纳米复合Fe-R-O(R=Hf Nd Dy)薄膜面内铁磁共振研究

用反应溅射方法制备了FeRO(R=Hf, Nd, Dy) 薄膜，并在400℃时对样品进行退火处理，x射线衍射和电子衍射结果显示纳米量级的Fe晶粒镶嵌在非晶氧化物基质中.用面内铁磁共振技术仔细测量了样品的共振吸收谱，并分析了局域磁化强度Ms与晶粒尺寸的关系.制备态样品呈现出显著的面内单轴各向异性，退火后单轴各向异性显著减弱，取而代之的是较弱的磁晶各向异性.利用公式(ω/γ)2=(Hres+HK)(Hres+HK+4πMs)求出局域磁化强度Ms，它随晶粒尺寸减小而减小，在晶粒尺寸为5nm时仅约为Fe体材料饱和磁化强度的30%.局域磁化强度与根据Fe的体积百分比算出的体磁化强度相比偏小，并与晶粒尺寸的倒数呈线性关系，说明在晶粒表面存在较强的磁矩钉扎效应. 关键词： 铁磁共振 局域磁化强度 单轴各向异性 磁晶各向异性     

应力各向异性下耦合三层薄膜铁磁共振

研究铁磁/铁磁/反铁磁三层薄膜中应力各向异性场对共振场的影响.得到系统存在声学和光学两种模,并且随着应力场的增强,在某些区域声学模和光学模共振场均向高值方向移动.此外发现声学模共振场对两铁磁层厚度的依赖较大,对光学模而言,随着两铁磁层厚度的改变,应力各向异性场对其共振场的影响甚微.     

石榴石薄膜中的条畴铁磁共振

本文详细报道了条畴铁磁共振(FMR)特性与微波磁场和条畴间夹角的依赖关系。实验结果表明,由Smit和Beljers等人所提出来的关于磁畴共振的理论需要进一步改进和完善。 关键词：     

外应力场下双层铁磁薄膜中的铁磁共振性质

用铁磁共振方法得到了双层铁磁薄膜的色散关系解析表达式.发现共振场依赖于层间耦合强度和应力场.假定层间为反铁磁性耦合，且铁磁层Ａ有较强的平面内各向异性.随着外磁场的增强，铁磁层Ｂ中的磁化强度突然由最初的反平行转为平行，从而导致色散曲线的阶跃，并且发现光学模阶跃幅度比声学模大.随着应力场的增强，Ｂ层中磁化强度反转所需的外磁场减弱.此外，在不同的交换耦合强度和应力场下，光学模共振场对外磁场方向的依赖性较强. 关键词： 双层铁磁薄膜 界面相互作用 应力各向异性场 铁磁共振     

铁磁共振实验中值得注意的几个问题

与顺磁样品相比铁磁样品的磁共振信号不仅是强得多,铁磁样品的许多特点都会在铁磁共振(FMR)谱中反映出来.诸如,起始磁化过程的FMR谱线与有剩余磁化强度Mr的FMR谱是不同的,起始磁化过程中的巴克豪森跳跃也会在FMR谱中反映出来.样品的磁晶各向异性、形状各向异性,铁磁高温顺磁的磁性相变等等都能用FMR方法加以研究.     

垂直磁各向异性自旋阀结构中的铁磁共振

本文在理论上研究了垂直磁各向异性自旋阀结构中磁场激发和调节的铁磁共振. 通过线性展开包含自旋转移矩项的Landau-Lifshitz-Gilbert方程,获得了磁场激发和调节的铁磁共振谱. 给出了共振线宽、共振频率和共振磁场随直流电流密度大小和方向以及直流磁场的变化关系. 通过调节直流电流密度的大小和方向,系统的有效阻尼可以达到最小. 关键词： 自旋阀 自旋转移矩 垂直磁各向异性 铁磁共振     

具有条纹磁畴结构的NiFe薄膜的制备与磁各向异性研究

具有条纹磁畴结构的磁性薄膜表现出面内转动磁各向异性,对于解决高频电子器件的方向性问题起着至关重要的作用.本文采用射频磁控溅射的方法,研究了NiFe薄膜的厚度、溅射功率密度、溅射气压等制备工艺参数对条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律.研究发现,在功率密度15.6 W/cm~2与溅射气压2 mTorr(1 Torr=1.33322×102Pa)下生长的NiFe薄膜,表现出条纹磁畴的临界厚度在250 nm到300 nm之间.厚度为300 nm的薄膜比250 nm薄膜的垂直磁各向异性场增大近一倍,从而磁矩偏离膜面形成条纹磁畴结构,并表现出面内转动磁各向异性.高溅射功率密度可以降低薄膜出现条纹磁畴的临界厚度.在相同功率密度15.6 W/cm~2下生长300 nm的NiFe薄膜,随着溅射气压由2 mTorr增大到9 mTorr,NiFe薄膜的垂直磁各向异性场逐渐由1247.8 Oe(1 Oe=79.5775 A/m)增大到3248.0 Oe,面内转动磁各向异性场由72.5 Oe增大到141.9 Oe,条纹磁畴周期从0.53μm单调减小到0.24μm.NiFe薄膜的断面结构表明柱状晶的形成是表现出条纹磁畴结构的本质原因,高功率密度下低溅射气压有利于柱状晶结构的形成,表现出规整的条纹磁畴结构,高溅射气压会导致柱状晶纤细化,面内转动磁各向异性与面外垂直磁各向异性增强,条纹磁畴结构变得混乱.     

