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相似文献
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1.
高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
 在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下,从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO3、单稀土氧化物Tb4O7、CeO2和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO2+Tb4O7等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa,温度高于600 ℃时发现了混合物CeO2+Tb4O7、氧化物Tb4O7中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明,对应这一电阻变化,在结构上出现了变化。结果分析表明,这一变化与Tb4+→Tb3+的价态变化密切相联。  相似文献   

2.
 利用高温高压方法合成了有稀土元素La掺杂的钙钛矿氧化物Sr1-xLaxTiO3。XRD测试表明,在x≤0.5时,样品基本为单相,呈立方相;晶胞体积随x的增加而增加,在x=0.4时开始减小。XPS测量发现,样品中存在Ti离子的变价。讨论了Ti离子价态的变化对晶格参数的影响。  相似文献   

3.
 本文在成功地用超高氧压(~6.5 GPa)及高温(~980 ℃)合成和结构测定的基础上,首次对金属性化合物中LaCuO3中的Cu3+离子给予标定,并研究了它与绝缘体中Cu3+的区别。本论文中合成的LaCuO3为金属性化合物,电导率测量表明在大于13 K无超导电性迹象。XPS测量给出了LaCuO3中Cu2p3/2内层电子结合能相对于La2CuO4或CuO中的Cu2+向高结合能方向移动了约2.6 eV,这一量值远大于NaCuO2(绝缘体)中的Cu2p3/2相对于CuO中的Cu2+移动的值,约为1.3 eV。Auger谱测量表明,LaCuO3的修正了的Auger参数与CuO的基本相同,但L3VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8 eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO3中,Cu3+处在八面体位置上,它与近邻的Cu3+连成单个Cu—O—Cu桥,因此可作为对比p型高Tc含铜氧化物的XPS谱的标准。  相似文献   

4.
 利用“顶角氧掺杂”机制,即以二价氧部分替代顶角一价氯,用Ag2O做氧源,在高温高压下制备了单相的Ca3Cu2O4+δCl2-y样品。X射线衍射分析发现,随着Ag2O含量的增加,Ca3Cu2O4+δCl2-y样品的晶格常数a逐渐变小,c逐渐增大,体现了空穴掺杂的本质。进行了电阻率和磁化率测量,没有发现超导性,可能是空穴载流子没有达到合适的浓度所致。  相似文献   

5.
 本文采用超高氧压2.3 GPa合成方法,得到超导相含量大于30%的超导化合物La2CuO4+δ所采用的压力是目前所见报导中对La2CuO4化合物施加的最高氧压。湿化学方法测量给出过量氧含量δ=0.05±0.01,而TGA(氮气中)给出δ=0.143。高氧压合成产物经在空气中、不同温度下加热,然后淬火到室温,结果发现超导体在200~300 ℃的加热处理中存在着一个一级相变。经此相变后,超导体转变成反铁磁半导体。TGA及DSC证实了此相变的存在。该相变前后所联系的氧含量变化恰好为湿化学方法给出的结果,这部分与超导电性存在联系的过量氧,实际上引起了Cu2+向Cu(2+2δ)+的转变。该结果强有力地排除了所谓“超氧化物”引起超导电性的可能性。  相似文献   

6.
 采用高温高压方法分解缩聚三聚氰胺(C3N6H6),得到一种棕黑色粉末。经过X射线粉末衍射分析,产物主要由未完全分解的原料、碳和分解过程中的过渡相组成。透射电镜观察结果显示,过渡相在某一方向具有长周期结构;在扫描电镜下观察形貌,产物为片状组织,且其中有少量气孔;X射线能散结果表明,C∶N≈3.27∶1(原子比);此外,进行了红外吸收谱和X射线光电子能谱测试,产物主要键合状态是C(sp2)=N和C(sp2)—N。  相似文献   

7.
 利用X射线衍射和Eu2+发射光谱方法研究了非晶玻璃SrB4O7在高温高压下的晶化。结果表明:在5.0 GPa压力下,200 ℃仍为玻璃态,只有几个强度极低的小峰,表明有晶化的迹象;600 ℃时已基本晶化,但为SrB4O7正交相与SrB4O7高压立方相二相共存;当温度提高到1 000 ℃时,晶化成了近单相的与常压SrB4O7粉末晶体相同的正交结构。伴随晶化度的加强,Eu2+发射强度增强,与X射线衍射结果相一致。  相似文献   

