多色有机薄膜电致发光器件及其稳定性

研究了绿色、红色、蓝色和白色四种有机薄膜电致发光器件。通过掺杂得到了高稳定性的绿色及红色器件 ,绿色器件的半寿命达 140 0 0h(初始亮度 10 0cd/m2 ) ,红色器件的半寿命为 75 0 0h(初始亮度 5 0cd/m2 )。还研究了具有空穴锁定层及非锁定层的两种不同结构的蓝色及白色器件。研究表明无论蓝色还是白色器件 ,具有空穴锁定层的器件稳定性较差 ,老化过程中界面势垒的变化很大。非锁定层的蓝色及白色器件的半寿命分别为 45 0h(初始亮度 5 0cd/m2 )和 30 0h(初始亮度 5 0cd/m2 )。在稳定性改善的基础上研制成功 96× 6 0线 ,分辨率为 2线 /mm的绿色矩阵显示屏 ,设计和研制了驱动及控制电路 ,实现了动态显示     

InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究

在室温(15～35℃),大气气氛中研究了InGaAsP/InP双异质结发光二极管的退化特性。有二种慢退化类型,连续工作104小时后,InGaAsP/InP发光二极管的电学参数、光学参数(除原有暗结构的B型慢退化器件,老化初期光功率下降10～20%外)均无明显变化。用红外电视选行扫描仪观察了老化过程中发光区的EL图象。研究了该器件的退化特性与EL图象的变化规律,找出了它们的对应关系。用扩展缺陷模型解释了InGaAsP/InP双异质结发光管的退化机理。     

α-Al_2O_3单晶中Fe~(3+)离子的电子顺磁共振

本文对α-Al_2O_3单晶体中Fe~(3+)离子在室温下,X波段进行了电子顺磁共振研究,发现Fe~(3+)离子实际上占据四种磁性不等价晶位。在同一氧离子层间的两种晶位上的Fe~(3+)离子具有相同的自旋哈密顿参量,而不同氧离子层间的晶位上的Fe~(3+)离子具有不同的自旋哈密顿参量,两种自旋哈密顿参量为:(1)g=2.001,g=2.003,D=1679×10~(-4)cm~(-1),|α|=237×10~(-4)cm~(-1),α—F=317×10~(-4)cm~(-1);(2)g=2.001,g=2.006,D=1660×10~(-4)cm~(-1),|α|=243×10~(-4)cm~(-1),α—F=338×10~(-4)cm~(-1)。     

全电路欧姆定律演示实驗的改进

我对高三物理課本中的全电路欧姆定律演示实驗作了些改进,結果令人滿意,現介紹如下。实驗装置如图1所示,电解液是由此重为1.03的稀硫酸和高錳酸鉀組成的溶液,它們的重量比約为70:1。鋅极板是10厘米×6厘米×0.18厘米的汞齐化的鋅板。銅极板是10厘米×6厘米×0.07厘米的純銅板。輔助极板是和銅极板同純度的10厘米×3厘米×0.04厘米的銅板。橡皮筋是比較細的弹性較大的胶皮筋。使用的仪器是:两只同精度的量度范围0—3伏特的伏特計、一只0—0.6安培的安培計和一只0—999欧姆的电阻箱。在极板插入电解液的深度为2厘米;极板間距为4.5厘米的情况下,当断路和外电阻由     

CdH分子基态X~2∑~+和激发态A~2П光谱和寿命测量

采用一束激光为泵浦光另一束激光为探测光的方法,获得CdH分子A~2Π态和X~2∑~+态之间跃迁产生的具有转动结构的多个荧光谱和激发谱带.对荧光的时间分辨研究,给出A~2Π态寿命τ_0=59.5±2.3ns,对A~2Π(v=0)态Cd原子的碰撞猝灭截面为(1.31±0.03)×10~(-15)cm~2;X~2∑~+态寿命τ_0=61.0±4.6μs,引起X~2∑~+(v=0)态寿命衰减的碰撞截面为(1.1±0.1)×10~(-18)cm~2.     

具有高光学质量共焦和非共焦自滤波非稳腔的激光束

具有腔内滤光器的共焦和非共焦负支非稳腔应用于高增益、短脉冲紫外予电离氯化氙激光器,在上述两种腔结构,研究了各种空间滤光器条件下的近场和远场辐射特性,获得了有规则强度空间剖面的高亮度激光束,特别是非共焦机构,最大束亮度达1.3×10~(14)瓦·厘米平方·立体角,并且观察到,这种腔结构对于失调的低灵敏度.     

