太阳能电池通过掺杂测试

近期,《自然-通讯》期刊报道了一种控制掺杂(Doping)的方法,能提高薄膜太阳能电池的效率。新技术有助于制造低成本太阳能电池。制造薄膜太阳能电池比制造传统硅太阳能电池要便宜,但薄膜太阳能电池一般效率很低。掺杂是指在材料中掺入少量金属元素,这种方法有助提高薄膜太阳能电池效率,但制造过程有机会破坏材料的电子特性。瑞士联邦材料科学与技术实验室Lukas Kranz教授与其研究团队现在克服了这个障碍,成功在碲化镉(CdTe)太阳能电池中掺入铜。他们利用气相沉积法和温热处理法仔细地控制掺杂在CdTe     

铜囊包裹样品-脉冲熔融红外吸收光谱法测定增材制造用铝合金粉末中氧的含量北大核心CSCD

增材制造也叫3D打印,是这几年的新兴产业,能满足个性化以及形状复杂产品制造需求[1]。铝合金以其优良的物理、化学及加工性能,在传统铸造、锻造行业中被加工成各种性能的产品,广泛应用于航空航天、交通运输等领域[2-3]。随着增材制造技术的成熟,铝合金粉末成为制造工艺复杂产品的常见原材料[4],成型工艺主要为激光熔融。     

PADAT光度法连续测定铜和钴

5-[(2-吡啶)偶氮]-2,4-二氨基甲苯(PADAT)及其卤代物作为测定钴和钯的优良显色剂,已有许多报导,有关铜(Ⅱ)与PADAT显色反应的研究则尚未见报导。我们研究了铜(Ⅱ)和PADAT形成络合物的条件并着重研究了在同一称样中用光度法连续测定铜和钴的可能性。     

铜纳米线的液相制备及其表面修饰研究进展

在现代纳米科学技术领域中,铜纳米线由于具有独特的光学、电学、力学和热学性质而成为制备透明柔性导电电极的优良材料。铜价格低廉,自然存储量较大,是实际应用中替代贵金属的理想材料。然而,将铜离子还原为单质铜比较困难,且单质铜非常容易被氧化,这成为应用中亟需解决的关键问题。如何制备单分散、稳定且具有抗氧化性的铜纳米线也成为该领域的研究热点。在各种制备铜纳米线的方法中,液相还原法不仅可以解决以上问题,且该方法具有制备条件限制少、成本低、简单易行等优点而被广泛应用于铜纳米线的大量合成。本文从铜纳米线的研究背景和研究价值入手,首先综述了不同（光滑或粗糙、单晶或孪晶）铜纳米线的液相制备方法及其生长机制。讨论了铜纳米线的氧化及其抗氧化表面包覆问题。最后对铜纳米线的研究意义和应用前景做出展望。     

印制电路中电镀铜技术研究及应用

电镀铜技术是制造印制电路板、封装载板等电子互连器件的核心技术.本文介绍了印制电路中电镀铜技术及其发展概况,主要总结了电子科技大学印制电路与印制电子团队在印制电路电镀铜技术基础研究和产业化应用等方面的工作.首先,以三次电流分布理论为基础,采用多物理场耦合方法构建阴极表面轮廓线随时间变化的镀层生长过程模型.该模型描述了铜沉...     

高端电子制造中电镀铜添加剂研究进展

电镀铜填充微孔技术是集成电路高端电子制造中电子互连材料制程中的主要技术工艺,铜互连材料的填充质量直接影响集成电路的可靠性和稳定性.电镀添加剂是实现电镀铜填微孔及影响填充质量和行为的关键因素.针对当前集成电路发展对高密度电子互连材料制造的高要求,本文概括了近些年国内外集成电路上电镀铜添加剂的研究现状,着重阐述加速剂、抑制剂和整平剂分子结构与表界面作用机制以及添加剂协同作用下实现超填充的填充机制,并针对现有研究现状提出未来需要深入探讨的科学问题和研究方向,为电子电镀铜添加剂的开发提供参考.     