8.
 本文解释了La2CuO4+δ(0≤δ≤0.09)和La2-xSrxCuO4(0≤x≤0.3)两种p型系统含铜稀土氧化物中的电阻和Seebeck系数与温度的依赖关系,在室温以上,一氧大气压下的La2CuO4+δ系统趋于失氧;在500 K以上,超导样品显示出失氧的一级相变,并且恢复到反铁磁相。在转变温度T1≈300 K以下,对0<δ<0.05成份的样品,相分离成反铁磁相和超导相;而在Tcρ≈100 K的温度范围内,超导相进一步分离成富空穴和贫空穴畴。在0.04≤δ≤0.09范围内,Tc处的电阻陡降出现了台阶;我们认为,它反映了电子成对的起伏。在La2-xSrxCuO4系统中,对于成分为01≈300 K以上,空穴的运动是弥散的,但是ΔHm=0;而对于x≥0.22的样品,经历了从平滑到Fermi液态的转变。成份为0c1范围(其中空穴继续以弥散方式运动)是亚稳的,但是,在Tcρ≤150 K范围,出现了电荷起伏。当样品冷却通过T1时,对于成份为0.15≤x≤0.2的样品,经历了由弥散到强质量增强巡游电子状态的转变;在Tc处,从均匀的修饰电子的正常态凝聚成超导的载流子对。在超导成份样品的正常态中,不寻常的电子-晶格相互作用,可以归结为在CuO2面上从更离子性的到共价性的Cu:3dx2-r2─O:Pσ键合的转变;通过这种转变,轨道杂化和Hubbard U参量随Cu─O键长和Cu原子上的外表局域氧化态都产生灵敏的变化。  相似文献   

9.
 本文利用X射线粉末衍射和位敏探测技术,研究了R2Fe4/3W2/3O7(R=Er、Yb、Dy)化合物经高温高压处理后的变化情况。在3.7 GPa,1 200 ℃条件下,六方相R2Fe4/3W2/3O7化合物按两种方式分解,而直接由R2O3,Fe2O3和WO3原料出发,经上述同样的高温高压条件合成所得的产物与六方相高温高压分解产物相同,均为R2WO6、RFeO3、WO3和Fe2O3的多相聚合物。同时给出了R2Fe4/3W2/3O7六方相高温高压下的稳定区范围。  相似文献   

10.
 利用高压合成方法,在压力为2 GPa、温度为900 K的条件下,以NaN3作为添加剂,成功地合成出了Na填充型的方钴矿化合物CoSb3。X射线衍射(XRD)研究结果表明,当Na填充量达80%时,合成的Na填充型方钴矿化合物CoSb3仍为单相方钴矿结构,没有Na和NaN3等杂质峰。在室温下对不同Na填充量的样品进行了电阻率(ρ)和Seebeck系数(α)的测试,研究了不同Na填充量对样品电阻率、Seebeck系数和功率因子(α2σ)的影响。研究结果表明:室温下,样品的电导率随Na填充量的增加而增大,Seebeck系数的绝对值随Na填充量的增加而减小。当Na填充量为0.4时,样品获得了最高的功率因子(8.72 μW·cm-1·K-2),此值高于He等报道的利用热压法制备的CoSb3的值。填充量对样品电输运特性的影响规律与Pei等研究的K填充型CoSb3的研究结果相一致。上述研究结果表明,高压合成技术有利于提高填充型方钴矿化合物的填充量,并有效地提高样品的电输运特性。  相似文献   

11.
李相民  王存让 《光子学报》1994,23(2):139-144
本文利用Auger分析技术和C-V测量方法,详细地研究了PECVDSi3N4/InP界面特性,Auger能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散,同时InP的热分解导致P元素穿过Si3N4薄膜到达表面。C-V测量表明Ag/Si3N4/InPMIS结构可以实现载流子的堆积、耗尽和反型。  相似文献   

12.
 在高温高压下合成出了单相的Ba2CuO2Cl2化合物,在高压下对该化合物晶体结构的稳定性进行了研究。结果表明,在实验测量的压力范围内,Ba2CuO2Cl2化合物的晶体结构是稳定的,并且其压缩性表现出较强的各向异性,计算得到了Ba2CuO2Cl2化合物的体弹模量和状态方程。  相似文献   

13.
 采用金刚石压砧高压装置(DAC),对具有Cu—O链结构的Ca2CuO3的多晶粉末样品进行了高压同步辐射能散X射线衍射实验。实验结果表明,在0~34 GPa压力范围内,Ca2CuO3晶体没有发生结构相变,用Birch-Murnaghan状态方程拟合,得到在压力导数B′0=4时,零压体弹模量B0=165.4±1.8 GPa。  相似文献   

14.
 通过B2O3与Mg和Li3N分别在不同温度压力条件下的反应,用X射线方法研究了生成物的物相。当采用Mg与B2O3为原料时,其产物是Mg3B2O6;用Li3N与B2O3反应时,产物中除了Li3BO3,还有立方氮化硼(cBN)生成。这表明,当原料中含有相同数量B2O3时,用Mg和Li3N分别作触媒合成立方氮化硼,将得到不同的结果。  相似文献   

