微光器件铟封漏气因素分析

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%。     

新型微光成像器件及应用

采用全固态微光成像器件是未来微光成像的发展趋势。介绍了2种全固态微光器件 EMCCD、InxGa1－xAs,分析了其成像性能,描述了其研究现状,对比了传统的真空光电成像与全固态微光成像性能指标,阐明了微光成像器件向着高灵敏度、低噪声、宽光谱响应和强适应能力方向发展。     

微光CCD成像器件性能比较研究

首先回顾微光成像技术的发展,然后介绍了各类固体微光成像器件,比较各自的灵敏度,分析计算极低微光条件下的探测能力.结果表明,EMCCD更适合于低微光下目标的探测.     

二代微光成像器件阴极材料放气成分分析

用四极滤质器对光电阴极碱源材料放气成分进行质谱分析，给出了分析结果，并对所放出有害气体给制备光电阴极带来的影响进行了讨论。     

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。     

基于成像对比度的微光装备侦察能力研究

针对现有的微光视距模型中变量参数多,难以适用实际复杂夜天环境中目标侦察能力预测的问题,本文根据Ross方程,大气光学传输和远距离侦察图像对比度模型,提出了采用标准靶对比度测试对特定目标侦察能力进行预测的方法,在特定夜天光环境下完成了标准靶对比度曲线测量,并基于最小可分辨对比度(minimum resolvable co...     

基于CMOS图像传感器的微光成像系统信噪比研究

信噪比是微光成像系统的关键参数,决定了成像系统的性能与成像质量。给出了互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）图像传感器微光成像系统的信噪比模型,仿真计算了系统的信噪比与信号、噪声的关系。搭建了信噪比测试环境,完成了系统信噪比测试实验。实验结果表明,理论值与实测值一致。最后,根据信噪比分析结果对给定系统进行了参数优化。计算结果显示,优化后的系统在1 mLux照度下,信噪比能达到4.5。信噪比的研究为基于CMOS微光成像系统的总体设计与优化提供了理论依据。     

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究

依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。     

硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及其成像研究

太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2K温度条件下,3.8V工作偏压时,探测器峰值响应率可达55A/W,响应频段覆盖6.7～60THz.此外,搭建了一套两维扫描成像系统,实现了高分辨率被动成像.实验结果表明,成像系统空间分辨率可达400μm、温度分辨率约为7.5mK.     

三代微光像增强器制管工艺对阴极光电发射性能的影响

针对三代微光像增强器阴极激活灵敏度低的问题,运用分析仪器对组件进入激活系统前后的过程质量进行在线追综监测,分清了工艺质量对制备阴极灵敏度的影响,经改进工艺,试制出性能合格的三代微光像增强器.     

三代微光像增强器亮度增益对像质影响的分析

为研究三代微光像增强器亮度增益对像质的影响,提出对不同增益条件下荧光屏输出图像的像质进行对比分析,以提高三代微光像增强器的成像质量。首先,在三代微光像增强器的理论基础上,论证了亮度增益会直接影响像增强器的成像质量。然后,通过图像质量评价的两个重要参数信噪比和分辨力,建立像质评价系统并搭建实验装置。最后,通过实验结果表明,在无月夜天光照度条件下,当亮度增益取得最佳值时,输出图像在视场明亮清晰的同时分辨力由32 lp/mm提升至40.3 lp/mm。证明该研究对夜间环境中,如何通过合理设置亮度增益值使微光夜视仪获得最佳成像质量具有指导意义。     

微光像增强器信噪比校正测试方法研究

信噪比是衡量微光像增强器的一个重要参数,它直接影响了微光整机的性能,因此,对像增强器的信噪比测试技术的研究具有重要意义.本文提出了一种微光像增强器信噪比校准测试方法,将经上一级计量机构校准过信噪比的像增强器作为校准管,通过校准管传递的方式,对微光像增强器信噪比测试设备进行校准测试,本文通过对此种方法的可行性以及产生误差进行分析,对3只像管5次测试的相对误差都在2％以内,测试结果更加精准,为微光像增强器的理论研究提供更加精确的数据支持.     

基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究

为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。     

基于自动门控电源的微光像增强器局部强光防护

自动门控电源作为微光像增强器的能量来源,其局部强光防护方法研究对完善自动门控电源控制策略、提升微光像增强器强光使用性能具有重要意义。分析了匹配传统直流高压电源与自动门控电源的微光像增强器大动态照度范围应用的优劣势,提出了一种能够使微光像增强器兼具高照度应用和低照度局部强光防护能力的自动门控电源设计思路,并给出了自动门控电源电路的控制策略实现方法。     

一台国外引进微光管制备真空设备超高真空获得的技术改进

介绍了国外引进微光管超高真空设备的系统结构、组成、设备功能及关键技术指标,得出了超高真空获得技术改进取得的结果,并对设备在国内的应用前景作了全面分析。     

空心阴极激光器参量特性的研究

本文对Ｈｅ－Ｃｕ空心阴极激光器的参量特性进行了研究，测量了激光输出功率与放电电流、Ｈｅ－Ｎｅ混合气压之间的变化关系曲线，测得空心阴极放电管的电子温度为２￣３ｅｖ，明显高于正常辉光放电正柱区中电子温度的数值。     

CMOS-Based Active Pixel for Low-Light-Level Detection: Analysis and Measurements

An analysis of the active pixel sensor (APS), considering the doping profiles of the photodiode in an APS fabricated in a 0.18 mum standard CMOS technology, is presented. A simple and accurate model for the junction capacitance of the photodiode is proposed. An analytic expression for the output voltage of the APS obtained with this capacitance model is in good agreement with measurements and is more accurate than the models used previously. A different mode of operation for the APS based on the dc level of the output is suggested. This new mode has better low-light-level sensitivity than the conventional APS operating mode, and it has a slower temporal response to the change of the incident light power. At 1 muW/cm² and lower levels of light, the measured signal-to-noise ratio (SNR) of this new mode is more than 10 dB higher than the SNR of previously reported APS circuits. Also, with an output SNR of about 10 dB, the proposed dc level is capable of detecting light powers as low as 20 nW/cm², which is about 30 times lower than the light power detected in recent reports by other groups.     

冷阴极撬棒管在微波管电源中的应用

介绍了用于连续波微波管测试和脉冲调制器中冷阴极撬棒管的工作原理，它能在极短时间内释放储能电容上的能量，保护行波管或多注速调管的安全工作，还给出了用脉冲变压器触发和自触发形式的两种基本电路。     

微光ICCD信噪比测试技术研究

为了精确测量在低照度环境下微光ICCD的信噪比值,为其性能评价提供参考,基于Lab VIEW软件平台和NI采集系统设计了一套微光ICCD信噪比测试系统,实现了微光ICCD多视频格式图像采集、信噪比计算以及实验结果记录等功能.利用该系统对PAL制模拟相机和camera link数字相机进行了对比测试,结果表明在10-5 lx～10-4 lx环境照度下,微光ICCD的信噪比值随照度增大而增加,且PAL制相机的信噪比值增大明显而camera link相机信噪比值增大较为平缓;同一照度4.66×10-4 lx测试条件下,信噪比的均方差范围在1.65％～2.3％,均小于5％,验证了该测试系统的稳定性和准确性.