我国古代关于铅的化学知识

铅铅的熔点低,冶炼方法简单,继铜锡之后就有了铅。我国考古工作者已发现,公元前十四世纪至十三世纪的商代中期,有两件出土铜器的含铅量分别为24.45及21.76%,当时已掌握     

从文物中学化学——铁、铜性质主题式复习教学设计与实施

选择"铁、铜性质主题式复习"为案例,以铁器和铜器文物为主题背景,将铁、铜性质的复习与文物知识的介绍结合起来,使学生在学习过程中主动建构知识,在复习化学知识的同时,接触了一些文物知识,拓宽了视野,激发了学习兴趣。     

基于p-6P异质诱导生长酞菁铜薄膜的NO2传感器

为实现室温下低浓度NO₂气体检测,制作了p-六联苯(p-6P)诱导层的酞菁铜有机薄膜传感器。利用原子力显微镜(AFM)研究了不同沉积速率下p-6P薄膜的生长规律,慢速沉积提供足够的分子扩散时间,利于薄膜横向生长,形成高度低、尺寸大的晶畴。在p-6P薄膜上生长了酞菁铜薄膜,可以清晰看到晶畴上酞菁铜薄膜的有序排列。利用X射线衍射(XRD)仪,阐明了p-6P对酞菁铜薄膜具有很好的诱导效应。通过对比不同沉积速率p-6P薄膜诱导的酞菁铜传感器性能,发现慢速沉积诱导层的酞菁铜器件有高的响应强度和低的回复时间。异质诱导生长的酞菁铜传感器响应强度是直接生长在二氧化硅上的酞菁铜传感器的2倍,回复时间是3.2 min,对浓度为1.0 × 10^-5的NO₂气体灵敏。     

秦始皇陶俑坑出土的铜镞表面含铬氧化层研究

一九七四年在我国陕西省临潼发掘出的秦始皇陶俑坑气势磅礴,著称于世。所出土的大批珍贵文物为研究我国古代政治、军事、科技与生产提供了可靠的证据。据报导在一号坑与二号坑两个坑出土的铜器上万件,而铜镞就有8400件之多,其中具有黑色表面的铜镞不仅外形有别,而且有的表面乌黑而光亮,似经过抛光处理的;有的表面黑而并不光亮,似未经抛光处理。检测其中一枚具有乌黑而光亮的铜镞表面发现含有铬。铬是现代生活中的常见元素,在化合物中它的稳定氧化数是+3、+6,氧化数为+4的化合物近20—30年来仅以     

铜电结晶的研究进展

铜具有的优良导电性和机械加工性能以及其电沉积工艺的诸多优点,决定了铜电沉积在各行业特别是近年在高新技术中的广泛应用。铜的电结晶过程是铜电沉积的初期阶段,它决定了后续的电沉积过程及最终镀层的结构和性能,因此一直是研究的热点。本文综述了铜电结晶的研究方法、电结晶理论研究的进展,详细讨论了pH值、添加剂、金属离子、基体以及电沉积条件等因素对铜电结晶的机理和成核动力学的影响,并对研究中存在的问题提出了展望。     

玻璃中纳米半导体质点的形成与光吸收

玻璃的生产和应用已有长久的历史，但人们对它的认识长期处于经验阶段，铜红、硒红、锑红玻璃的着色被认为是胶体铜、（CdS）x·（CdSe）1－x及Sb2S3引起的，未涉及着色机理问题．六十年代初有学者对铜红玻璃的胶体铜粒子着色提出异议，认为是胶体Cu2O引起的，本文作者在分析了铜红、硒红、锑红玻璃的制造同着色现象后，根据物质只要具有几十埃大小的有序结构就有块状晶体一样的能带结构，认为引起这些玻璃着色的应是纳米Cu2O、（CdS）x·（CdSe）1－x及Sb2S3的半导体性，并指出可以用在玻璃中形成纳米尺寸半导体的办法制造具有预定…     

高端电子制造中电镀铜添加剂作用机制研究进展

铜互连电镀是芯片等高端电子器件制造的核心技术之一,明晰相关镀铜添加剂的作用机制将促进先进铜互连技术的发展.本文针对硫酸镀铜体系,侧重从方法学角度总结了加速剂、抑制剂、整平剂三类添加剂的界面吸附结构以及在电镀填铜过程中的微观作用机制,分析讨论了不同研究方法的特点与局限性,并归纳了芯片互连电镀过程中存在的科学问题,为先进制...     

油脂与醣类作化学上加工制造的学校实验(四)——人造丝制造

无论从废物利用的观点或从技术上成就的观点来看,铜氨人造丝的制造是学校中最可行的演示实验。铜氨法说明所有人造丝制造(不是合成的)的基本原理——纤维素溶解於适当溶剂而后从溶液中分出人造丝——最简单。铜氨人造丝制造法是基于纤维素可溶于氩氧化铜的氨溶液中的性质。人造丝制造实验可分为下列各步骤:1)铜氨液的配制;2)纺丝液的制备(纤维素溶液,例如棉花溶于铜氨溶液);3)自溶液中纺出丝;4)丝的洗清与干燥。这些程序除了二点之外基本上反映了生产操作程序。第一点人造丝工厂用木材分离出     

