电子设备三防途径的探讨

本文提出并主张从优选材料,完善工艺的途径达到三防目的,不主张在材料中添加防霉剂,这样不但可以简化工艺,而且比较可靠。三防工作(措施)必须贯彻在产品设计之中,而不是在产品完成之后。三防工作范畴不单纯是一项工艺技术的实施而应涉及到综合性的技术管理;工艺防护技术只是其中一个重要环节。本文还列出一些典型材料在不同气候条件下的试验数据,并推荐一些优选材料。     

无油氨基桔纹漆的工艺及性能

一、引言八十年代以来,人机工程学在现代电子产品中的应用越来越迫切,其中很重要一点,就是要求产品外观的色调一定要适应现代人机工程学中的人机关系。由于氨基漆反光性太强,     

电子设备可靠性与三防

本文讨论了潮湿、霉菌和盐雾对电子设备的影响,并着重探讨防护的措施。     

无人机用印制电路板组装件三防涂覆工艺

介绍了采用Ｓ０１－３聚氨酯清漆对某型号舰载无人机用电子设备印制电路板组装件进行三防涂覆的实用工艺过程，比较了不同材料和工艺对印制电路板组装件三防性能的影响。     

金属材料的腐蚀与防护

本文论述了金属材料腐蚀的形态和基本原理，提出几种常见的防护措施。     

微波电路的基本特性和防护技术的发展趋势

从微波电路的特性分析展开，较为详细地论述了影响微波电路特性的几种因素，介绍了有关微波电路防护的工艺技术，提出了对于更高频段的微波电路防护的工艺技术途径。     

基于声表面波的TATP传感器设计

三过氧化三丙酮(TATP)是一种新型的液体炸药。由于TATP分子中不含硝基,传统的一些基于硝基特征检测的技术无法对其进行有效识别检测;而现有针对TATP的检测技术存在预处理繁琐,检测时间长,灵敏度低及需要特殊设备等缺陷,无法满足现场实时、快速检测的需要。该文提出了一种基于声表面波(SAW)技术、针对TATP检测的新型传感器,将高分子材料技术与SAW技术相结合,分别利用新型树枝状高分子敏感材料的高灵敏度和选择性,与SAW传感器高质量敏感性的优点,对TATP进行快速、可靠检测,从而为实现快速防护做好准备。结果表明,该传感器检测阈值最低可达0.5×10^-6,响应速度可达到秒级。     

一种基于Diameter协议和DRM的计费技术

网络计费作为网络5大功能之一,对于ISP以及与因特网互连的Intranet都必不可少.在研究现有网络计费系统的基础上,提出了基于版权的计费概念,阐明了DBM计费系统的基本工作原理,提出DRM系统分级计价模式和基于Diameter协议的数字认证计费.文中详细分析了Diameter协议的数据格式及其作用.给出了基于Diameter协议采用分级计价模式进行DRM计费的具体工作流程,最后指出了DRM计赍系统的发展方向.     

5G移动通信基站雷击影响及防护措施的研究

5G基站铁塔的雷电防护是确保移动通信接入网系统安全稳定运行的重要保障。雷击电磁脉冲屏蔽和冲击接地电阻是评价防雷装置“堵”和“疏”的主要指标。5G基站铁塔接闪直击雷,进而恶化了周围的电磁环境,干扰和影响通信基站系统以及周边电子设备,建议通信系统用户外机柜增加脉冲磁场抗扰度试验项目。此外,分析不同结构接地体的降阻效果,合理优化接地装置,使得雷电流更好地泄放大地,避免散流路径不均匀。因此必须重视提升5G移动通信基站的雷电防护能力。     

原子层沉积技术制备金属材料的进展与挑战

原子层沉积(ALD)技术是一种三维共形沉积金属薄膜或金属纳米结构的有效手段。简要介绍了ALD技术的基本原理和特点,着重阐述和比较了ALD生长贵金属、过渡金属和活泼金属的不同工艺条件、化学过程和反应生长机理,如贵金属的燃烧反应与成核孕育期、过渡金属铜互连的前驱体与表面平整性以及活泼金属的能量辅助沉积,探讨了前驱体、成核等对金属沉积和质量的重要影响,说明了原位监控手段在生长中的作用。最后简述了ALD沉积金属面临的瓶颈,由于一些重要金属前驱体的匮乏,新的反应路径和生长机理亟待发现,并展望了其未来发展和应用前景。     

国外电子政务的现状及我国电子政务的发展

电子政务是各国政府办公的一大趋势,各国政府都在着手建设本国的电子政务,新加坡、韩国、美国等国家在电子政务方面处于全球领先的地位。文章探讨这些国家关于电子政务的各项举措,得出一些在建设电子政务方面的经验,并指出我国在电子政务发展中需要加强的五个方面。     

大气激光通信机的光学模型和物理实现研究

将光学理论应用到大气激光通信机设计中,提炼出大气激光通信机的发射和探测过程的光学理论模型,提炼推证了半导体激光器远场发射、准直发射和接收透镜探测损耗的公式,提炼推证了准直激光焦面探测爱里斑公式及对应的质心运算和质心评价公式。设计了和上述推证相关的光学天线和分光镜等。设计了光学天线分辨率、CCD捕获分辨率、通信分辨率、伺服系统分辨率等和系统精度相关的参数。     

