从高能物理学的发展看北京正、负电子对撞机

北京正、负电子对撞机是我国第一个高能物理实验基地。它的能区适合于粲粒子物理的深入研究。本文从目前国际高能物理学的进展展望了北京正、负电子对撞机进行物理研究的可能前景。指出北京正、负电子对撞机做出有国际影响的物理工作有三个必要条件：加速器的高亮度、谱仪的高探测效率、很高的数据处理能力。此外，还介绍了北京正、负电子对撞机可作为同步辐射装置用于科学技术的研究和发展。     

高空高能电子

本文介绍了苏联高空高能正、负电子研究进展．宇宙站的测量表明，巴西磁场异常带的正、负电子流强度比地球赤道区高出约１０倍，高能正、负电于是地球辐射带的重要成分．接近宇宙空间的高能正、负电子源的形成机制可能分为两个过程：首先是高能质于同剩余大气的构成物相互作用而产生π±介子，π±介子衰变而产生正、负电子，然后是不同类型的次级粒子的加速过程．在轨道宇宙对接体上的实验结果支持了高能正、负电了源形成机制的假设。     

沟道辐射中一些现象的理论分析

本文用W、K、B方法求解了相对论沟道负电子、正电子波动方程; 采用Moliére沟道势, 得到了与实验结果符合的负电子平面沟道辐射频谱; 预言了相对论正电子沟道辐射的多频谱现象; 解释了正电子平面沟道辐射的单峰实验结果. 并用微扰论求得了沟道粒子更为精确的波函数, 得到了沟道辐射的选择定则, 计算了负电子沟道辐射负电子沟道辐射谱线的相对强度. 还讨论了超相对论正、负电子沟道辐射频谱的退后量子效应.     

正、负电子被原子散射的光学势方法──e~±－Na散射总截面的计算

将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算，提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法，计算了低能（≤５０ｅＶ）正、负电子被Ｎａ散射的总截面并与实验结果进行了比较。     

正,负电子被原子散射的光学势方法—e^±—Na散射总截面的计算

将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算，提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法，计算了低能（≤５０ｅＶ）正、负电子被Ｎａ散射的总截面并与实验结果进行了比较。     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

冷阴极综述

无论从那个角度来说,冷阴极都是吸引人的。国外研究的冷阴极,其种类虽多,但概括起来主要有三种类型:注入式负电子亲和势冷阴极、光电子学冷阴极、薄膜场发射冷阴极。一、注入式负电子亲和势冷阴极其中,最有希望的注入式冷阴极有硅冷阴极、GaP冷阴极和GaAsP冷阴极。下面着重介绍硅冷阴极。     

用蒸发法制备负电子亲和势光电阴极

用蒸发法制备负电子亲和势光电阴极,探讨了两个可能性:1)改进现有多碱阴极的工艺规范,制备负电子亲和势光电阴极;2)用蒸发法制备Ⅲ-Ⅴ族负电子亲和势光电阴极。     

强耦合QED相的非拓扑孤子模型和正、负电子对凝聚

在强耦合QED相的非拓扑孤子模型中,讨论了电子动力学质量的生成机制,得到了产生正、负电子对凝聚的临界耦合常数g_crit和临界核电荷数Z_crit,定性地解释了反常e⁺e^－峰的性质.结果表明,正、负电子对凝聚在QED强耦合相中起着重要作用.     

负电子亲和势光电阴极

负电子亲和势光电阴极是于1965年研制成功的新型光电阴极,它一问世就成为光电发射的主要研究对象,并在该领域引起一场深刻的革命.目前,它已在微光摄像与变像、红外测量、宇宙探测、激光通讯与测距、军事器械、光子计数等方面得到广泛的应用.下面作一简单介绍. 一、负电子亲和势光电阴极的基本原理 在光电阴极中,如果真空能级E0低于阴极体内导带底能级Ec,Eef=E0-Ec<0,即有效电子亲和势为负,则称这种阴极为负电子亲和势(NEA)光电阴极,如图1所示.图中EF为费米能级,Ev为价带顶能级,Eg=Ec-Ev为禁带宽度,xs为阴极激活层. 当能量为hv(hv>Eg)…     