15.
 本文研究了冷压(2.2~5.2 GPa)与热压(2.2 GPa,2.50~950 ℃)对YBa2Cu3O7-δ的正交→四方相转变区和超导电性的影响。冷压保持其正交结构,但破坏了超导性,在98 K(失超点)到室温呈半导体特性,再在空气中烧结,可恢复液氮温区的零电阻状态。以Cu锅密封样品,热压处理至950 ℃,不发生Cu的析出。热压处理后,98 K(失超点)到室温呈半导体特性,再经通氧烧结,于86 K出现零电阻。热压处理过程,从450~950 ℃为正交→四方转变区。950 ℃为转变结束温度,大大高于氧气、空气、氮气、真空状态的温度。400 ℃附近为起始转变温度,低于氮气、氧气气氛的温度。因此相变区加宽。T0-t结束温度升高,与Cu锅的抑制还原作用有密切关系。如降低高压淬火速率(<<102 ℃/s),或随后辅以氧气氛中的后处理,将有利于获得既有高密度又有高Tc的YBa2Cu3O7-δ超导体。  相似文献   

16.
 结合高能球磨和高温高压实验技术,制备了块体TiN/TiB2纳米复合材料。通过X射线衍射和拉曼光谱对材料的微观结构进行了研究。结果表明,采用金属Ti和六方BN为原料,在球磨过程和高温高压实验过程中,TiN先于TiB2形成,球磨70 h后有少量的纳米晶TiN开始形成。在高温高压实验中,在样品腔的合成温度低于1 300 ℃时,没有TiB2出现;当温度达到1 300 ℃后,合成出了TiN和TiB2的复合材料。对所合成的块状材料的热膨胀性和导电性能进行了测试。  相似文献   

17.
 在0.1 MPa到0.5 GPa压力范围内,采用脉冲回波重合法(Pulse-Echo Overlap Method)测量了MgCNi3超导体的横波及纵波声速,计算了体弹模量B、剪切模量G等弹性参数以及德拜温度、比热等热力学参数随压力的变化。常压下的θD与cV的值分别为454.82 K和111.30 J/(mol·K)。对B-p曲线作线性拟合,得到体弹模量B0在零压附近的导数B′0,由此建立了MgCNi3的状态方程。  相似文献   

18.
 采用高压下的固相反应方法,成功地合成了具有空间群I4/mmm的理想三层结构化合物Ca4Mn3O10。用电子显微学方法对此结构进行了研究,并提出了近似的结构模型。基于提出的模型,进行了电子衍射图和高分辨像的模拟,并与实验结果进行了比较。  相似文献   

19.
SnO2:Zr薄膜对SO2气体的光学气敏特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
汤兆胜  赵强 《光子学报》2000,29(3):277-281
采用双靶反应溅射制得SnO2:Zr薄膜,并对它作了150°C下SO2气敏光学特性试验,首次发现在适当工艺条件下制得的SnO2:Zr薄膜在近红外波段(1.7~3μm)对SO2气体具有明显的光学气敏特性,在2.65μm附近透过率上升幅度达10%左右.Zr的引入增强了SnO2薄膜对SO2的吸附能力.用二次离子质谱对吸附SO2前后的薄膜作了组分相对含量分析.本实验结果对今后研究高性能SO2气敏传感器有一定的价值.  相似文献   

20.
 利用X射线衍射分析和Rietveld结构精修的方法研究了固相线下Pr1-xBa2-yCax+yCu3O7±δ体系的相关系和晶体结构。研究表明:950 ℃、空气条件下,Pr1-xBa2-yCax+yCu3O7±δ(y=0)体系系列样品总是含有两相:Pr123(PrBa2Cu3O7±δ)和BaCuO2;而且,随Ca含量的增加,杂相BaCuO2的含量也随之增加。Pr1-xBa2-yCax+yCu3O7±δ(x=0)体系y=0.1、0.2、0.3、0.4的样品都只含有Pr123单相;y=0.5的样品含有3相:Pr123、Ca2CuO3和Pr4Ca10Cu24O41。另外,Pr1-xBa2-yCax+yCu3O7±δ(x=0)系列样品(y=0.1、0.2、0.3、0.4)中Pr123相还发生了正交-四方晶系的结构转化。y=0.1和0.2的样品为正交晶系,晶胞参数分别为a=0.390 33(4)和0.389 36(1) nm,b=0.389 53(4)和0.387 73(1) nm,c=1.173 38(4) 和1.168 20(2) nm;y=0.3和0.4的样品为四方晶系,晶胞参数分别为a=b=0.387 80(0) 和0.387 67(0) nm,c=1.166 00(2) 和1.165 20(2) nm。在Pr123结构中,Ba离子可以被Pr离子代替,但不能被Ca离子所代替。Ca离子占据部分Pr离子的位置。在Pr1-xBa2-yCax+yCu3O7±δ(x=0)体系中Pr、Ba和Ca离子间的相互替代中,离子半径比化学性质起到了更大的作用。在950 ℃、空气条件下,Ca离子在Pr1-xBa2-yCax+yCu3O7±δ体系中的最大溶解量是当x=0时,y≤0.4。  相似文献   

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