巨磁电阻锰酸盐中纳米尺度的相分离

准电子概念是固体能带论的核心 .处于周期晶格中的电子 ,其电荷仍为ｅ ,自旋仍是 1 2 ,但由于晶格周期场的影响 ,质量却不同于自由电子的ｍｅ,而是表现为有效质量ｍ .在超导体中 ,当库珀对被拆散时 ,准电子跨越能隙被激发到费米能级ＥＦ 以上 .准电子的寿命τ可以用光发射谱 (ＰＥＳ)的能量宽度ΔＥ表征 ,因为按照不确定性关系 ,τΔＥ≈ .高温超导铜氧化物的ＰＥＳ谱通常很宽 ,这表明准电子的寿命非常短 .加之 ,这种材料的赝能隙表现出强的各向异性 (在ＣｕＯＣｕ键方向能隙宽 ,在转角 4 5°方向能隙降为零 ) ,对传统准电子概念提出了…     

混价锰氧化物超巨磁电阻材料研究进展

综述了钙钛矿结构锰氧化物超巨磁电阻材料的研究进展，主要包括Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｅｒ畸变、磁性、电阻率、热电势、霍尔效应、比热、热膨胀、电荷有序、中子衍射和非弹性散射、电子能谱，以及同位素效应等方面     

在不同压力下研究巨磁电阻氧化物的响应特性

本文主要介绍利用自主设计的拉压实验平台对巨磁电阻阻值随外界压力的变化情况进行研究。通过在不同的压力下测量巨磁电阻的伏安特性,得到一些结论,为以后进一步的研究开辟新方法新理念。     

多层膜的巨磁电阻

本文总结了多层膜中巨磁电阻的物理机制及其研究进展。为了对多层膜磁电阻的各个可能来源有全面的认识，首先简述了正常磁电阻和各向异性磁电阻的原理，然后在本文的主要部分，着重介绍了铁磁金属和多层膜中的自旋相关散射与双电流模型及在多层膜巨磁电阻基础研究和材料研究领域的进展，列举出具有巨磁电阻的各种多层结构。最后报道了巨磁电阻的主要应用。     

掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应

介绍了掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应研究概况和最新进展，在综合目前实验和理论研究结果的基础上，对在掺杂稀土锰氧化物材料中引起巨磁电阻效应的物理机制进行了探讨，对这一材料的应用前景和需要做的工作进行了讨论。     

巨磁电阻效应实验仪的研制与应用

阐述了巨磁电阻效应实验原理、实验内容和实验方法,该仪器可测量巨磁电阻阻值与磁感应强度关系,并与正常磁电阻、坡莫合金磁电阻特性进行比较,仪器还提供巨磁电阻传感器特性测量及系列应用实验供教学使用.     

磁电阻效应的研究进展

介绍了磁电阻效应的研究状况和进展,总结了铁磁金属的磁电阻效应、磁性多层膜和颗粒膜的巨磁阻效应、磁隧道电阻效应及氧化物铁磁体的超大磁阻效应的理论模型,并简要分析了磁电阻效应的物理机制。     

用自组合仪器测量巨磁电阻材料的电阻

介绍了利用ZDY型自动磁场成型机、电脑化X-Y记录仪、计算机、HSZ-1数字磁强计等仪器测量巨磁电阻材料磁电阻的方法，同时对低温的测量装置进行了研究。     

方兴未艾的磁头材料——巨磁电阻自选阀材料

提起计算机的硬盘驱动器，大家一定都非常熟悉。可是硬盘驱动器是如何进行工作的呢？现在的硬盘驱动器，体积逐渐变小，而面记录密度和读取速度却在迅速增大，这又是如何实现的呢？其中的原因与本文介绍的巨磁电阻自旋阀材料的发展有着非常密切的关系。     

Fe基非晶态合金的低温电阻研究

本文报道Fe_100-xB_x,Fe_87-xSi_xB₁₃,(Fe_1-xCo_x)₇₈Si_9.5B_12.5,(Fe_1-xM_x)_80-84B_16-20(M=Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn)非晶态合金的 关键词：     

非晶态FeZrB合金的电阻率与温度的关系

本文研究了非晶态(Fe_1-xZr_x)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1,0.15)和Fe_90-xB_xZr₁₀(x=0,4,10,16,20)合金的电阻率ρ与温度T的关系。实验结果表明,当Zr含量在0.02≤x≤0.08时,ρ-T曲线出现两个线性斜率,在略高于居里温度T_c处出现转折,在T关键词：     

