新型铁电存储器件的原理及应用

铁电存储技术早在1921年就已经提出来了，但直到1993年，美国Ramtron国际公司才成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品。目前，所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，     

Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件

Ramtron发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口（I2C）的FM24V02和带有串行外设接口（SPI）的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V～3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读／写次数及低功耗等特点．是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256Kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品。     

MCU更佳的应用伴侣——FM31系列

FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列，包含4K-256K的铁电存储器，精度为＋2．17PPM的RTC，低电压复位，看门狗复位和低电压检测，8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。     

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存储器

Ramtron公司推出新型F-RAM系列中的首款产品FM25V10,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。FM25V10特点是快速访问、无延迟写入、1E14     

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器

Ramtron International Corporation宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16kb器件的型号为FM25P16,是业界功耗最低的非易失性存储器,为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品,其能耗仅为EEPROM器件的千分之一,并具有快速读／写特性和几乎无限次的耐用性。（来自Ramtron公司）     

Ramtron推出Versa Mix8051系列高集成度混合信号微控制器

世界顶尖的非易失性铁电半导体产品供应商Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051系列（VMX51C1xxx）混合信号微控制器，这是一种针对嵌入式数据采集市场的单芯片解决方案，可用于工业、医疗、消费电子、仪表和汽车市场等各种不同的信号调节、数据采集、处理和控制应用。Ramtron还同时提供Versa 8051系列（VRS51x1xxx/5xx），这是低成本、符合业界标准并以8051为基础的插入式MCU，     

2Mb串口非易失性F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2Mb高性能串口F—RAM器件FM25V20是Ramtron公司V系列F-RAM存储器中的一员。     

Ramtron:让铁电存储器“多、快、好、省”的技术优势发挥到极致

铁电存储器（F-RAM）产品在单一器件中综合了多种存储器技术,毋需电源也能够保存信息。铁电存储器最吸引的特点是写入速度快、读／写次数无限次、功耗极低以及20年的数据保存期等优势,其性能远远超过老式的非易失性存储器。     

高性能Flash/FRAM混合结构数据存储系统的设计及应用

针对某些大容量存储系统数据改写频繁及Flash存储器寿命有限的弊端,设计了一种Flash/ FRAM混合结构的高性能数据存储系统.提出了将Flash文件系统中的系统记录区、文件索引表以及改写频繁的实时数据放在FRAM中、而大批的历史数据则保存在Flash中的存储方案,并给出了系统结构及实现方法.实验表明,这种混合结构有效地提高了数据存储效率和存储可靠性.     

Ramtron扩展其F-RAM存储器产品

Ramtron FM24CL6464Kb串行F-RAM已通过认证,扩展了其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品,可在-40℃～＋85℃的Grade3汽车温度范围内使用。FM24CL64已设计用于高级汽车音频平台,其中F-RAM用于快速频繁地记录动态数据,并保持数据的完整性,即使突然发生掉电时亦可保存数据。FM24CL64具有无延迟写入能力、几乎无限的耐用性及低工作电流,     

Ramtron提供64Kbit串口F-RAM存储器样片

Ramtron宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器（F-RAM）产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位（Kb）、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次（1e12）的读/写循环,这相比同等EEPROM器件高出100万倍。     

Ramtron扩展F—RAMV产品系列新增汽车等级串口器件

Ramtron公司宣布其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位、高性能非易失性F-RAM存储器,在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

Ramtron携铁电存储器发力物联网应用

铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

世强电讯携Ramtron举办全国五大城市巡回研讨会

2008年6月底至7月初，世强电讯将携手瑞创国际（Romtron Internetionol），分别在全国五个大城市举办铁电存储器与MCU应用技术巡回研讨会，共同展示多个工业领域的铁电存储器和MCU应用解决方案，藉此拉开了在中国市场推广Ramtron铁电产品的帷幕。     

Ramtron增强管理团队

2011年4月20日,世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,任命萧颖担任客户满意度部门副总裁。在此新设立的职位上,萧颖负责Ramtron公司的     

Ramtron提供高速串口F-RAM器件样片

Ramtron宣布提供全新4Kb～64Kb串口非易失性铁电RAM（F-RAM）存储器的预认证样片．新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次（1e12）的读／写循环、低功耗和无延迟（NoDelay）写入特性。     

TD-LTE基站产品规划研究

TD-LTE基站是TD-LTE无线网络产品中的惟一网元,它具有高带宽、高峰均比、多射频通道、多天线的特点。这些特点对TD-LTE基站产品类型影响很大,并对TD-LTE基站产品设计和规划提出了挑战。本文基于TD-LTE的网络部署需求及基站实现水平,对TD-LTE基站产品规划中的关键问题进行研究,主要包括基站产品类型规划、软件功能规划、硬件规划等。     

Ramtron新型F-RAM Processor Companion集成温度补偿晶体振荡器

Ramtron宣布升级其瞄准大批量、基于处理器的电子系统市场的Processor Companion产品。新型Processor Companion（处理器伴侣）集成了带有温度补偿晶体振荡器（TCXO）的精密实时时钟（RTC）,256Kb非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）,以及一整套外设功能。