明显减小,615~3 730 cm-1区间的透射率均比退火前降低了20%以上。退火后的体载流子浓度增大到退火前的23.26倍,迁移率增大到退火前的27.82倍。     

W/SiO2基太阳光谱选择性吸收薄膜的制备和表征

采用磁控溅射镀膜仪制备了基于过渡金属W和介质SiO_2的6层薄膜样品,膜系结构为Cu (100.0nm)/SiO_2(63.5nm)/W(11.0nm)/SiO_2(60.0nm)/W(5.4nm)/SiO_2(75.5nm)。在250～2500nm的波长范围内,该样品的太阳光吸收率为95.3%,且在400℃低真空(6Pa)条件下退火72h之后,样品的反射光谱特性变化较小,证明了该样品具有极高的热稳定性。使用红外热成像仪对样品的红外辐射特性进行了在位实时表征,结果表明样品具有低辐射特性。这些优良的特性有利于该样品在太阳能光热转换中的应用。     

CO_2激光边带光谱仪用于SF_6分子v_3带Q支吸收谱的研究

用绝对频率精度优于1.2MHz的CO_2激光边带光谱仪记录了SF_6分子v_3带Q支的多普勒受限吸收谱,光谱范围在CO_2激光10P(16)支线中心两侧,距支线中心8.0～12.4 GHz。用内插法以<6MHz的均方误差测量了百余条跃迁谱线的频率,并标识出Q_Z、Q_R、Q_X、Q_W、Q_A等亚支的谱线,量子数J从26到83。用最小二乘法拟合实验数据得到了v_3带的部分光谱常数。     

等离子体X射线吸收谱及发射谱研究

 报道计算高温高密等离子体吸收谱和发射谱（光学薄）的理论方法；该方法基于相对论原子理论，可以计算任何单元素以及多元素等离子体的谱分辨X射线吸收谱和发射谱（光学薄）；应用了量子亏损理论，可以减少计算量。利用该方法计算金等离子体LTE吸收谱，计算结果与实验符合良好。本文还对金等离子体LTE的光学薄发射谱进行了研究, 这将有利于对实验进行进一步的诊断分析。该理论计算方法还可提供等离子体内各电离度能级布居等重要物理参数。因此经“标准实验”检验的该理论计算方法将是提供ICF“精密”物理辐射参数的重要基础。     

PVK:TPB掺杂体系稳态光谱的研究

摘要研究了掺杂有机蓝光染料TPB的PVK薄膜的发光特性,通过对掺杂薄膜的吸收光谱、激发光谱及发射光谱的分析,研究了PVK与Alq3之间的能量传递规律。当掺杂浓度为5％时,能量传递效率最高。用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量对实验进行模拟,发现该模型能够较好地解释有关的实验结果。     

四新戊氧基酞菁锌旋涂膜的吸收光谱的温度特性

在玻璃基片上制备了四新戊氧基酞菁锌的旋涂膜,通过测定该薄膜在不同温度退火后的吸收光谱和Ｘ射线衍射谱图,研究了酞菁分子聚集体在薄膜中的变化。随着温度的升高,单体逐渐转变为聚集体;当温度升高到４００℃时,聚集体重又向单体转变,同时还伴随有体系内非晶→晶相→非晶的相变。     

浮游植物吸收光谱特征分析

文章选取了东海9个典型浮游植物赤潮种、优势种,在实验室2个温度(20,15 ℃)和2个光照(7 000, 1 100 lux)条件下进行培养,对不同温度、光照和生长周期条件下9种浮游植物的吸收光谱进行了研究。首先,将归一化的光谱数据组成的矩阵进行奇异值分解,采用第一特征值与所有特征值的和之比来衡量浮游植物吸收光谱的相似性,选取了25条能够表征9种浮游植物吸收光谱基本特征的代表谱。其中,等鞭金藻和柔弱角毛藻各1条,岛国大扁藻和旋链角毛藻各2条,裸甲藻3条,塔玛亚力山大藻、东海原甲藻、中肋骨条藻和聚球藻各4条。然后,进一步提取代表谱中具有较大判别能力的波长点,总共得到7个特征波长段(点),它们是340.5～420.5 nm波段、423.5～431 nm波段、440.5～525.5 nm波段和760.5,763.5,769.5,856.5 nm波长点;由此形成的特征谱,对量测光谱判别分析正确率达到80%。     

