电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积

本文叙述了电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ＥＣＲＰＣＶＤ）的工作原理、特点及其应用．ＥＣＲＰＣＶ Ｄ由放电室、淀积室、微波系统、磁场线圈、气路与真空系统组成．处于放电室的等离子体在磁场中做回旋运动，使电子的回旋运动频率与微波频率相同；处于回旋共振条件下的电子有效地吸收微波功率而获得高的能量，从而产生高活性和高密度的等离子体．电离度大于１０％，电子密度为１０１３ｃｍ３．ＥＣＲＰＣＶＤ可在低的气体流量、衬底不加热的情况下高速淀积高质量薄膜．以该技术淀积的Ｓｉ，Ｎ４，ＳｉＯ２薄膜可分别与高温ＣＶＤ的Ｓｉ３Ｎ４高温热氧化的ＳｉＯ２相比拟．ＥＣＲＰＣＶＤ淀积ａ－Ｓｉ：Ｈ淀积速率为通常ＣＶＤ的２０倍，而性能与射频ＣＶＤ淀积的ａ－Ｓｉ：Ｈ相当．ＥＣＲＰＣＶＤ 已成功用于淀积多种薄膜。     

新型物理喷束淀积技术制备富勒烯薄膜

建立了一套新型物理喷束淀积装置，并且成功地进行了薄膜制备工作，所制备的薄膜包括Ｃ６０，Ｃ７０，ＰＶＫ，ＰＶＫ／Ｃ６０等薄膜，并测量了物理喷束淀积技术制备得的Ｃ６０薄膜，ＰＶＫ／Ｃ６０混合膜的吸收光谱，荧光光谱，时间分辨率荧光光谱，与Ｃ６０等薄膜的高真空蒸发膜的相应光谱进行了比较，结果表明，物理喷束淀积可以制备具有很好质量的高抗光损伤薄膜，薄膜的荧光衰减特性与蒸发膜有很大差别。采用该法制备的ＰＶＫ／     

用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 关键词：     

半导体超薄层外延技术

分子束外延（ＭＢＥ），金属有机化学气相淀积（ＭＯ－ＣＶＤ），金属有机分子束外延（ＭＯ－ＭＢＥ）以及原子层和分子层外延（ＡＬＥ和ＭＬＥ）等超薄层外延技术，是随着集成电路向高密度集成，高工作速度和超小型化方向发展而形成的一种薄膜制备工艺，并在微电子学、低维物理和材料科学等领域中有着重要的应用．利用这种技术，可以制备各类超高速器件，光电器件及其集成电路．由这种工艺制备的优质超晶格结构为人们更加深入地从理论和实验上揭示二维电子体系的物理性质带来了极大便利，而且一维超晶格的实现也将有赖于超薄层外延生长技术．可以预期，用这种技术还可以制备由半导体、金属以及有机材料相结合的多类型、多组元的多层人工超薄材料。     

PVK/C_(60)组合体系薄膜的拉曼光谱和荧光光谱研究

我们采用物理喷束淀积技术制备了Ｃ６０、Ｃ７０及聚乙烯咔唑ＰＶＫ／Ｃ６０的混合和分层薄膜，拉曼光谱的测量表明，这种技术所制备的富勒烯薄膜中，富勒烯的笼型结构仍保持完整，而在ＰＶＫ／Ｃ６０组合薄膜中，拉曼光谱及荧光光谱测量表明：在ＰＶＫ和Ｃ６０分子之间存在激发传递过程，在混合膜中，这种激发传递过程要明显强于分层组合薄膜。     

物理汽相淀积薄膜的微结构和内应力

文章综述的内容为：（１）物理汽相淀积（ＰＶＤ）薄膜的微结构；（２）ＰＶＤ薄膜的内应力；（３）膜的微结构和内应力的关系．着重介绍制备参数对微结构、内应力和两者之间的主要联系的影响．提出了确立两者的联系还需进一步研究的问题和优化微结构和内应力的一个途径———梯度膜     

脉冲激光淀积高温超导薄膜

１９８７年贝耳实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以后，脉冲激光淀积技术获得了长足的发展，现在已成为最好的薄膜制备技术之一．文章简要介绍了用脉冲激光淀积技术制备高温超导薄膜的原理、特点及发展情况．     

光助MOCVD生长ZnSe单晶薄膜

光助ＭＯＣＶＤ生长ＺｎＳｅ单晶薄膜＊赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关键词光助ＭＯＣＶＤ，ＺｎＳｅ基半导体材料，辐照光强度蓝绿光发射二极管和激光...     