基于GPS的星地激光通信捕获对准研究

提出了基于GPS坐标解算实现星地激光通信捕获、跟踪和对准(ATP)初始捕获的方法。星地激光通信信标光跟踪系统通过对地面GPS坐标和卫星坐标的解算,得到地面光学天线的方位角和俯仰角,光学天线根据角度旋转对准信标光,从而将信标光引入粗跟踪CCD的视场。给出了GPS坐标解算算法和信标光方向角度随卫星坐标变化的仿真曲线。用二维电机进行了地面转台的捕获实验,对实验数据进行了捕获精度的分析,结果表明,通过GPS坐标解算能够快速地实现信标光的初始捕获。     

基于前馈补偿的空间光通信精跟踪控制研究

针对空间光通信精跟踪系统存在非线性、时延滞后的特性而难于建立精确的数学模型,设计了基于前馈补偿的模糊比例、积分和微分(PID)控制系统。采用camera-link接口的高帧频可开窗口CMOS相机和大规模FPGA芯片,设计了精跟踪处理控制平台。将图像处理、前馈补偿和模糊PID控制等功能全部集成在FPGA芯片内部,大大降低了系统体积和成本;将模糊PID与前馈补偿相结合,极大提高了系统的控制精度和抑制外部干扰的能力。测试结果表明,该系统稳定精度高、抗干扰能力强。     

OSA--软件和通信两大信息产业之间的桥梁

OSA(开放业务体系结构)定义了一种3G领域的体系结构,这种体系结构将电信网络的能力开放出来,使得营运商和第三方业务开发方能够通过一个标准的OSAAPI(应用编程接口),使用电信网络的能力,灵活快捷的开发出新的电信增值业务。以前,由于软件开发人员对电信领域知识的匮乏,很难涉足电信业务的开发。OSA的出现,屏蔽了网络的复杂性,使得软件业进军电信领域成为可能。     

基于RDU-PCNN和NSST的红外和可见图像融合算法

针对可见光和红外图像的融合容易出现块状噪声 、边缘有振铃现象等不足,提出了一种基于区 域双通道脉冲耦合神经网络(RDU-PCNN)和非下采样剪切波变换(NSST)的红外和见光图像融 合算法。首先 对待融合的可见光和红外图像进行NSST分解得到低频系数和高频方向系数,低频系数采用R DU-PCNN的 规则融合,高频方向系数采用离散余弦变换(DCT)的融合规则,对融合后的系数进行逆NSST ,从而得到融合后 的图像。仿真结果表明,与其他5种目前流行或者较为先进的算法相比,本文的算法在视觉 和客观评价指标上优于其他算法。     

ATMP对晶圆中TSV结构Ta基阻挡层的Ta和Cu去除速率选择比的影响

为了提高晶圆中硅通孔(TSV)阻挡层材料化学机械抛光(CMP)中Ta和Cu的去除速率选择比,在工作压力为3 psi(1 psi=6895 Pa)、抛光头转速为87 r/min、抛光盘转速为93 r/min、抛光液体积流量为300 m L/min的条件下,研究了氨基三甲叉膦酸(ATMP)作为络合剂对Ta和Cu的去除速率以及去除速率选择比的影响。通过电化学方法探究了ATMP对Ta和Cu的络合机制,利用原子力显微镜对比了抛光前后的表面质量。研究结果显示:在ATMP质量分数为1.5%时,Ta和Cu的去除速率分别为157.96和58.6 nm/min,验证了ATMP对提高Ta和Cu的去除速率选择比具有明显效果,Ta和Cu抛光前后的表面粗糙度分别由4.2 nm降低至0.284 nm以及由1.31 nm降低至0.51 nm,表面质量得到明显改善,证明了ATMP适合用于TSV晶圆阻挡层材料抛光。     

天线频选罩的隐身特性研究

针对在军工装备上日益重要的雷达天线频率选择表面(frequency selective surface, FSS), 分析了FSS雷达散射截面积(radar cross-section, RCS)的特征, 以及和金属表面RCS的区别, 并澄清了产生这种差异的内部机理, 为改善FSS天线罩以及类似腔体的RCS提供了理论指导和解决问题的思路和方法.首先从理论上分析了覆盖频选表面的雷达腔RCS的产生机理, 然后用全波严格仿真算法计算了不同雷达腔RCS的数据, 并结合内部场图认证了前面的理论分析结论.理论和仿真分析表明, 频选带外的高反射特性并非像金属表面那样完全反射电磁信号, 必须考虑频选天线罩的透射和罩内的腔体效应导致的电磁波能量聚集和二次辐射, 这些因素对覆盖频选雷达腔体的RCS产生很大的影响.最后, 提出了一种利用吸波材料减少腔体谐振效应和能量汇聚从而改善频选罩RCS的方法, 取得了良好的效果, 在大部分频段, 该方法使RCS改善达10 dB以上.     

聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO2和Si3N4去除速率选择比的影响

在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si₃N₄去除速率,以及相对较高的SiO₂去除速率,并且要达到SiO₂与Si₃N₄的去除速率选择比大于30的要求。在CeO₂磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO₂与Si₃N₄去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO₂与Si₃N₄去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO₂与Si₃N₄的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^-6时,SiO₂和Si₃N₄的去除速率分别为185.4 nm/min和...     

腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响

对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响.结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质.将两种转移到SiO2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管(GFET),并在室温下对其进行了电学性能测试.测试结果表明,相对于FeCl3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0V左右,载流子迁移率从823 cm2/(V·s)提升到了1 324 cm2/(V·s).因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越.