掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了K₄Fe(CN)₆浅电子陷阱掺杂剂和S+Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂浓度为10-8～10-7 mol·mol-1Ag时,在增感之前,掺杂位置越接近表面时,光电子衰减过程会变慢,即衰减时间增加;S+Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快,说明了增感中心起深电子陷阱作用,当掺杂位置接近表面90%Ag时,光电子衰减时间突然减小,说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。     

甲酸根离子均匀掺杂的卤化银中的光电子特性

甲酸根离子(HCO-2)作为一种“空穴-电子转换剂”掺杂在卤化银中,可以提高潜影形成过程中光电子的利用率,俘获光生空穴,减少潜影形成过程中电子-空穴复合所造成的电子损失;同时还可以释放一个电子,提高感光效率。采用微波吸收介电谱检测技术,检测了不同浓度甲酸根离子均匀掺杂的立方体AgCl和AgBr乳剂在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号。通过比较光电子的衰减时间和寿命,分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应对立方体AgCl和AgBr乳剂中光电子衰减行为的影响,并得到了最佳均匀掺杂浓度（10^-5mol/molAg）。     

AgX:I微晶的光电子衰减时间分辨谱测量

利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱测量技术,采用自行设计的光电子时间分辨谱测量装置(时间分辨率达到1 ns),精确地测量了不同Agx:I材料在35 ps超短脉冲激光曝光后产生的自由光电子和浅俘获光电子随时间衰减的光电子衰减时间分辨谱,分析了不同的[I-]掺杂条件对材料光电子时间特性的影响关系,得到了影响Agx:I微晶光电子时间特性的最佳[I-]掺杂条件。对立方体AgCl乳剂来说,[I-]含量0.5％,掺杂位置80％Ag处时,乳剂的光电子寿命最长。而对T-颗粒AgBr乳剂而言,[I-]含量3％时,乳剂的光电子寿命最长。碘化物对光电子寿命增大的影响是由于碘化物离子可以作为缺陷电子陷阱,这就使得银簇上的反应减小,当碘化物大于3％时,这一效应由于碘化物团簇的形成而消失。     

掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性

利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。     

The influence of K4Fe（CN）6 on the photosensitivity of cubic AgCl microcrystal

The influence of K4Fe(CN)6 at various doping concentrations on the photosensitivity of cubic AgC1 microcrysgals has been investigated by using the microwave absorption and phase-sensitive measurement technique. The time behaviour of free photoelectrons in AgCl microcrystals is analysed by using computer simulation as a function of three parameters of shallow electron trap (SET) including doping concentration, trap depth and capture cross-section (CCS).It is found that the three parameters of SET play different roles on the free photoelectron decay time (FDT). After considering the threshold effects of the three parameters and their collective effects, the trap depth value, the CCS value,and the optimal doping concentration of the SET introduced by the dopant K4Fe(CN)6 in cubic AgCl microcrystals can also be determined, and the best photosensitivity of cubic AgCl can be obtained.     

不同增感对AgCl乳剂中光电子时间行为的影响

借助微波吸收介电谱检测技术,对AgCl立方体乳剂中光电子的时间行为进行了检测,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同增感条件下的时间分辨谱。实验结果表明：化学增感时由于硫加金增感中心的浅电子陷阱作用有效地抑制了空穴与光电子之间的复合,化学增感使得光电子的衰减相对未增感的减缓、衰减时间得到延长;光谱增感时由于染料J聚集体增加了卤化银晶体中添隙银离子的浓度、促进了光电子与添隙银离子之间的结合,光谱增感使得光电子的衰减相对未增感的加剧、衰减时间变短;化学与光谱共同增感使光电子的衰减时间在光谱增感的基础上得到了延长,且硫加金化学增感中心的浅电子陷阱效应在光谱增感的基础上更明显。     

Investigation of photoelectron action in cubic AgCl emulsion doped with formate ions

In recent years, the formate ion （HCO2^-） as a kind of hole-to-electron converter has attracted much attention of photographic researchers. The formate ions can trap photo-generated holes, eliminate or reduce the electron loss caused by electron-hole recombination in latent image formation process. Through the hole-to-electron conversion, it can also release an extra electron or electron carrier, improving photosensitivity. In this paper the microwave absorption and dielectric spectrum detection technique is used to detect the time evolution behaviour of free photoelectrons generated by 35ps laser pulses in cubic AgCl emulsions doped with formate ions. The influence of different doping conditions of formate ions on the photoelectron decay kinetics of AgC1 is analysed. It is found that when the HCO2^- content is 10^-3mol/mol Ag and the doping position is 90% the electron decay time and lifetime reach their maxima due to the efficient trap of holes by formate ions.     

