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半导体激光泵浦的Nd:YVO4激光器的1.064μmy高效率连续输出 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了半导体激光端面泵浦的Nd:YVO4激光器获得线偏振的1.064μm激光高效率连续稳定输出,在半导体激光功率为1.5W时,获得连续输出功率为837mW的TEM00模,激光器泵浦阈值功率为140mW,斜率效率达61.5%,光-光转换效率达56%,电-光转换效率达15%。 相似文献
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弱耦合光纤光栅外腔半导体激光器 总被引:2,自引:0,他引:2
报道作者对单频窄宽光纤光栅外腔半导体激光器的一些研究结果。理论上分析了外腔的引入对激光器的阈值增益和光谱线宽的影响,实验上用自行研制的光纤布拉格反射滤波器(FBR)与普通多纵模半导体激光耦合,在1.55μm波段,得到边模抑制比大于25dB,线宽小于60kHz的激光输出。 相似文献
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激光二极管泵浦NYAB激光器的空间分布速率方程的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了用以描述激光二极管泵浦NYAB连续激光顺空间分布特性的非线性耦合的速率方程组,和以此方程组进行的理论计算,讨论了泵浦光和激光的空间分布、晶体的最佳长度、输出镜的最佳透过率对激光器输出的影响,给出了NYAB激光器设计的一些依据。 相似文献
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人类社会正处在世纪之交的转变年代.20世纪是科学技术突飞猛进的100年,原子能、半导体、激光和电子计算机成为20世纪的四大发明创造.可以看出,后三大发明是紧密相关的.激光器可以有气体激光器、半导体激光器和其他固体激光器等.其中半导体激光器是用半导体材料制作的.而组装电子计算机的芯片也是半导体集成电路.所以,可以说激光和电子计算机都是以半导体材料作为基础的.计算机和激光技术都是信息技术的重要支撑技术.因此,半导体材料技术在信息技术,以至于整个高技术领域有着举足轻重的作用.可以说半导体技术是人类进入… 相似文献
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1.3μm注入锁定半导体激光器及其远场特性 总被引:2,自引:1,他引:1
报道了利用1.3μm分布反馈(DFB)半导体激光器注入锁定普通半导体激光器后的模式及其远场分布特性实验。在不加隔离器和主被协激光器偏振方向相互垂直的情况下,获得了静态和动态单纵模运转,并观察和测量了普通半导体激光器注入锁定前后输出光的远场分布,最后对实验结果进行了讨论。 相似文献
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首次实现了LK泵浦Nd∶BGO固体激光器的1.064μm的激光输出,泵浦阈值功率为25mW,在连续运转状态下得到最大为40mW的TEM00模输出,光-光效率为13.3%,根据法拉第磁光效庆理论,了LD泵浦Nd∶BGO自调Q激光器的各种参数,并研制成该激光器,在该器件中,作为损耗调制元件的磁光调制器就是绕有线圈的Nd∶BGO晶体本身,实验在重复率为1KHz的条件下得到了FWHM为100ns的稳定脉冲 相似文献
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半导体激光泵浦Nd:YVO4激光器的1.34μm输出特性 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了半导体激光泵浦Nd:YVO4激光器在1.34μm的输出特性,当入射的泵浦光功率为515mW时,最大1.34μm激光输出功率达157mW,光-光转换效率为30.5%,研究了激光器的纵模特性及弛豫噪声与泵浦功率的关系,发现不同的纵模具有各自不同的弛豫振荡频率。 相似文献
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原子激光器研究的最新结果 总被引:1,自引:0,他引:1
1995年,在捕获原子的稀薄气体中玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的实现,表明宏观数量的玻色粒子处在了单一的量子能态,宏观气体可以用单个波函数来描述.和激光腔中单一模式对光子的储存相类似,BEC可看作被宏观布居的样品原子所占有的量子态.在激光中,用部分反射镜将相干光子束耦合出激光腔形成了激光,对应地,美国MIT小组在1997年用射频耦合方式将原子从BEC中输出,实现了原子激光器.这种激光器输出的是空间分布呈月牙形的原子脉冲,并且,在两团BEC原子下落的相互重叠区用吸收成像法清楚地观测到了高反衬度的干… 相似文献
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化学氧碘激光器光腔中碘分子浓度的测量 总被引:1,自引:1,他引:0
依据Beer定律,采用双光路法,利用Ar ̄+激光器的488nm线作为探测激光,对化学氧碘激光器光腔中的碘分子浓度进行了瞬时测量,详细地研究了化学氧碘激光器重要部件之一,激活介质的给体-腆池的工作性能对其他工作参数的依赖关系,并估计了kw级化学氧碘激光器的最佳氧碘配比约为90:1. 相似文献
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美国Burleigh仪器公司的激光波长测量和光谱分析技术激光波长测量和光谱分析Burlei吵在实用干涉测量技术方面20多年来一直处于领先地位,它研制出分析各种连续波和脉冲激光器光谱特性的种种仪器。激光波长计:您可以获得绝对、连续和实时激光波长结构的唯... 相似文献
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高功率半导体激光器是固体激光器和光纤激光器的主要泵浦源。激光泵浦源性能的大幅提升直接促进了固体激光器、光纤激光器等激光器的发展。主要介绍了8xx nm和9xx nm系列半导体激光泵浦源的最新研究进展,8xx nm单管输出功率已达18.8 W@95μm,巴条输出功率已达1.8 kW(QCW),9xx nm单管输出功率已达35 W@100μm,巴条输出功率已达1.98 kW(QCW)。谱宽<1 nm的窄谱宽半导体激光器输出功率可达14 W。展望了未来半导体激光器泵浦源的发展趋势。 相似文献
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采用溶胶-凝胶技术技术合成了掺杂近紫外波段激光染料BPBD-365的SiO2基因体材料,用波长为308nm的XeCl激光器件泵浦源,横向泵浦获得了峰值波长为364nm的激光输出。在泵浦光能量为10mJ时激光输出达到0.20mJ,转换效率为2.0%。 相似文献
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激光二极管抽运(Tm,Ho):YLF微片激光器的实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
从理论上分析了准三能级(Tm,Ho):YLF晶体的增益与温度关系,晶体温度的降低和长度的缩短有利于减小重吸收损耗对激光器运行性能的影响。在室温条件下,用2.7w波长为792nm激光二极管端面抽运Tm(原子数分数0.06),Ho(原子数分数0.004.):YLF微片激光器,阈值抽运功率为450W,当入射到晶体内的激光二极管功率为1.88W时,2μm激光最大输出功率为328mW,斜率效率为22.5%,光—光转换效率达17.4%。为达到激光最佳运行条件,还探讨了激光二极管波长,抽运光偏振方向以及晶体温度对Tm,Ho激光器性能的影响。 相似文献
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