半导体材料研究的进展

半导体研究工作应該說是在1833年法拉第观察到硫化銀电阻率之負温度系数开始的。40年以后,F.布朗发現了硫化鉛与黃铁矿的整流現象;在此之前;W.史密斯也发現过同样的現象。1879年提出了霍尔效应以后,对半导体的研究起了推动作用。1833年美国又发明了硒整流器,1906年A.波希丁納研究了有机半导体蒽的光电导。1907至1909年,K.白特克及J.科尼斯貝格系統地利用霍尔效应研究了CuI等半导体。1924年开始,硒和氧化亚銅整流器巳进入了工业性貭的制造。自从1931年量子力学有了其独自的立場后,威尔逊以能带模型的形式为現代半导体理     

半导体光学双稳态

目前科学家们正在拟定计划研制运用人工智能概念的第五代计算机．这一类计算机所需要的记忆能力是现有大型计算机的一万倍,而其运算速度要高出一千倍．任何计算机的三个基本功能──算术运算、逻辑运算和信息存储都是由具有两个稳态的开关器件来完成．从理论上说,目前集成电路毫微秒量级逻辑门的开关时间已接近极限时间,这是由于无论双极型的三极管或单极型的场效应管部受到半导体中载流子运动速度的限制,在设计和制作工艺?...     

低维半导体材料在非线性光学领域的研究进展

自从第一台红宝石激光器发明以来,研究人员将目光集中到激光这种普通光源达不到的强光上,由此发现了非线性光学材料以及一系列丰富多彩的相关特性—饱和吸收、反饱和吸收和非线性折射等,并将其运用到光电子器件、光开关器件和光通信当中.同时,随着工业生产对于器件集成度需求的提升,以普通三维材料为基础的器件已经难以达到应用要求,低维半导体器件的兴起将有望解决这个问题.所以,将非线性光学与低维半导体材料相结合是未来发展的重要趋势,量子点、量子线激光器和放大器的涌现也印证了这一点.本文通过对准零维量子点材料、准一维纳米线材料和二维纳米材料非线性光学前沿工作进行总结,为今后的研究提供参考.但是,低维材料由于稳定性、填充比例较低等问题,还需要进一步的研究以满足实用需求.     

半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性

利用聚焦离子束刻蚀方法和电子束制版结合干法刻蚀方法制备了二维近红外波段光子晶体，发现两种方法都可以制备出均匀的二维光子晶体，聚焦离子束方法操作简单，电子束制版结合干法刻蚀方法操作步骤复杂.光谱测试表明，利用聚焦离子束方法在有源材料上刻蚀的光子晶体不发光，而电子束制版结合干法刻蚀方法制备的小晶格常数光子晶体即使有些无序，其出光效率也提高到没有光子晶体时的两倍.对两种方法所加工的光子晶体不发光和提高出光效率的机理进行了分析. 关键词： 聚焦离子束 电子束制版 光子晶体 出光效率     

光学双稳态半导体激光器的理论分析

引入了正切函数作为非线性光－电流关系函数，借地速率方程，建立了光学双稳半导体激光器的理论模型。对器件本身进行了理论分析，讨论了器件的主要特性，给出了数值分析结果，提出了器件性能改进方法。     

半导体材料

本文的主要目的是向讀者介紹国际上半导体材料发展的情况及其用途,新材料的探索,材料性能的检定工作等;其中分类是作者个人的分法,不見得合适,如读者有其他意見,希望讀者提出来一起討論。首先討論半导体材料的种类、发展情况及用途等。半导体材料的分类如下: (一)元素半导体例如硒、锗、硅、灰鍚等。这些元     

半导体中的非线性光学

１９６１年,Ｆｒａｎｋｅｎ首次从实验上观察到红宝石激光光束在石英中产生的倍频效应,标志着非线性光学开始产生．二十多年来,人们进行了大量的实验和理论工作,取得了很大进展,例如,借助混频、参量振荡和受激喇曼等非线性过程,可以扩展相干辐射的波长范围,并在一定的波长范围内实现了连续或准连续可调谐,使非线性光学研究成果得到最直接应用．同时,非线性光学揭示了普通光学研究中所无法观察到的一系列新的物理现象?...     

