InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。     

GaxIn1—xP混晶的拉曼散射研究

本文报道了Ga_xIn_(1-x)P混晶的室温拉曼散射和X射线衍射的测试结果。所用的样品用MOCVD方法生长在<100>晶向的GaAs衬底上。混晶组分x值在0.54～0.95之间。实验结果表明,Ga_xIn_(1-x)P混晶的长波长光学声子谱呈现修正的双模行为,具有类GaP和类InP两个光学支。     

极化激元(polaritons)与拉曼散射

在给出介质中的光（电磁）波与极化波混合作用而得出的极化激元方程。极化激元色散方程之后又讨论了相应的物理意义及相关的物理问题；获得极化激元的实验方法。接着还介绍和讨论了极化激元的拉曼散射。     

极化激元(polaritons)与拉曼散射

在给出介质中的光 (电磁 )波与极化波混合作用而得出的极化激元方程、极化激元色散方程之后又讨论了相应的物理意义及相关的物理问题 ;获得极化激元的实验方法 ,接着还介绍和讨论了极化激元的拉曼散射。     

p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化

利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层厚度的增加而增大;当吸收层掺杂浓度不断上升时,器件暗电流不断降低,当掺杂浓度上升到2×1017/cm3时,暗电流达到最低值.本文还研究了p-i-n型探测器的瞬态响应,探究了响应速度与反偏电压之间的关系,发现提高反偏电压能减小探测器响应时间.     

In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性

通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低至1.43×10~(-8) F/cm~2.在1 310nm红外光照及30V反向偏置电压下,雪崩光电二极管器件的响应范围为50nW~20mW,响应度达到1.13A/W.得到了电荷层掺杂浓度、倍增区厚度结构参数与击穿电压和贯穿电压的关系:随着电荷层电荷密度的增加,器件贯穿电压线性增加,而击穿电压线性降低;电荷层电荷面密度为4.8×10~(12)cm~(-2)时,随着倍增层厚度的增加,贯穿电压线性增加,击穿电压增加.通过对器件结构优化,雪崩光电二极管探测器实现25V的贯穿电压和57V的击穿电压,且具有低暗电流和宽响应范围等特性.     

X-射线拉曼散射(XRS)

在讲述X-射线拉曼散射(谱)的基本原理, 实验设备及应用之前, 介绍了我国第四代光源(即第三代同步辐射光源)及其基本结构、特性, 这些是光物理研究中必备条件。此外, 与已有的元激发光谱作了比较; 最后还指出可能的发展方向。     

晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结电容散射机制

制备了晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.     

Hg1-xCdxTe的共振拉曼散射

当入射光的光子能量接近Hg_1-xCd_xTe的E₀+Δ₀时,发现了Hg_1-xCd_xTe的共振拉曼散射,观察到了“禁戒”共振增强拉曼散射,同时也观察到了二级共振拉曼散射.分析了非共振条件下能在样品的(100)面观察到微弱的“禁戒”TO₂模以及在共振条件下“禁戒”TO₂模大大增强的原因.通过分析,发现由双LO声子引起的二级共振拉曼散射主要     

GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究

理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2.6%到9%的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合,得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。     

Dark current simulation of InP/In0.53Ga0.47As/InP p-i-n photodiode

We report on 2D simulations of dark current for InP/In_0.53Ga_0.47aAs/InP p-i-n photodiode. Our simulation result is in good agreement with experiment confirming that generation-recombination effect is the dominant source of the dark current at low bias. Effects of the thickness and doping concentration of the absorption layer on the dark current are discussed in detail.     

Ultrafast carrier dynamics in In1−x Ga x As/InP heterostructures

We investigate carrier capture and carrier transport in the InGaAs/InP material system by luminescence spectroscopy with femtosecond time resolution. Comparative studies are performed on samples of different well width, barrier width and gallium mole fraction of the InGaAs layers. The investigations focus on excitation conditions that are comparable to those for semiconductor laser operation. Firm data on carrier dynamics are presented for these conditions. We find that the overall transfer rates of electrons and holes are similar and independent of well width. Furthermore, the transfer times show a linear dependence on barrier width. From experimental and model calculation results we derive some guidelines for the design of high-frequency laser devices.     

钛酸铅及掺杂体系纳米晶A_1对称性横光学声子模的特征

本文讨论了ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉ１－ｘ／４Ｏ３和Ｐｂ１－ｘＣａｘＴｉＯ３纳米晶拉曼散射中Ａ１（ＴＯ）声子峰的不规则线型和多峰劈裂现象。认为以简正振动坐标构成的非谐性双势阱势能函数和Ｍｏｒｓｅ势能函数的Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程的解与实验观测到的Ａ１（１ＴＯ）模式在高温下的劈裂峰特征比较一致。从能量角度解释了随ｃ／ａ下降,ωＡ１（ＴＯ）快速向低频移动的原因。     

InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结双极型晶体管的仿真与分析

运用Silvaco-TCAD软件构建了InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP双异质结双极型晶体管模型,研究了掺杂浓度、厚度以及温度对器件特性的影响.结果表明:双异质结双极型晶体管DHBT的开启电压能达到约0.4V,当浓度达到4×10^(19) cm^(-3)的时候,电流增益可以达到一个最佳状态,其峰值能达到约125左右,且浓度对截止频率以及最高振荡频率没有太大的影响;当增大基区厚度时,电流增益会减小,改变厚度能够使DHBT输出特性得以提升,并且提高基区电流的注入;双异质结双极型晶体管具有很好的温度稳定性.