国外微光象增强器的现状与发展

<正> 一、前言象增强器主要作用是将微弱模糊的象增强为明亮清晰的可见象。从象增强器本身看,现已发展了三代产品:第一代——采用纤维光学面板的级联式象增强器;第二代——采用微通道板(MCP)的象增强器,第三代——采用负电子亲和势(NEA)光电阴极的象增强器。     

液化石油气粒子探测器

我们首次用液化石油气制成粒子探测器. 它工作在SQS方式. 如果把它作为探测器单元之一应用于正、负电子对撞机谱仪或其他高能谱仪, 可大幅度降低造价和运行费用. 它还可以用于低能核技术、保健物理、环境保护等领域.     

均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极性能对比研究

高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素.针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同.实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺...     

高能粒子加速器

本文介绍了近十年来已在运行、正在建造和计划建造的高能加速器，包括正、负电子对撞机，质子－反质子对撞机，电子－质子对撞机，Ｋ工厂，高能重离子加速器和重离子对撞机等．介绍了它们的工作原理、主要参数、布局和性能等．     

一种有发展前途的光电发射体——场辅助转移电子光电阴极

本文介绍一种很有发展前途的负电子亲和势光电发射体——场辅助转移电子光电阴极,其长波阈可达2.1微米。它是一种多层结构,表面具有Cs-O激活的银膜,工作时施加以反向偏置电压的异质结光电发射体。     

用光电子能谱确定(Cs—O)激活GaAs(110)表面的结构

一、前言负电子亲和势(NEA)材料的发现是光电发射材料领域中一项开拓性进展。尔后,人们对比GaAs带隙更窄的其它Ⅲ-V族半导体进行了更为广泛的研究,旨在获得NEA状态,为一些工作在1μm或更高波段的红外系统选择高效率光电阴极推动了研究工     

BES取得J/衰变事例

 今年六月,从高能物理所传来了一个鼓舞人心的好消息,北京谱仪(BES)上记录到了正电子和负电子对撞产生的J/(?)粒子的衰变产物.当正电子和负电子的总能量被扫描到3.097GeV时,反应产物剧增,在显示屏上观察到了大量的J/(?)衰变产生的强子事件.在这个能量附近形成了一个很锐的产额峰.J/(?)粒子是15年前美国麻省理工学院丁肇中教授领导的实验组和美国斯坦福直线加速器中心里克特教授领导的实验组分别发现的.     

国外微光夜视技术的新进展

一、前言微光夜视技术已发展了三代产品。六十年代发展第一代,采用光纤面板耦合的三级级联式象增强器;七十年代发展第二代,采用微通道板(MCP)的象增强器。目前发展的第三代是采用负电子亲和势(NEA)光电阴极的象增强器(其一、二代都采用多碱光电阴极)。     

多晶磷化镓次级发射体──GaP:Cs

一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它的次级电子发射系数高,而且随一次电子能量的增加而上升.当一次电子能量为600eV时,多晶CaP:Cs的次级电子发射系数已达30,国外报道是20—50.普通合金     

玻璃衬底NEA GaAs透射式光电阴极的XPS定量表面化学分析和瞬态响应时间的直接测量

在一个商业超高真空装置中,对以玻璃为衬底并附有 Ga_xAl_1As 过渡层的半透明 GaAs 膜进行激活,获得了负电子亲和势(NEA)特性。在激活前后对光电阴极进行了定量表面分析,结果表明:Cs-O 表面层的化学计量是准确的 Cs_2O,其厚度约为1.3nm。通过测量阴极的光电子能带分布(EDC),首次证实了在负电子亲和势工作状态下,整个光电灵敏区域中热化电子的分布都很窄,并且几乎与波长无关。使用一架专用的超高真空可拆卸同步条纹相机测量了一些 NEA 阴极的响应时间,其典型值约8Ps。在中等瞬时分辩率的条纹相机中可考虑使用 GaAs NEA 光电阴极。这种相机工作于技术领域中重要的1.3～1.55μm 光谱波段。