颗粒大小分布对铁薄膜矫顽力的影响研究

研究了沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的依赖关系.研究发现:在极低温下,矫顽力先随温度增加迅速增大,在临界温度Tc=10～15 K左右达最大,超过该温度后,矫顽力又快速下降,至65 K后下降幅度减慢.分析表明:高于临界温度时沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的关系强烈地受颗粒大小分布的影响;导致在Tc上、下温区磁化机制的改变可能是与铁薄膜及其氧化层中的无序自旋在低温时出现类自旋玻璃态密切相关.     

颗粒大小分布对铁薄膜矫顽力的影响研究

研究了沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的依赖关系。研究发现：在极低温下，矫顽力先随温度增加迅速增大，在临界温度Tc=10-15K左右达最大。超过该温度后。矫顽力又快速下降，至65K后下降幅度减慢。分析表明：高于临界温度时沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的关系强烈地受颗粒大小分布的影响；导致在Tc上、下温区磁化机制的改变可能是与铁薄膜及其氧化层中的无序自旋在低温时出现类自旋玻璃态密切相关。     

垂直场下磁性薄膜中的铁磁共振现象

将铁磁共振频率看成外磁场的函数, 讨论了垂直场下磁性膜中的铁磁共振现象. 结果显示: 当外磁场平行于膜面, 并考虑磁膜具有垂直磁晶各向异性情形时, 其磁共振频率随外磁场的变化分为高频支和低频支两种情况, 具体的依赖关系取决于磁膜内磁晶的各向异性; 当外磁场垂直于膜面, 其磁共振频率随外磁场的关系仅存在一支, 一般地, 磁共振频率随外磁场的增加单调地非线性减小, 但当立方磁晶各向异性场H_k1 与单轴磁晶各向异性场H_a之比值介于2/3 < H_k1/H_a <1时, 其磁共振频率随外磁场的增加单调增加, 这与相关的实验结果一致. 研究结果表明: 磁薄膜中有无垂直于膜面的磁各向异性可以通过其磁共振谱的测量进行辨析.     

铁磁金属薄膜纳米点连接的各向异性磁电阻

首次运用电子束光刻技术和真空沉积技术在硅片表面制备了宽度在20纳米Ni80Fe20薄膜铁磁金属纳米点连接,通过对铁磁金属薄膜纳米点连接样品在不同温度下的磁电阻和I~V的研究,得出宽度在20纳米的铁磁金属薄膜纳米点连接中所观察到的磁电阻现象是各向异性磁电阻,其导电行为主要是金属导体导电行为,受量子化电导作用较小;通过对宽...     

薄膜型热释电探测器及其薄膜的制备

本文阐述了薄膜型热释电探测器原理及其薄膜的制备方法,进一步分析、整理了薄膜制备过程中的条件及参数。     

薄膜太阳电池的研究进展

介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的位置,详细叙述了非晶硅,铜铟锡,碲化镉等主要薄膜太阳电池的基本结构,制造方法,研究进展和现状,指出了存在的关键问题和解决的途径,并介绍了薄膜太阳电池的发展趋势和应用前景。     

薄膜场致发光显示的研究进展

描述了薄膜场致发光显示的电学和光学性质,介绍了夹层结构,它等效齐纳二极管组成的线路。分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度,电子的能量和发光体的结晶状态,为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜扬致发光。对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色ＴＦＥＬ器件的材料和结构的研究进展。     

激光高反射膜的研究

研究混合膜（TiO2 Ta2O3;Ta2O5 ZrO2)的色散规律，用Ta2O5 ZrO2和SiO2成功地镀制出两个波段（632．8nm,1.06μm)的激光反射膜，使激光破坏阈值提高5％－15％（1．06μm)，膜层吸收小，机械强度增加。     

CLUSTER NUCLEATION LIMITED BY GROWTH PATTERN COVERAGE IN THIN FILM PREPARATION FROM VAPOR

In the early stage of thin film preparation from vapor, growth patterns consisting of stable clusters will gradually cover almost the entire substrate surface. During this process, the density of single atoms is zero on growth patterns and the nucleation of clusters will proceed in the substrate parts uncovered by these patterns. The influence of growth pattern coverage on the nucleation of thin films has not been considered wholly in the classical theory of thin films. We will systematically study the influence of growth pattern coverage and give some correction formulas for the widely used classical theory of thin films. It was found that the classical nucleation rate is proportional to the square of the uncovered area. The corrected formulas are of particular importance in the dominant coverage case.     

铁磁/非铁磁/铁磁层状薄膜的巨磁阻抗效应的计算

基于文献[17]和[18]提出的铁磁非铁磁铁磁层状薄膜的电磁模型,详细研究了层状薄膜的巨磁阻抗增强效应,以及磁性层和非磁性层厚度与层状薄膜的巨磁阻抗效应的关系.分析表明,铁磁层和非铁磁层薄膜的电阻率相差越大,越有利于获得显著的巨磁阻抗效应;对于总厚度要求一定的层状薄膜,铁磁层和非铁磁层薄膜存在一最佳厚度 关键词： 巨磁阻抗效应 磁性薄膜 趋肤效应     

铁电薄膜性能测量实验

利用铁电性能综合测试系统测量了SrBi2Ta2O9薄膜的铁电性能,分析了电压变化对于电滞回线的影响,同时对疲劳行为进行了研究。     

射频磁控反应溅射生长AlN薄膜

用射频磁控反应溅射方法,在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中,以高纯Ａｌ为靶材,成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的影响．发现退火能使薄膜的结晶性得到改善,在退火后的样品中得到了室温蓝紫色阴极射线发光     

陶瓷基片薄膜电致发光器件

本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于30cd/m2,寿命大于10000小时.