低能电子离化He原子的三重微分截面

在ＢＢＫ理论的基础上，考虑末态波函数中的动量相关效应对三重微分截面（ＴＤＣＳ）的影响，计算了共面双对称几何条件下电子离化Ｈｅ原子的三重微分截面．所得结果与其它理论计算进行比较发现：本文结果与最新绝对测量的实验数据在误差范围内完全符合． 关键词：     

中高能电子电离He原子的二重微分截面

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 ev的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.     

150 eV电子入射电离He原子三重微分截面的动量转移依赖

用BBK模型和DS3C模型在入射能150 eV对氦原子截面依赖动量转移几何条件下的三重微分散射截面(TDCS)进行了理论计算, 把计算结果与实验测量结果进行了比较, 对截面的结构进行了分析, 并对该几何条件下的交换效应进行了系统的研究.     

电子碰撞电离离子三重微分截面的计算

解决了包含四个合流超几何函数的数值积分问题,从而给出了计算电子碰撞电离离子三重微分截面的通用方法,适合于中、高入射能量下的各种几何条件。计算了对称和不对称几何条件下电子碰撞电离He⁺离子的三重微分截面,并与其它理论结果作了比较。     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.     

共面不对称条件下低能电子碰撞电离Ar(3p)的三重微分截面

采用修正的扭曲波玻恩近似方法, 在共面不对称几何条件下, 计算了能量为70.8 eV电子与Ar(3p)碰撞电离的(e, 2e)三重微分截面, 并与最新实验数据进行了比较. 结果表明电子交换效应和后碰撞相互作用在低能电子碰撞的(e, 2e)过程中起着重要作用. 关键词： (e,2e)三重微分截面 扭曲波玻恩近似 后碰撞相互作用 电子交换效应     

电子入射双电离He原子的理论研究

完成了高入射能(E05.6keV),低敲出能(E1=E2=10eV)情形下,电子入射双电离He原子五重微分截面(FDCS)的理论计算.计算中使用了三个电子在He+2离子场中的四体末态波函数.计算结果与其他理论结果进行比较发现:所得结果与最新的(e,3e)实验数据较好地一致.     

低能电子碰撞He+(e,2e)反应绝对三重微分截面的理论研究

利用Berakdar和Briggs对BBK波函数Sommerfeld参数的修正结果，即考虑第三个粒子存在对两个粒子间相互作用的影响，考虑了入射道的库仑相互作用及出射粒子的交换对称性，计算了在共面等能分配几何情况下低能电子碰撞He⁺(e,2e)反应绝对三重微分截面.结果表明，入射道库仑场对较低的入射能量及小的碰撞参数的三重微分截面影响较大. 关键词：     

用BBK方法计算电子离化He原子的三重微分截面

用ＢＢＫ方法计算了在共面双对称几何条件下电子离化Ｈｅ原子的三重微分截面（ＴＤＣＳ），并与扭曲波冲量近似结果进行比较，发现结果更接近实验数据。     

二重微分散射截面中非一阶效应的理论研究

利用一级玻恩近似理论及Brauner-Briggs-Klar (BBK)理论计算了不同能量入射条件下, 电子单电离氢原子(e, 2e)反应中的二重微分散射截面, 把计算结果与实验数据及其他理论结果进行了比较, 对BBK模型和考虑动力学屏蔽的BBK模型在二重微分截面 中的非一阶效应进行了详细的分析和探讨. 关键词： 一级玻恩近似 二重微分散射截面     

氢原子(e, 2e) 反应中二重微分截面的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型, 计算了入射能为15.6 eV, 17.6 eV, 25 eV, 40 eV的电子入射电离氢原子的二重微分散射截面. 本文把计算结果与测量的实验结果进行比较, 分析了截面的结构, 系统研究了交换效应对截面的贡献.     

电子碰撞激发氢原子和氦离子散射微分截面的计算

本文详细介绍计算电子碰撞激发散射截面的扭曲波玻恩近似（DWBA）理论模型,并对低能DWBA模型进行修正。利用修正的DWBA模型计算了电子碰撞激发氢原子和氦离子1s-2s 和1s-2p的散射微分截面。将关于氢原子由基态到n=2态的电子碰撞激发散射微分截面与绝对实验测量数据比较,发现二者符合得很好,这验证了我们对DWBA修正的正确性。本文工作为拟合强场诱导的氦原子非序列双电离关联电子动量谱提供了有效的理论方法。     

能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面

 用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm²的锆靶中的平均路径长度。     

能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面

用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm2的锆靶中的平均路径长度。     

Elastic differential cross sections of electron scattering by CF_4 at intermediate energies

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＣａｒｂｏｎｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｉｄｅ(ＣＦ4)ｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｍｏｓｔｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓｏｆｆｅｅｄｇａｓｍｉｘｔｕｒｅｓｅｍｐｌｏｙｅｄｆｏｒａｖａｒｉｅｔｙｏｆｐｌａｓｍａａｓｓｉｓｔｅｄｍａｔ...     

1KeV电子入射单电离氦原子三重微分散射截面的理论研究

用3C模型、DS3C模型对1KeV电子入射氦原子(e,2e)反应中的三重微分散射截面进行了计算,并将理论计算结果与实验数据进行了比较,研究了各种屏蔽效应对散射平面内以及垂直平面内三重微分散射截面的影响,并对三重微分散射截面变化规律进行了探讨.结果表明:各种屏蔽效应对散射平面内三重微分散射截面的贡献可以忽略;而在垂直平面内,这些效应对三重微分散射截面结构存在较强影响;另外,末态出射电子与靶核的相互作用直接影响散射平面内和垂直平面内截面的结构及其变化规律.