N-杂环卡宾铜配合物在催化领域中的应用进展

N-杂环卡宾已经成为金属有机化学、无机配位化学等领域广泛使用的优良配体,尤其是其过渡金属配合物在催化领域中取得了丰硕的成果。其中N-杂环卡宾铜配合物的相关报道虽然出现较晚,但相比于含Ru、Pd等贵金属催化剂及以有机膦为配体的过渡金属配合物,其不仅有价格低廉、低毒等优势,还在共轭加成、[3+2]环加成等反应中表现出优良的催化活性,成为目前的研究热点。本文总结了近年来N-杂环卡宾铜配合物在催化领域中的研究进展。     

采用优化的DFTB参数对铜(111)表面碳二聚化的分子动力学研究（英文）

针对铜表面化学反应,我们发展了一套铜-碳体系的密度泛函紧束缚(DFTB)参数。测试结果表明这套参数可以很好的描述吸附铜或碳原子前后铜表面的几何结构和能量。基于这套参数,我们对Cu(111)表面的碳二聚化过程进行了分子模拟研究。即使在高温下,直接的分子动力学模拟也很难观察到碳二聚体的形成。这是因为高温下铜表面显著的结构弛豫一定程度上阻止了二聚化。为了研究高温下铜表面碳二聚化的机理,我们进行了赝动力学模拟。发现在二聚化的过程中,碳原子形成C-Cu-C桥状结构以后,会绕中间Cu原子转动,最后形成碳二聚体。1300 K下碳二聚化的自由能垒约0.9 eV。     

古铜器表面化学处理的研究

我国对铜器表面的化学处理历史悠久、工艺多样,但有文字记载的很少,叙述也很简单,如能以无机化学知识为基础,应用现代金属表面分析手段检测一些出土铜器,必将有助这方面研究工作的开展,从而丰富我国古代的化学史。法国考古学家卫松(Andre Vayson)1922年在对我国周戈等兵器研究中发现其表面有镀锡层后认为:“中国古代,已有外镀,殊可钦异”,…这     

采用优化的DFTB参数对铜(111)表面碳二聚化的分子动力学研究

针对铜表面化学反应,我们发展了一套铜-碳体系的密度泛函紧束缚(DFTB)参数。测试结果表明这套参数可以很好的描述吸附铜或碳原子前后铜表面的几何结构和能量。基于这套参数,我们对Cu(111)表面的碳二聚化过程进行了分子模拟研究。即使在高温下,直接的分子动力学模拟也很难观察到碳二聚体的形成。这是因为高温下铜表面显著的结构弛豫一定程度上阻止了二聚化。为了研究高温下铜表面碳二聚化的机理,我们进行了赝动力学模拟。发现在二聚化的过程中,碳原子形成C-Cu-C桥状结构以后,会绕中间Cu原子转动,最后形成碳二聚体。1300 K下碳二聚化的自由能垒约0.9 eV。     

试论儒法斗争对我国陶瓷工艺的影响

“在中华民族的开化史上,有素称发达的农业和手工业,有许多伟大的思想家、科学家、发明家、政治家、军事家、文学家和艺术家,有丰富的文化典籍。”中国陶器和瓷器的产生和发展充分证明了毛主席这一英明论断。早在新石器时代晚期(即仰韶文化晚期),我国已出现制造陶器的重要工具——陶轮。这对陶器的生产具有很大的促进作用。龙山黑陶分布之广和制作之精巧、造型之规正都只能在陶轮被广泛使用之后。到了三千多年前的商代已发现了少量釉陶。从无釉陶到有釉陶,为从陶进化到瓷完成了极为重要的一步。从我们对张家坡西周居住遗址中所发现的青釉陶瓷碎片的研究工作来看,可以认为早在西周时期,或更早的年代我国已能生产出在成分和烧成温度上都已接近后来瓷器的青釉器。经过汉代及三国到了隋唐时期,我国已能进一步制造出胎质坚致,不吸水,色白,半透明和釉面光滑莹洁的硬质瓷,比西方约早千年左右完成了由陶进化到瓷的过程。到了宋明以及清初,中国瓷器几乎遍及世界各地区,誉满海外。制瓷技术也影响到许多国家,为人类文化的进步作出了重大的贡献。价廉物美瓷器的大量制造,很快就取代了铜器、陶器和昂贵的漆器,同时给手工业的发展打开了一条宽广的道路,如同造纸一样是人类文化史上的一个大创造。我国亦     

芯片铜互连研究及进展

本文详细介绍芯片制造中铜互连技术,综述酸性硫酸铜电镀工艺要点及常用添加剂作用机理,并概述国内外新型添加剂研究进展. 在此基础上,展望新型铜互连工艺替代酸性硫酸电镀铜工艺的可能性.