第一性原理下铜锰共掺铌酸锂晶体的电子结构和吸收光谱

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Cu、Mn单掺及共掺LiNbO3晶体的电子结构和光学性质.结果显示,Cu、Mn掺杂LiNbO_3晶体禁带中的杂质能级分别由Cu 3d轨道、Mn 3d轨道贡献;各掺杂体系的带隙均较纯LiNbO_3晶体变窄.共掺晶体中Cu离子形成了较单掺时更浅的能级中心,并在2.87eV处有较强的吸收峰;Mn离子在1.73eV附近的吸收较单掺时减弱且中心略有偏移,在2.24eV处的非光折变峰与Mn~(3+)相关,这对吸收峰的变化被认为与Cu、Mn间电子转移相联系.相对Cu、Fe共掺LiNbO_3晶体,Cu、Mn共掺LiNbO_3晶体可以通过适当提高Cu离子浓度,来改善存储参量中的动态范围和记录灵敏度.由于同一深能级掺杂离子伴以不同浅能级掺离子将呈现出不同的吸收特征并影响存储性能,在共掺离子的配搭选择时对各待选配搭的模拟计算非常必要.     

掺C60/C70和沥青薄膜的光谱特性

本文研究了醇酸清漆本征膜的紫外———可见吸收光谱特性、沥青的红外光谱和紫外———可见吸收光谱特性、C6 0 /C70 掺入醇酸清漆后所得薄膜的紫外———可见吸收光谱特性、沥青掺入醇酸清漆后所得薄膜的紫外———可见吸收光谱特性、C6 0 /C70 和沥青掺入醇酸清漆后所得薄膜的紫外———可见吸收光谱特性。实验证明 ,醇酸清漆对C6 0 /C70 具有很强的漂白作用 ,即醇酸清使C6 0 /C70 原紫外———可见吸收光谱的吸收峰消失 ,吸收曲线紫移 ,而对沥青吸收光谱则无影响。将C6 0 /C70 和沥青同时掺入醇酸清漆中 ,聚合后薄膜的吸光度在350～ 760nm波段随波长的增加而呈非线性下降 ,同时薄膜的强度也有所提高。     

紫外照射下正丁醇溶液的吸收光谱及荧光光谱研究

分别从实验和理论上对紫外光激励下正丁醇溶液的吸收光谱和荧光光谱及其特性进行了分析研究,发现正丁醇对190～250 nm的紫外光都有很好的吸收,在210～250 nm激发下会发射出明显的荧光;以220 nm激发不同体积比混合的正丁醇和正己烷溶液,发现随着正丁醇体积比的增加,荧光强度逐渐增强,且基本成线性关系;同时还测量了正丁醇溶于乙醇后的荧光光谱,发现在不同波长紫外光照射下,不同配比的正丁醇乙醇溶液的荧光强度变化规律也有所不同。另外,文章给出了混合溶液荧光峰值位置的数学表达式,其计算值与实验值相比误差较小,这或许将对醇类物溶液荧光光谱的进一步研究有一定参考意义。     

Influence of Oxygen Vacancies on the Luminescence Spectra of Y2O3 Thin Films

Luminescence spectra of Y₂O₃ thin films annealed in air and in vacuum are investigated. It is established that the presence of oxygen vacancies leads to a decrease in the intensity of the luminescence band with a maximum at 3.4 eV (related to emission of selflocalized Frenkel excitons describing the excited state of a molecular ion (YO₆)^9–) and of the luminescence band with a maximum at 2.9 eV (related to the anion sublattice). It is revealed that the oxygen vacancies also lead to a decrease in the luminescence intensity in the 2.60, 2.35, 2.10. 1.90, and 1.70 eV bands that are related to radiative recombination in the donor–acceptor Y³⁺–O^2– pairs. The donor–acceptor distances are calculated.     

硅薄膜材料的光电导谱分析

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法（VHF-PECVD）,通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品。由弱光条件下光电导谱分析了材料的吸收系数及缺陷态密度,结果表明随着氢稀释比的增加,材料的长波响应增大,缺陷态密度（NS）逐渐减小,当大于16.7时,NS开始增加,这是杂质与晶粒间界相互作用的结果。     

Ag-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的微结构及吸收光谱特性研究

对用真空蒸发技术制备的Ag-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜（Ag的质量分数为0.15、0.20、0.30）的微结构及吸收光谱特性进行了研究。微结构分析表明薄膜由平均粒径约18nm的fcc-Ag纳米晶粒嵌埋于主要呈非晶态的MgF2基体中所组成。对吸收光谱的研究表明，Ag纳米微粒的表面离子共振吸收峰出现在λ＝412nm-417nm波段范围内。随着Ag组分增加，吸收峰强度下降，呈现轻微红移并且逐渐宽化。