SiGe HBT势垒电容模型

在考虑SiGe HBT的势垒电容时，通常的耗尽层近似不再适用，应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上，建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型.将以上势垒电容 模型应用于SiGe HBT频率特性模拟，模拟结果与实验结果符合得很好. 关键词： SiGe HBT 势垒电容 微分电容     

巧用晶体三极管测小电容

在没有电容表的情况下，电容有无容量一般是用万用表的欧姆档大致估测，利用电容的充、放电作用，根据表针摆动角度的大小来估量其容量的大小．但这种方法只适用于容量大于几千pF的电容，当电容容量小于2000PF时，即使使用XIokQ的电阻档，表针也几乎不动，此时就难以判定是电容     

微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究

采用有效哈密顿量和有相互作用的分立势模型，利用格林函数和耦合参量得出了量子点(腔)在有结边电荷积累极化时的线性和二阶非线性交流电导虚部(emittance)的明确表达式.发现在经典情况下，电导虚部和电化学电容都等于经典的几何电容.在非经典情况下，如果发生全反射，电导虚部和电化学电容相等，但两者皆不等于经典的几何电容.在有隧穿的情况下，电导虚部和电化学电容以及经典电容三者都不相等.该结果对于量子器件中的电容测量具有指导作用. 关键词： 格林函数 交流电导 电化学电容     

PN结对交流信号相位的影响

交流小信号被PN结和电容分压，且电容值远远大于PN结电容值时，大电容两端的电压是很小的交变电压，该信号的相位与PN结的内阻(正向)有关．把PN结当做一个电容和一个电阻并联，可定性解释这种关系．     

纳米隧道结的量子电容现象

利用STM针尖和二维Au纳米团簇构造的双隧道结，通过对单电子隧穿谱的测量，研究了纳米隧道结的电容随隧道结宽度的变化，发现电容随结宽度的变化偏离了经典电容的行为，为纳米隧道结的量子电容效应提供了实验证据。     

一种新型的电容式角度位移测量仪

本文设计了一种新型的可以测量角度以及位移的变极板正对面积式的差动电容测量仪。其中电容部分是由四块内极板以及一块外极板按照一定的方式安装形成的。当测量仪进行角度位移测量时，待测物体带动外极板旋转平移，外极板与四块内极板所形成电容的电容值发生变化；之后利用差动电容测量电路对这一变化进行测量，进而得出测量电路输出与电容值变化的关系，从而得到角度和位移的变化量，实现角度和位移的测量。     

开关漏电对冲击法测电容的影响及其改进

本文介绍了用冲击电流计测电容时，开关漏电对测量的影响及改进方法。最后简要指出用比较法测量一个量值与标准电容相差较大的电容时，产生系统误差的原因。     

电阻附加电容

本文指出当导体内电阻率随位置有变化时则存在电容，并分别给出电阻端面电容值和电阻体电容值的计算式。     

超导量子器件片上皮法电容的制备及测量

片上集成电容是超导量子芯片上的核心器件，其数值一般在百飞法(fF)至皮法(pF)范围.采用常规微纳加工技术在蓝宝石基片上制备了铌-氧化硅-铝(Nb/SiO₂/Al)平行板电容.利用刻蚀工艺制备了平行板电容器的下极板Nb,利用剥离工艺制备平行板电容器的上极板Al和介电层SiO₂.室温下利用锁相放大原理和桥式电路原理测定电容大小，两种方法测定电容值基本一致，表明锁相放大原理测试pF级电容的可靠性.利用该电容与铝基约瑟夫森结组成谐振器，制备了中心频率位于4.35 GHz的约瑟夫森参量放大器.在稀释制冷机中10 mK温度下测定直流偏置谐振器的磁通-频率相位图，拟合数据获得的电容值与室温测定电容值接近，表明在mK、GHz条件下工作的片上集成电容可在室温、kHz条件下测定其数值大小.     

平板电容作用力的扭摆测量方法

平板电容作用力的扭摆测量方法罗俊，范淑华（华中理工大学武汉４３００７４）平板电容两极板之间存在相互作用力是电磁学中为人们所熟悉的一个结论，从实验上直接观测电容作用力效应通常的办法是采用静电天平或电磁天平．本文提出平板电容作用力的扭摆测量方法．其实验设...