物理学与新型(功能)材料专题系列介绍(V) 金刚石薄膜及其应用

金刚石薄膜的气相合成及应用研究近年来取得了飞速发展，气相合成金刚石薄膜的ＣＶＤ方法已达２０几种，最大的沉积速度已达到每小时９３０μｍ．硼掺杂金刚石薄膜的空穴载流子浓度已达到１０～（１８）ｃｍ～（－３），电阻率已达到１０～（－２）Ω·ｃｍ，在硅衬底表面实现了金刚石薄膜的选择性生长．金刚石薄膜热沉使半导体锁相列阵激光器的输出功率提高了１０％左右，金刚石薄膜作为刀具涂层使刀具的寿命得到提高，金刚石热敏电阻、发光管、场效应管等器件原型电子器件在实验上已获得成功．     

β-C_3N_4的制备及若干问题探讨

采用热丝辅助反应溅射和等离子体增强热丝化学气相沉积（ＣＶＤ）的制备方法，获得了含有β－Ｃ３Ｎ４结晶相的ＣＮｘ薄膜．文章将重点介绍制备参数与ＣＮｘ薄膜结构的关系，并进一步讨论与β－Ｃ３Ｎ４结晶相择优生长有关的主要问题     

MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）生长的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ ＳＱＷ）激光器的深中心。结果表明，在激光器的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里除众所周知的ＤＸ中心外，还存在着较大浓度和俘获截面     

反射率小于10-4的1310 nm光电子器件增透膜技术的研究

阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉法淀积半导体器件的端面光学膜的优良特性,介绍了淀积反射率小于１０＾－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术,并对这种技术的优点和两端面淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。     

高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs／AlGaAs应变双量子阱？…

采用金属有机化合物气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ＧＲＩＮ）异质结构的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变双量子阱激光器。该器的波长为９７０－９８２ｎｍ,室温连续工作阈值电流密度为１４０Ａ／ｃｍ＾２,工作在０．９Ａ时单面连续输出光功率为５２０ｍＷ,工作在２．０时,连续输出光功率为１．４９Ｗ,最高功率可达２．４Ｗ,微分量子效率高达０．８３Ｗ／Ａ。     

分子电子学与离化团束（ICB）薄膜新技术

本文介绍了新的交叉学科──分子电子学的研究范围、目标和进展，介绍了有机材料传统的形膜技术（ＬＢ膜技术）及其新进展．重点介绍了新近发展起来的ＩＣＢ薄膜淀积技术的基本原理和特点，总结了用ＩＣＢ 淀积技术制备有机薄膜取得的成效，展望了ＩＣＢ淀积技术在有机分子材料及电子学领域中的发展方向和应用前景．     

光泵浦ZnCdSe／ZnSe单量子阱蓝绿受激发射的研究

报道了常压金属有机化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）制备的Ｚｎ０．７Ｃｄ０．３Ｓｅ／ＺｎＳｅ单量子阱的光泵浦受激发射性质。在７７Ｋ下观测到了ｎ＝２的重空穴激子发光峰和ｎ＝１的重空穴激子吸收峰。在７７Ｋ脉冲激光泵浦下受激发射阈值功率密度为１１６ｋｗ／ｃｍ２。认为受激发射机理可能是激子局域态的空间填充。     

激光蒸发淀积高Tc超导薄膜

本文简要介绍激光蒸发淀积高Ｔｃ超导薄膜技术的基本原理．主要工艺特点，各种激光器在制备高Ｔｃ超导薄膜中的应用及所取得的重要成果．     

PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用

研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。     

XeCl（308nm）脉冲准分子激光淀积类金刚石薄膜

利用ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）脉冲准分子激光淀积技术在功率密度５×１０８Ｗ／ｃｍ２、室温、真空度１０－３Ｐａ的条件下，制备出不含氢成分的类金刚石薄膜，研究了类金刚石薄膜的特性及其随制备工艺条件的变化规律。研究了激光诱导的碳等离子体发射光谱，探讨了类金刚石薄膜的形成机理。     

a－CdSe超快光电探测器特性研究

本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用ａ－ＣｄＳｅ为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。     

非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究

实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象.采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象.实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.005 7.淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为－3.5%和－2.1%.实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象.