一维半导体的光学吸收

研究一维半导体在外电磁场中的光吸收、涉及电子带间的直接跃迁与间接跃迁，考虑了电子－空穴相互作用的激子光吸收，导出一维半导体的光吸收系数公式。     

面向半导体照明的光学

以发光二极管(LED)为核心的半导体照明光源成为世界公认的第三代照明光源.通常基于蓝光LED抽运黄色荧光粉产生白光的方案,因荧光粉的斯托克斯位移和宽光谱,其具有产业化价值的发光效率上升范围受到极大限制.另外,传统封装LED因其朗伯型发光分布和超高亮度会造成严重的眩光以及光分布难以满足照明应用要求从而导致光污染、光浪费,...     

偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性

介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。     

关于半导体材料的微探针分析

本文描述了墨尔本大学的核微探针。由于新的改进已得到了1μm 大的束斑,讨论了这个探针在半导体材料中的应用,特别是讨论了微区沟道的使用和图形显示。     

窄禁带半导体的光学性质

本文阐述了窄禁带半导体的一般性质,较详细地论述了近年来采用吸收光谱、反射光谱、调制反射光谱、磁光光谱、荧光光谱和喇曼光谱等光学手段研究HgCdTe等窄禁带半导体的能带结构、晶格振动、自由载流子和杂质缺陷的光学效应的进展。     

窄禁带半导体的光学性质

本文阐述了窄禁带半导体的一般性质,较详细地论述了近年来采用吸收光谱、反射光谱、调制反射光谱、磁光光谱、荧光光谱和喇曼光谱等光学手段研究HgCdTe等窄禁带半导体的能带结构、晶格振动、自由载流子和杂质缺陷的光学效应的进展。     

二元光学进展

对二元光学的产生和发展作了简要的介绍，通过说明二元学光元件的设计和制作过程，建立二元光学的基本概念，阐述了二元光学的主要应用。     

正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展

<正>电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法,在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用;此外,慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用.通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用.本文综述了正电子湮没谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展,主要围绕正电子研究平台在半导体材料微观缺陷研究中对材料的制备工艺、热处理、离子注入和辐照情况下,各种缺陷的微观结构的表征及其演化行为的研究成果展开论述.     

半导体量子光电子学的进展

就量子阱超晶格的基本物理、量子阱光电于器件对光通信发展的贡献和量子光电子器件对发展计算技术和信息处理技术的贡献等问题进行了较详细的讨论,指出;半导体量子光电子学的内涵既包含了崭新一代光电子器件的诞生,同时也促进了以信息的传输、运算和处理为代表的新一代信息技术的发展．半导体量子光电子学将与微电子技术井列成为未来信息社会的两大支柱．     

半导体激光光源光学性能的探讨

在物理实验中,将半导体激光器作为光源的实验很多,但由于其光学性能取决于工作电流的大小与谐振腔的质量,所以了解其适用范围,对于指导教学活动是很有帮助的。     

半导体粒子CdS的光学性质研究

采用DDA(discrete dipole approximation)方法对用于光催化制氢的半导体粒子的光学性质进行了研究,讨论了形状、尺寸等因素对放置在水中的CdS吸收效率的影响,选取的粒子形状有球形,圆柱形,正四面体,正三棱柱,长方体,正六角棱柱,发现粒子形状对局部表面等离子体共振峰的数目和共振波长有重要影响,而...     

光学和半导体元件的表面检查仪

前言大多数抛光的光学零件在提交用户之前至少要进行一次表面疵病检验,而且在生产的好几道工序中都要进行表面疵病的检验。为了保证零件获得充分的抛光并且表面没有道子、划痕或麻点就需要表面检查仪。它的任务是确保零件的用途和用户满意,同时又要使工厂保持足够的产量。虽然表面疵病这个被检参数能够在客观公差范围内定量确定,但检验工作却是相当困难的,而且由于检验依赖于主观评定,