彩色有机薄膜电致发光及动态矩阵显示

研究了绿色、红色、蓝色和白色4种有机薄膜电致发光器件.通过掺杂得到了高稳定性的绿色及红色器件,绿色器件的半寿命达14000小时(初始亮度100cd/m²),红色器件的半寿命为7500小时(初始亮度50cd/m²).还研究了具有空穴锁定层及非锁定层的多种不同结构和材料的蓝色及白色器件.研究表明无论蓝色还是白色器件,具有空穴锁定层的器件稳定性较差,老化过程中界面势垒的变化很大.非锁定层的蓝色及白色器件中,新材料JBEM比DPVBi有更优越的性能.JBEM构成的蓝色器件的半亮度寿命为1035小时(初始亮度100cd/m²).由JBEM构成的白色器件中,由蓝色及红色掺杂在同一层的器件得到最好的稳定性,其半亮度寿命为2800小时(初始亮度100cd/m²),而且它具有发光颜色不随电流变化而变化的特点.在稳定性改善的基础上研制成功96×60线,分辨率为2线/mm的绿色及白色矩阵显示屏,还利用选择蒸发的方法制造了彩色矩阵屏,设计和研制了驱动及控制电路,实现了动态显示.     

Nd_xY_(1-x)PO_4晶体中激发能量的传递和离子-离子相互作用

本文用激光选位时间分辨光谱技术,研究了Nd_xY_(1-x)PO_4晶体系统的浓度猝灭和Nd~(3+)离子一离子相互作用。结果表明,浓度猝灭比五磷酸钕系统强,猝灭速率与 x~2有线性关系。激光选位时间分辨光谱揭示,在Nd_(0.03)Y_(0.97)PO_4中,Nd~(3+)处于多种不等价的晶场格位中。由选位光谱对时间和温度的关系发现,处于不等价格位中的Nd~(3+)离子通过共振能量为δ=117cm~(-1)的二声子参助过程进行能量转移。确定了转移速率ω_s=2.7×10~4s~(-1),室温下激发能量扩散系数为 D_(300K)=2.15×10~(-9)cm~2·s~(-1)和扩散长度为 l_(300K)=14.4×10~(-7)cm。     

聚合物薄膜电光效应研究

介绍聚合物DR/PMMA薄膜材料做成光学法布里-珀罗腔结构,通过观察透射率随外加电场变化,以确定其非线性光学特性参量,在室温和575.0nm时的三阶极化率x~⑶(-ω;ω,0,0)=(5.3-i6.0)×10~((-11)_(θs.u))和二次电光系数R=-(8.5-i9.7)×10~(-19)m~2/V~2.     

流体静压力对InSb输运性质的影响

在室温和流体静压力达12500公斤/厘米²下,测量了不同掺杂浓度的n型(5×10¹³—2.3×10¹⁸厘米^-3和p型(2.6×10¹⁴—6.0×10¹⁷厘米^-3)InSb的霍耳系数和电导率。分析结果发现,霍耳系数公式中散射因子随压力而减小,禁带宽的压力系数不是常数;得出禁带宽、载流子浓度、电子和空穴迁移率与压力的关系,并对压力下的载流子散射机构作了初步讨论。     

一个利用量子化学方法计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式

本文将前人对硅烷类分子中Si—H红外吸收光谱实验结果和我们对其键长、键级的量子化学计算结果进行综合分析,得到了一个计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式:v~2=1.635×10~7·P·R~(-3/2)+7.458×10~(-2)。用该公式对七种硅烷类分子的计算得到了满意的结果,平均偏差不超过0.4%。     

稀土有机电致发光器件

我们研制了用有机材料Tb(AcA)3·phen作为发射层的绿色发光二极管,两层结构为玻璃衬底ITO/芳香族二胺类衍生物TPD/Tb(AcA)3·phen/A1。各功能层均用真空热蒸发的方法制备。在正向直流偏压驱动下获得了Tb3+的特征发光,同时还发现一个峰位425um的蓝光发射,它来源于空穴输运层TPD。在室温条件下器件的阈值电压为4V,当驱动电压提高到16V时,器件的最高发光亮度达到200cd/m2,同时在相同条件下制备了结构为玻璃衬底ITO/芳香族二胺类衍生物TPB/Tb(AcA)3·phen/A1的器件,通过对两种器件光谱及电学特性的测量、比较与分析,探讨了有关稀土有机电致发光的发光机理等问题。     

ln_2O_3-ZnS:Mn-ZnSe-Al结构的薄膜直流电致发光器件

制做了一种能被直流激发,具有导体—半导体—电阻—金属(CSRM)结构的薄膜电致发光(EL)器件。其亮度达50fL,外量子效率为5×10~(-5)。为了了解ZnSe层的作用,研完了室温直流激发的B—V和I—V特性。实验证明ZnSe层的起分布电阻作用,它可以防止雪崩电流引起的ZnS:Mn发光层的击穿。     

高浓度若丹明6G溶液荧光寿命的测量

本文提出一种测量高浓度溶液荧光寿命的方法.利用这种方法测量了浓度范围从1×10-6至1×10-2mol·L-1的Rh6G乙醇溶液的荧光寿命.并证明了在这个浓度范围内,Stern-Volmer公式仍然成立.     