卤化银微晶中光电子衰减谱的特性

光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用 ,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构。采用光学与微波双共振技术 ,测量了自由光电子和浅俘获光电子的衰减谱 ,得到了卤化银中电子陷阱的密度和深度分布。以自由光电子寿命为纽带 ,通过分析掺杂卤化银晶体中电子陷阱的分布情况 ,可以确定浅电子陷阱掺杂剂的最佳掺杂浓度。     

甲酸根离子掺杂的AgCl乳剂增感后的光电子特性研究

甲酸根离子作为一种“空穴－电子转换剂”掺杂在卤化银中可以提高潜影形成过程中光电子的利用率。将不同位置甲酸根离子掺杂的立方体AgCl乳剂又经相同条件的硫加金或感绿染料增感后,采用微波吸收介电谱检测技术对样品在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号进行检测,通过分析光电子的衰减特性,发现甲酸根离子仍然能发挥其空穴陷阱效应,而且自由光电子的衰减时间和寿命与未增感的掺杂乳剂随掺杂位置的变化趋势一致。     

光谱增感剂对AgBr微晶光电子衰减时间特性的影响

本工作利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱测量技术,测量了菁染料光谱增感后的AgBr晶体在35ps超短脉冲激光曝光后产生的自由光电子和浅俘获光电子随时间衰减的光电子衰减时间分辨谱,分析了不同的染料增感条件对材料光电子时间特性的影响关系,实验验证了吸附在T-颗粒(111)晶面上的染料比吸附在立方体(100)晶面上的染料更有效、更有助于形成潜影的论据。     

The trapping effect of sulfur sensitization center Ag_2S cluster on T-grain AgBrI microcrystals

Chemical sensitization is a widely adopted technique that improves the photo-graphic sensitivity of silver halide crystals with basic emulsion. Sensitization centers,which can save photoelectrons in the process of latent-image formation, have beenformed on microcrystals after chemical sensitization. Therefore, chemical sensitizationwas widely adopted for many years. Sulfur sensitization is an important chemical sen-sitization technique in all chemical sensitization methods. First, in 1925, Sh…     

The trapping effect of sulfur sensitization center Ag<Subscript>2</Subscript>S cluster on T-grain AgBrI microcrystals

The microwave absorption dielectric-spectrum technique was used to study the decay kinetics of photoelectrons in sulfur-sensitized silver halide crystals. The time-resolution spectrum of free electrons and shallow-trapped electrons generated in sulfur-sensitized AgBrl crystals has been obtained. The relationship of the trapping effect of sensitization centers Ag₂S and sensitization time or temperature in emulsions has been duscussed. With the increase in the sensitization time and temperature, the trap effect of sulfur sensitization centers varies from hole trap to shallow electron trap, and deep electron trap.     

流动注射-氢化物发生-原子吸收光谱分析中氧化剂对铅增敏作用的研究

本文提出了用流动注射喷射式氢化法直接测定Pb的方法,并对测定条件及共存元素的允许存在量进行了研究,还就K_3Fe(CN)_6对Pb的增敏作用机制进行了探讨并提出了以下反应模式:①K_3Fe(CN)_6首先将Pb~Ⅱ在碱性条件下氧化至Pb~Ⅳ:②K_3Fe(CN)_6再与Pb~Ⅳ发生化学反应:③上述的生成物在用NaBH_4还原时可大大提高Pb的转化率。     

Investigation of photoelectron temporal characteristics in silver halide microcrystals using the microwave absorption technique

The free photoelectron lifetime reflects to a large extent the latent image formation efficiency and sensitivity of silver halide material. The microwave absorption dielectric-spectrum technique enables measurement of the photoelectron decay process of silver halide emulsion exposed to 35ps laser pulse. For T-grain AgBr emulsion, the relationship between exciting energy and photoelectron action has been obtained, and the influence of iodide dopants on photoelectron lifetime was measured and analysed. The photoelectron lifetime of dye-sensitized AgBr emulsion with tabular grains is shorter than that with cubic grains, and the latent image formation efficiency of the former is higher than the latter.     

