SOI材料的发展历史、应用现状与发展新趋势(下)

4.SOI的应用领域4.1SOI的高端应用—8英寸和12英寸的薄膜SOI国际SOI市场95%的应用集中在8英寸(1英寸=25.4毫米)和12英寸大尺寸薄膜SOI,其中绝     

红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究

在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si／GexSi1－x／Si量子阱结构．在此基础上，采用常规的P－MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P－MOSFET．为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化，MBE以后除快速热退火（RTA）以外的所有工艺温度都不超过800℃．直流特性的测量结果表明，与普通Si沟道器件相比，GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高．而且，这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力．     

扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究

在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了20025m2的单晶区。     

美应用材料称：45nm IC将于明年“摆上货架”

日前，在旧金山举行的美国国际半导体设备及材料展览会上，美国应用材料公司（AppliedMaterial）推出多款新型制造工具，并表示全球首款采用45nm制程工艺生产集成电路于2007年将摆上货架，另外以32nm节点生产的芯片将只能在2007年之后推出。     

追求卓越 共谋发展——访应用材料中国公司总经理陈荣玲先生

在当今迅猛发展的信息时代，如果没有英特尔，也许我们可以用AMD或威盛的芯片，我们的手机可以照常通话，电脑可以照常使用，但是，如果没有应用材料公司(Applied Materials，Inc)，芯片生产商都要皱眉头了——-几乎所有的芯片生产商都在使用这家世界排名第一的半导体设备供应商所提供的设备。     

GaN材料的特性与应用

本介绍了GaN材料的特性、生长及应用，并展望了其应用前景。     

高品质石英材料的生产及应用

1 引言 集成电路是现代信息产业和信息社会的基础,是推动当代世界经济发展的核心驱动力。随着我国半导体产业的快速发展,全球半导体产业链继续向中国转移,不管在消费领域还是在电子产品生产领域,中国都将成为国际半导体产业非常重要的一环。     

集成电路产业的振兴要从设备材料抓起

我们在评论中国足球时最爱用的一句话是：“足球要从娃娃抓起”,说明了基础的重要性。集成电路在中国发展了几十年,最落后的是什么,是设备和材料。30年前国家为了振兴发展半导体产业,陆续开始进口整套集成电路工艺生产线,从3英寸,到6英寸8英寸,直到今天的12英寸,工艺线宽也从微米级发展到纳米级。     

低K材料在半导体集成电路中的应用与展望

在超大规模集成电路工艺中，有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅一直是金属互连线路间使用的主要绝缘材料，金属铝则是芯片中电路互连导线的主要材料。然而，相对于元件的微型化及集成度的增加，电路中导体连线数目不断的增多，使得导体连线架构中的电阻（R）及电容（C）所产生的寄生效应，造成了严重的传输延迟（RC delay），在130纳米及更先进的技术中成为电路中讯号传输速度受限的主要因素。     

软磁铁氧体材料的应用,发展现状与市场前景

介绍了软磁铁氧体材料的应用及发展现状，并对其国内外的市场前景进行了预测。