HL—1装置边缘扰动特性研究—静电探针方法

本文针对HL-1托卡马克边缘等离子体扰动特性做了详细的研究。在低频范围内(2πω≤200kHz《ω_(ci)),装置边缘扰动为湍流扰动。孔栏附近悬浮电位扰动的相对量和密度扰动的相对量分别为40％和30％。频率较低时(2πω≤75kHz),扰动的相关性较强;频率较高时(2πω≥125kHz),相关性下降或呈现下降趋势。实验中还发现,在等离子体刮削层的扰动频谱宽度要大于等离子体柱边缘的谱宽度。最后，文中给出了粒子输流Γ随径向的分布，其值约在1.0×10~(16)cm(-8)、s~(-1)量级。由Γ值可心得到扩散系数经为D≈1.2×10~4cm~2·s~(-1),可以同玻姆扩散系数D_Bohm ≈1.0×10~4cm~2·s~(-1)进行量级上的比较。     

非晶态Y_5Ni_(95)合金膜的霍尔效应

在1.5～300K温度范围内,研究了非品态Y_5Ni_(95),溅射合金膜的霍尔效应。观察到该材料的正常霍尔系数R_o不随温度改变,R_o=—1.46×10~(-12)Ω·cm/G;反常霍尔系数R_s值随温度增高而增大,其值从1.5K的—2.2×10~(-10)变化至300K的—3.3×10~(-10)Ω·cm/G。利用斜散射和边跳跃机制对此进行了讨论。     

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究. 受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响, 当辐射总剂量达到1 M rad(Si) (1 rad = 10^-2 Gy)条件下, SOI器件背栅阈值电压从44.72 V 减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm²/V·s降低至419.8 cm²/V· s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec; 基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化, 可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×10¹¹ cm^{- 2}与2.36×10¹² cm^-2. 受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响, 辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧, 造成SOI 器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10^{- 10} V²·Hz^-1增加至1.8×10^-9 V² ·Hz^-1; 基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×10¹⁷ cm^-3·eV^-1和3.66×10¹⁷ cm^-3·eV^-1. 考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系, 本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.     

高稳定性的500MHz声表面波沟槽谐振器型振荡器

声表面波振荡器具有基频高、相位噪声低,重量轻、体积小,结构简单、可靠性好、抗冲击震动等优点,是一种性能比较好,具有实际应用价值的射频源。我们研制了500MHz单端对SAW沟槽谐振器,无载Q_u≥20,000,动态电阻R_j=20—30Ω,用它作稳频元件组成振荡器。经测量获得短期频率稳定度为:0.001s是4.2×10~(-10),0.01s是2.8×10~(-10),0.1s是2.5×10~(-10),1s是5.5×10~(-10)。在偏离中心频率1kHz处的单边带相位噪声是-108dBC/Hz。振荡器的频率随温度变化特性,在不用恒温槽的情况下,环境温度从—30℃—+60℃时,振荡器总的相对频率变化是1.1×10~(-4),平均值是1.2×10~(-6)/℃;在自由室温下,日平均频率波动为2.7×10~(-6)/d。     

Li_(1+x)Ge_(2-x)Al_xP_3O_(12)系统的相关系和电导

本文研究了Li_(1+x)Ge_(2-x)Al_xP_3O_(12)系统的相组成和电导的关系。发现用LiGe_2P_3O_(12)作为基体化合物,通过离子置换可以得到好的锂离子导体。用Al~(3+)置换LiGe_2P_3O_(12)中的Ge~(4+),在00.6时出现未知相,用少量Al~(3+)取代Ge~(4+)后电导率即突增,在固溶体范围内电导率随x值的增大而继续升高。x=0.5时达极大值。Li_(1.5)Ge_(1.5)Al_(0.5)P_3O_(12)在室温、300℃和450℃的电导率分别为3.5×10~(+5),1×10~(-2)和3.1×10~(-2)S cm~(-1),电导活化能为0.33eV,电子迁移数在10~(-5)数量级。     

掺镱氟铅硅酸盐玻璃光谱性质研究

采用高温熔融法制备了组成为(80-x)SiO2·xPbO·(17~19)( R2O+RF) ·(1~3)Yb2O3（R=Li、Na、K）（mol%）的掺镱氟铅硅酸盐玻璃,测量了样品的吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命,利用McCumber理论计算了该玻璃系统中Yb3+离子2F5/2→2F7/2能级跃迁受激发射截面.结果表明,该玻璃在1 013 nm处的σemi为0.21×10－20 cm2,荧光有效线宽为94.8 nm,荧光寿命为2.36 ms.激光性能评价结果表明,该玻璃是实现大能量超短脉冲激光的理想材料.