立方体AgCl微晶中［Fe(CN)6］4-引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟

为了描述在晶体生长阶段掺入［Fe(CN)₆］^4-的立方体AgCl微晶中 光电子的产生与 衰减过程，建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱(SETs)组成的动力学模型，并引出一组微分方程.通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰减曲线及其寿命.调整相 关模拟参数，于常温下得到由［Fe(CN)₆］^4-引入的SETs阱深为0.1 15eV，电子俘获截面为2.136×10^-17cm². 关键词： 光电子 浅电子陷阱 俘获截面 AgCl微晶     

化学增感对光电子时间分辨谱的影响

利用微波吸收相敏检测技术,对AgBrI-T颗粒乳剂中光电子时间行为进行了检测,并获得了自由光电子与浅束缚光电子的时间分辨谱。实验结果表明,在加入Na₂S₂O₃相同的条件下S与S+Au增感中心所起的电子陷阱作用不同,S增感中心所起的作用为深电子陷阱,增感中心由于增加了对光电子的深束缚,从而造成自由光电子与浅束缚光电子的衰减加剧;S+Au增感中心所起的作用为浅电子陷阱,增感中心通过暂时束缚光电子有效降低了光电子与光空穴的复合,减缓了自由光电子与浅束缚光电子的衰减,可见加入KAuCl₄后形成的S+Au增感中心陷阱深度要比S增感中心的陷阱深度浅。从光电子时间分辨谱的变化可以看出S与S+Au增感中心在衰减曲线的不同时域中对光电子衰减的作用表现不同。     

微波吸收法研究ZnO光电子衰减过程

微波吸收无接触测量技术可以用于半导体粉体材料、微晶材料等研究光生载流子衰减过程。本文采用微波吸收法在室温下分别测量了ZnO纳米材料和微晶材料的光电子衰减过程。发现在紫外激光短脉冲激发下,两种材料的导带光电子寿命有很大的差异,ZnO微晶粉体材料的光电子寿命为50ns,而ZnO纳米材料的光电子寿命仅为10ns。分析认为纳米ZnO的光电子寿命缩短是由于纳米ZnO晶体的表面积远远大于体材料的表面积,纳米材料的表面形成了大量的缺陷能级,加速了光电子的表面复合,缩短了光电子的寿命。纳米材料内部缺陷增多和量子限域效应同样会缩短光电子的寿命。     

S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响

利用微波吸收相敏检测技术，对AgBrI-T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测，结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同；S+Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变.根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系，获得了S+Au最佳增感浓度. 关键词： 微波相敏检测 光电子 增感 电子陷阱     

A Multi-Frequency EPR and ENDOR Study of Rh and Ir Complexes in Alkali and Silver Halides

Aliovalent Rh and Ir cations have been frequently used to influence the photographic properties of silver halide emulsions. The doping introduces several types of related defects with distinct trapping and recombination properties. EPR and ENDOR are, in principle, ideally suited for the determination of the microscopic structure of the individual centres but it will be demonstrated that well-chosen, sometimes sophisticated multi-frequency experiments are necessary in order to (partially) reach this goal. Model studies on single crystals of AgCl and NaCl also appeared indispensable for the unravelling of the spectra.

In the review of Rh-centres in NaCl and AgCl special attention is paid to methods that allow to detect cation vacancies near Rh^2? complexes. An alternative explanation for the high temperature behaviour of the [RhCl₆]^4? complexes in AgCl is presented.     

Tm掺杂的激光晶体生长、结构和光谱性能研究

采用顶部籽晶生长法从K2Mo3O10-B2O3助熔剂中生长出15 mm×15 mm×25 mm优质TmxGd1-x Al3(BO3)4(x=1,0.06)晶体.利用X射线单晶衍射仪测定了TmAl3(BO3)4晶体的结构.对Tm3+GAB晶体进行定向切割,测量得到了σ和π方向的偏振的吸收和发射光谱,并根据Judd-Ofelt理论计算了Tm3+在GdAl3(BO3)4中的J-O参数、各个能级的振子强度、自发辐射几率、荧光分支比等参数.