A-15化合物低温电阻率反常行为的探讨

本文将文献[6]导出的替代式合金电阻率公式应用于理想配比的完全有序A-15化合物,理论与实验的比较表明:尽管不同的A-15化合物低温电阻率温度依赖性的差别很大,其基本特征都可以在文献[6]的模型中得到理解。     

EFFECT OF TEMPERATURE ON ELECTRICAL RESISTIVITY OF A HYDROGENATED LaNi5 THIN FILM

The electrical resistivity of a hydrogenated LaNi₅ thin film has been investigated as a function of temperature in vacuum and in hydrogen. While the film was heated in vacuum for the first time, the change in resistivity exhibited different characteristics during different ranges of temperatures due to the competition of two effects owing to the lattice scattering of conductive electrons and the number of them. The resistivity had a sharp drop near 600 K, which originates from the formation of high conducting lanthanum hydride and nickel due to a reaction between the dissolved hydrogen and LaNi₅. The change in resistivity was not repeatable during the successive heating and cooling processes. When the film was heated under a hydrogen atmosphere, a drop in resistivity occurred near 700 K due to the reaction between LaNi₅ and the hydrogen atmosphere. The film showed a linear temperature dependence of receptivity with completeness of the reaction. It was found that the reaction was irreversible. The film lost the ability of hydrogen absorption after the reaction, and it had a phase change from LaNi₅ to LaH and Ni. This result was supported by X-ray diffraction patterns.     

射频溅射Pd薄膜的电阻率研究

本文研究了溅射Pd薄膜的电阻率与膜厚关系和不同溅射功率下Pd薄膜电阻率,结果表明,电阻率与膜厚的关系与现有的薄膜电阻率尺寸效应的理论基本相符,存在的差异主要是由溅射对衬底温度影响而引起的,并显示玻璃衬底上生长膜也有择优取向,溅射功率的变化对电阻率有一定的影响,进一步讨论溅射过程中衬底温度变化的问题,得出膜电阻率随衬底温度变化的定量关系式。 关键词：     

硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

Fe-25Mn—5Al-0.2C合金低温电阻率的负温度系数行为

在4.2K到300K之间,在大块晶态Fe-25Mn-5Al-0.2C合金中观察到了反常的电阻负温度系数行为,在50K以下,电阻率大体和lnT成正比,可能起源于磁性的机制。 关键词：     

钌多氢化合物的低温FTIR光谱研究

在氢气氛下合成了新化合物Ｒｕ２Ｈ４（ＣＯ）２（ＰＰｈ３）４，建立了可至液氮温度的原位红外测试装置，在室温至液氮温度下进行了外多氢化合物的结构研究。发现ＲｕＴ４（ＣＯ）ＰＰｈ３）３在室温下会发生分子氢与原子氢的结构流变，Ｒｕ２Ｈ４（ＣＯ）（ＰＰｈ３）４则随温度变化而出现桥氢与端氢的结构转化现象。     

EFFECT OF TEMPERATURE ON ELECTRICAL RESISTIVITY OF A HYDROGENATED LaNi5 THIN FILM

The electrical resistivity of a hydrogenated LaNi₅ thin film has been investigated as a function of temperature in vacuum and in hydrogen. While the film was heated in vacuum for the first time, the change in resistivity exhibited different characteristics during different ranges of temperatures due to the competition of two effects owing to the lattice scattering of conductive electrons and the number of them. The resistivity had a sharp drop near 600 K, which originates from the formation of high conducting lanthanum hydride and nickel due to a reaction between the dissolved hydrogen and LaNi₅. The change in resistivity was not repeatable during the successive heating and cooling processes. When the film was heated under a hydrogen atmosphere, a drop in resistivity occurred near 700 K due to the reaction between LaNi₅ and the hydrogen atmosphere. The film showed a linear temperature dependence of receptivity with completeness of the reaction. It was found that the reaction was irreversible. The film lost the ability of hydrogen absorption after the reaction, and it had a phase change from LaNi₅ to LaH and Ni. This result was supported by X-ray diffraction patterns.     

弱色散重费密子合金模型的电阻率

本文从Yoshimori-Kasai模型出发,应用slave-boson技巧,计算重费密子合金的电阻率,在平均场近似下,应用相干势近似(CPA)方法,求出合金的剩余电阻,并计入slave-boson场的涨落,解释了高浓度情况下重费密子合金出现电阻率低温极大的实验结果。 关键词：