首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
本文根据经典均匀成核理论,分别研究了硝酸酸沉和盐酸酸沉制备的四钼酸铵过饱和溶液的成核过程,并讨论了过饱和比和温度对成核速率及成核机制的影响.研究结果表明,无论是硝酸酸沉还是盐酸酸沉,四钼酸铵过饱和溶液的成核速率均随过饱和比和温度的升高而增大;固液界面张力、临界半径及临界成核自由能均随温度的升高而减小.比较硝酸酸沉和盐酸酸沉四钼酸铵过饱和溶液的成核速率,发现后者的成核速率比前者大.  相似文献   

2.
测定了25℃下,添加不同浓度的EDTA后,不同过饱和比下ZTS溶液的诱导期,研究了掺杂浓度及过饱和比对ZTS溶液成核的影响.研究显示,当溶液处于较高过饱和比时(S>1.13),均匀成核占主导;而在较低过饱和比时(S< 1.11),则以非均匀成核为主.利用经典成核理论对实验所得数据进行分析,计算得到了界面张力、临界核形成功、临界核半径等成核特性,发现了溶液过饱和比及掺杂浓度对成核速度的影响,解释了添加EDTA能提高溶液稳定性的原因.利用界面张力的值计算得到了表面熵因子.  相似文献   

3.
电光晶体硒酸氢铷过饱和溶液的成核研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
本文对硒酸氢铷(RbHSeO4,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究.通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据.  相似文献   

4.
利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对GaN外延薄膜晶体质量的影响.结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的GaN外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度.过低或过高的成核温度都会导致GaN外延层的晶体质量和光电性能变差.  相似文献   

5.
利用全程摄像的方法测定了不同情况下ADP过饱和溶液的诱导期,研究了不同pH值、不同温度的ADP过饱和溶液的成核过程,讨论了pH值、温度和过饱和度S等因素对诱导期的影响.结果表明:改变pH值后,在同一过饱和度下,溶液的稳定性在不同温度间差异较小,更利于晶体在较高的温度下稳定快速的生长;改变pH值后,溶液在整个过饱和度范围内更趋向于均匀成核.根据经典均匀成核理论,针对ADP溶液均匀成核的状况计算出了不同pH值和温度下的固-液界面张力、临界成核功等成核参数,并从上述参数的相互比较中得到了改变pH值后溶液稳定性变强的微观原因.最后通过对表面熵因子的计算,确定了ADP晶体的微观生长机制为连续生长模式.  相似文献   

6.
采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2).结合激光晶化机理进行定量计算.结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势垒大小约为1.4×10-9 mJ.  相似文献   

7.
C60膜上金刚石的成核与生长形貌研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了HFCVD系统中覆盖有C60膜的Si(100)衬底上金刚石的成核与形貌特征.结果表明,C60能大幅度提高金刚石成核密度;C60氢化预处理能大幅度促进金刚石成核,但要合理控制CH4的浓度和预处理时间;随衬底温度的升高,金刚石晶粒由球状变为菜花状聚晶.  相似文献   

8.
张伟  高军 《人工晶体学报》1999,28(3):275-278
本文采用燃烧焰法观察金刚石薄膜的成核生长过程.分析了衬底表面刻划及油污处理等因素对金刚石成核的影响.观察到成核初期的金刚石不具有明显晶形,含有较高的石墨相.XRD谱表明:成核初期衬底表面形成非金刚石结构的过渡层.并提出了控制成核密度提高沉积质量的思想.  相似文献   

9.
6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量.根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区.平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差.依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因.根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差.最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路.  相似文献   

10.
不同衬底材料上金刚石薄膜成核特点的研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
研究了金刚石薄膜在WC-6;Co硬质合金、金属W和单晶Si片上的成核特点.实验结果表明,金刚石薄膜在上述衬底材料上的成核特点和成核机制不同.用于衬底研磨预处理的金刚石微粉粒度对金刚石在单晶Si片上的成核密度有较大影响,而对在WC-6;Co硬质合金和金属W上的成核密度没有太大影响.  相似文献   

11.
本文研究了马来酸氢十六酯(HHM)在以甲苯为溶剂的过饱和溶液中的成核过程.测定了以诱导时间表示的成核速率.用经典的成核理论计算了固-液表面张力、成核自由能和临界成核半径.指出HHM晶体在甲苯为溶剂的过饱和溶液中的成核速率随着温度和过饱和比的提高而增大.溶剂的性质也将改变成核速率的大小.  相似文献   

12.
13.
采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能.研究结果表明随着形核速率的增加,GaN形核层更倾向于三维生长模式;当形核速率达到1.92(A)/s时退火后生成尺寸为100 nm宽、32 nm高的均匀形核岛,随后生长的未掺杂GaN外延薄膜层的螺型和刃型位错密度以及黄带峰强度达到最小值,并且其具有最高的载流子迁移率和最低的载流子浓度.  相似文献   

14.
Enhancement of the metastable zone width in ammonium dihydrogen ortho phosphate (ADP) was achieved by the addition of the organic compound Urea to ADP solution. The metastable zone width studies were carried out for various temperature cooling rates and the nucleation parameters are studied. The induction period was studied and the critical nucleation parameters calculated based on classical theory for homogeneous nucleation are discussed. The critical nucleation parameters increase with the increase in concentration of doping.  相似文献   

15.
The article describes the effect of degree of supersaturation, σ, on the crystallization of specific polymorphs of phenylbutazone from its methanolic solution at 20 °C. At low initial supersaturation, σ ≤ 2.0, the fraction of the metastable α polymorph in the crystallized product exceeds that of the δ polymorph, while at σ ≥ 5.0, the fraction of the stable δ polymorph increases in the crystallized product. The results are explained by the effect of supersaturation on the relative rates of nucleation and crystal growth of the polymorphs. Furthermore, the mechanism of nucleation and crystal growth also change with supersaturation. Supersaturated methanolic solutions of phenylbutazone exhibit a critical temperature at which the nucleation rates of the polymorphs decrease drastically. This effect is partly explained by the decreased mobility of phenylbutazone molecules at lower temperatures. Nucleation is most rapid when the crystallization temperature is close to the transition temperature, Tt(α ⟷ δ), between the polymorphs, α and δ. The nucleation rate decreases as the temperature difference between Tt(α ⟷ δ) and the crystallization temperature increases. (© 2005 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)  相似文献   

16.
The nucleation parameters, such as radius of the critical nucleus and critical free energy change have been evaluated for LAP single crystals. The interfacial tension determined by conducting the induction period measurements has been used for the evaluation of nucleation parameters. The determined interfacial tension is found to be comparable with theoretical literature values.  相似文献   

17.
采用恒速冷却法首次制得了不同比例的Kx(NH4)1-xNO3(0相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号