正/负双层光刻胶厚膜剥离技术

首次介绍一种正／负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸精度。10μm厚蒸发膜层的横向尺寸差可控制在5μm内。     

图形反转工艺用于金属层剥离的研究

研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术.用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm.得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4 000 r/min,前烘温度100 ℃,时间60 s,曝光时间0.3 s,反转烘温度110℃,时间90 s,泛曝光时间2 s,显影时间50 s.用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论.     

图形反转方法制备MEMS器件电极的研究

研究了利用AZ5214光刻胶图形反转实现抗腐蚀金属NiCr剥离的关键工艺步骤,该方法可以用于制备金属电极,进而优化器件性能.理论上讨论了图形反转的形成机理,根据Dill理论对光刻胶曝光模型进行了推导,并使用MATLAB模拟工具对其进行了仿真.通过优化各项工艺参数,得到了最佳倒台面结构,并制备了精度达到1μm宽的用于MEMS器件的金属NiCr电极.     

厚膜电阻噪声特性及微调图形对噪声的影响

本文讨论了厚膜电阻器的噪声种类、特性及其产生机理,并提出了减小厚膜电阻器中1/f噪声的途径和方法。文中还讨论了电阻器的微调图形对噪声增量的影响,以及如何减小微调后的噪声增量等。     

厚胶光刻工艺技术

本文通过对SU-82075负性光刻胶技术的研究，初步解决了厚胶工艺中易出现的胶的均匀性问题，并研究了厚胶曝光工艺。用EVG620型曝光机获得了厚度为100μm、高分辨率的厚胶图形。     

低温烧成的双层厚膜电容器

<正> 一、引言 铁电介质具有高度自发极化,介电常数高,但其极化与温度相关,因而容量随温度急剧变化。另外,介质的性质还取决于烧成温度。 为了改善容量-温度特性而不降低介电常数,可应用叠加原理,制成双层厚膜电容器。     

正胶铬板图象反转技术的研究

本文阐术了在Ｓ－１４００正胶中加入适量咪唑，使正胶不仅具有原来特性，而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时，用这种胶涂敷的铬板既可当正胶板用也可作负胶板用，即得到“正负两型”铬板。     

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于3D微机械结构的制作.本文选用AZ4620和SU-8两种光刻厚胶,采用德国卡尔*休斯公司的MA-6双面对准光刻机,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究,结果表明,负性光刻胶SU-8的光敏性好,胶结构图形的侧墙较陡直,能够实现较大的深宽比,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证.     

S—RRC中膜厚均一性的实现

本文主要介绍了通过采用S-RRC(SUPPER REDUCED RESIST CONSUMPTION)技术来进行光刻胶膜厚均匀性的调整，从而降低光刻涂胶中光刻胶的使用量，最终达到降低光刻成本目的。     

烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响

采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量.     

钢基板厚膜环形电位器的研制

传统的陶瓷基板厚膜环形电位器不能承受高过载。选用不锈钢板作为基板材料,被覆绝缘介质,在其上印制厚膜电路,然后烧结,制作了钢基板厚膜环型电位器。该电位器经过温度循环、抗过载、机械强度和动态射击试验,结果表明:被覆绝缘介质不锈钢基板厚膜环型电位器具有过载值高(18000~20000g)、动态电阻装定精度高(误差小于1%)等优点,满足高过载使用要求。     

缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响

采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,及SiO2缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构。结果表明,缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散,样品的d33、εr等都有所提高,所制得的压电厚膜d33为285pC/N,εr为1210,Qm为1330,kp为0.54。     

厚膜熔断器的电气特性模拟

利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模型,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和数值模拟的误差率为3.00%~4.00%,为熔断器的设计制造提供了方法和理论依据。     

微型笔直写制备厚膜阻性元件技术研究

为了实现电子元器件的快速制备,设计并实现了一种微型笔直写装置。利用该装置进行了电阻浆料的直写制备。研究了直写电阻元件的工艺特点、表面形貌和性能。得到了优化的工艺范围:笔头通径100～450μm,笔头到基板表面距离8～20μm,电阻高温烧结之后线宽100～500μm,膜厚5～15μm。所直写的电阻边缘整齐,表面较平整,烧结后,方阻约为0.92 kΩ/□。     

Pt-Pd-Ag厚膜导体的粗Al丝键合

采用破坏性拉力试验和焊点接触电阻测量两种方法测试Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ三元合金导体的粗Ａｌ丝超声键合的性能。分别在１２４℃，１０００ｈ和３００℃，１０ｈ条件下进行热老练和温度循环等环境试验，然后测量焊点的键合强度。在室温和１２５℃高温条件下，观察了Ａｌ／Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ超声键合系统抗电流冲击的能力。试验结果表明：Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ厚膜导体适于粗Ａｌ丝超声键合，键合强度能满足要求。     

金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究

开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。     

微桥结构PZT厚膜红外探测器研究

利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构.使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数.结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×...     

电泳沉积法制备纳米CoFe2O4厚膜

利用电泳沉积法在Pt/Al2O3衬底上成功制备了纳米CoFeqO4厚膜,分析了电泳沉积纳米CoFe2O4厚膜的影响因素.利用Zeta电势测试仪测试了悬浮液的Zeta电势和电导率,利用X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜分析了厚膜的组分和微观形貌,利用振动样品磁强计和漏电流测试仪测试了厚膜的性能.结果表明,电泳沉积法制备C...     

粉末-溶胶法制备掺LaPZT0-3型厚膜

用粉末 -溶胶 0 - 3型厚膜技术制备出厚度为 10μm的 PL ZT厚膜。PL ZT超细陶瓷粉采用 sol- gel法制备 ,这样保证了其化学组分的准确 ,降低了合成温度。在 Pt底电极上 ,掺 L a PZT (PL ZT- 8/5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [111]与 Pt的取向一致 ,而纯 PZT(PL ZT- 0 /5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [10 0 ]。在同等工艺条件下 ,掺 L a PZT厚膜晶粒大于纯 PZT厚膜的晶粒。厚膜介电、铁电性能分别使用 HP4192 A低频阻抗分析仪和 ZT- 铁电材料参数测试仪进行测试 ,结果表明掺 L a PZT厚膜的频率特性较好 ,矫顽电场强度 Ec有显著降低。