ZnCdse-ZnSe多量子阱中的激子发光

在77-300K温度下研究了Zn_1-xCd_xSe-ZnSe多量子阱(MQWs)的光致发光特性.首次在77K,Ar离子激光器的457.9nm激发下,在Zn_0.68Cd_0.32Se-ZnseMQWs中观测到5个发光带,其中三个发光带被归因于不同的激子发射:即n=1重空穴(HH)激子;n=l轻-重空穴(LH)激子和n=IHH激子同时发射两个纵光学声子的复合发光,并且n=1HH激子发光可延续至室温.     

ZnSe－ZnTe多量子阱室温下的反射型皮秒激子光双稳

本文首次研究了ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳，实验结果表明，ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为１．１ＭＷ／ｃｍ２和６：１．根据测量得到的ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论，归结ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化．     

ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性.由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.     

ZnSe－CdZnSe多量子阱F－P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳

近年来,半导体超晶格的光双稳器件由于功耗低、体积小、易于集成优点,引起国内外人们的广泛重视,特别是经优化的F-P腔光双稳器件,其反射式光双稳比透射式光双稳有很多的优点.     

耦合量子阱中激子凝聚的研究进展

近年来，半导体量子阱中激子的玻色一爱因斯坦凝聚研究取得了很大进展．实验上利用耦合量子阱间接激子中电子和空穴在空间上的分离，显著提高了激子的冷却速度和寿命，成功地把激子冷却到1K以下，观察到了激子的准凝聚状态，并且在强激光照射下，发现了随光照强度增强而增大的激子发光环和环上形成的有规则斑点图案，引起了广泛的兴趣和重视．理论研究表明，发光环的出现是电子和空穴在量子阱中的反常输运行为造成的，但环上形成规则斑点的物理机理目前尚不清楚．文章介绍了这方面的实验背景和形成激子环的物理图像，指出了理论研究中存在的问题，并对解决问题的方案进行了讨论．     

CdSe/ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性

利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性。稳态光谱表明:在82～141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了高能侧发光的来源。宽阱发光强度先增加后减小,将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果。通过Arrhenius拟合,对宽阱激子热激活能进行了计算。82K时变激发功率PL光谱表明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化,宽阱发光峰位随激发功率增加发生了蓝移,并对激子隧穿进行了实验验证。     

ZnSe-ZnS多量子阱中激子动力学及受激发射

本文讨论了在ZnSe薄膜材料及ZnSe-ZnS多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射.     

ZnCdSe／ZnSe多量子阱的生长和激光光学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射（XRD）、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性,由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理。     

ZnCdTe-ZnTe多量子阱的光泵受激发射

本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射机理．阈值时（Ｊｔｈ）受激发射峰相对于激子吸收峰的能量差（１９ｍｅＶ）与激子束缚能接近．激发光强度在３Ｊｔｈ～４．８Ｊｔｈ之间变化时，该能量差随激发光强度的变化规律与激子—激子散射过程的理论结果符合得很好，从而把该材料在上述激发光强内的受激发射机理归结为激子－激子散射过程     

ZnSe-ZnTe多量子阱室温下的反射型皮秒激子光双稳

本文首次研究了ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳,实验结果表明,ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为1.1MW/cm²和6:1.根据测量得到的ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论,归结ZnSe-ZnTe多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ZnSe-ZnTe多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化.     

用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性

由于非常大的激子束缚能使得宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体多量子阱在室温下表现出明显的激子效应,进而产生巨大的激子光学非线性川。以往的非线性测量方法有的灵敏度不 高,有的实验做起来非常复杂或是数据处理很困难,Z一扫描技术正是克服了这两个缺点,并能同时给出非线性折射率系数的大小和符号。本文利用Z一扫描技术在室温下研究了ZnCdSe-ZnSe/GaAs多量子阱中的三阶非线性。     

ZnSe0.93Te0.07-ZnSe多量子阱的光泵受激发射

宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体在短波长可见光范围内优越的发光特性使其在器件的研制方面有着广阔的前景.ZnSe基量子阱和超晶格结构,尤其是ZnCdSe-ZnSe量子阱已经在器件的制备方面取得了可喜的进展,因而人们研究的比较多.     

Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱的共振喇曼光谱

本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。     

浅ZnCdSe/ZnSe量子阱的光泵受激发射

本文主要研究浅ZnCdSe/ZnSe单量子阱在77K温度下的光致发光。在不同激发密度下,讨论了该结构的发光机制,把77K温度下的受激发射归结为是激子-激子散射所引起的。文中还分析了在浅ZnCdSe/ZnSe量子阱中能够实现与激子相关的受激发射的原因。     

内爆腔X光发射机制研究

介绍了首次利用三台亚千X光能谱仪和一台针孔相机研究腔靶内爆区X光发射机制,实验结果表明内爆区X光发射主要是壁X光面发射。     

MOCVD制备InxGa1－xN/GaN MQWs的温度依赖性

利用方势阱模型对In_xGa_1－xN/GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在MO源流量恒定条件下，在570℃～640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验，对In_xGa_1－xN制备过程中的In组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的PL谱测量分析，得到了587℃～600℃的In组份最佳掺入温度区间.