移动电话中的存储技术

3G或者未来的4G移动电话，以多媒体报文、视频流等应用为特征，对内存的要求将上升至百兆。这个变化扩大了对非易失性存储系统(如2G中的SRAM、NOR闪存等)的需求。将来对移动电话中的非易失性存储系统的要求是更高的容量(16～64MB)、良好的读写性能、高可靠性、低电源消耗、基于文件的存储、体积更     

存储技术

F—RAM：铁电随机存取存储器 赛普拉斯半导体在其产品系列中整合rRamtronInternational的铁电随机存取存储器（F-RAM）产品,提供了市场上丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。这种全新组合能够充分满足大量不问应用对于断电时保存数据的需求。     

新兴通用存储技术将成为远期市场主流

根据市场分析公司iSuppli的研究报告，新兴通用存储技术是未来存储技术发展的趋势，到2019年，兼是SRAM的速度、DRAM的密度与闪存的非易失性特点的存储市场可达到763亿美元。     

存储技术演进进行时

2005年是存储市场特别热闹的一年，DRAM市场低迷；凭借大容量和低成本优势，NAND市场风光无限并盖过NOR闪存；闪存技术厂商Saifun和Spansion（AMD和富士通的闪存合资企业）先后上市；Hynix和美光科技在NAND闪存市场攻城拔寨、瑞萨科技淡出NAND闪存市场，不再开发8-Gbit或更高密度的后续产品；英特尔和ST共推NOR闪存子系统规范。     

AND的增长重塑NOR市场——NOR供应商需寻求新的非易失性存储器技术

2005年第一季度NAND闪存收入首次超过NOR，iSuppli公司预测，尽管表面上消费类电子对于低成本固态存储器的巨大需求将推动NAND需求的增长，但NOR超越NAND的情况在未来几年将继续。     

ORNAND移动电话用可扩展存储子系统

Spansion公司推出一系列无线解决方案，该方案将90nm MirrorBit ORNAND闪存与其NOR产品系列相集成，从而进入针对移动电话市场的NAND领域。通过采用MirrorBit NOR执行代码和MirrorBit ORNAND存储数据，这些解决方案可以为多种移动电话提供完整的存储子系统。它可以在无线手持终端上支持具有DVD质量的视频、CD质量的音频和高达500万像素的照片。1Gb Minor Bit ORNAND MS器件适用于无线手持设备中的数据存储，一方面可以提供传统NAND解决方案所具有的NAND接口和具有吸引力的成本结构，另一方面又可以提供NOR闪存所具有的可靠性和高读取性能。     

存储器

针对手持产品磁盘驱动器的90 nm读取通道杰尔系统针对手持消费类电子产品市场推出新款功能齐全的90 nm Truestore读取通道。TrueStore Rc1300所需电流仅为上一代产品的一半,因而能够在无需再充电的情况下显著延长     

智能移动电话关键零部件现状及发展趋势

本文通过智能移动电话成本构成和零部件的功能作用分析,确定智能移动电话关键零部件,分析关键零部件的现状及发展趋势.基带处理器、应用处理器、存储器、显示模块、占据了成本的主要部分.操作系统、摄像模块是重要的功能模块.     

Spansion宣布未来无线数据存储设备发展计划

针对移动电话市场的统一闪存平台可将容量从16Mb扩展到5Gb新型ORNAND闪存架构将NOR代码执行和NAND数据存储功能集成到一个产品中     

JEDEC 2009闪存存储技术峰会，上海召开

闪存技术是移动通讯和个人计算机市场实现高密度非易失性存储的应用最广泛的解决方案。由JEDEC固态技术委员会主办的JEDEC2009闪存存储技术峰会3月31日在上海召开，会议介绍了来自领先的业内公司关于这一关键技术的最新的建议和提议的标准。     

FRAM-单芯片全能存储技术

从事嵌入式系统的设计工程师通常会根据需要保存的内容来选择存储器类型。一个简单的区分办法就是在非易失性存储器中保存可执行代码,而在易失性存储器中保存数据(需要存档的数据除外)。近年,随着消费类电子的兴起,包含图像和音乐信息的数据也开始使用     

非易失性RMA将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，     

JEDEC在上海、台北与圣何塞等地举办的闪存存储技术峰会取得圆满成功

从中国到美国加州，JEDEC固态技术协会举办的闪存技术峰会吸引了800多位工程师与产品设计师踊跃参加。分别于3月31日在上海、4月2日在台北以及4月6-7日在美国加州圣何塞举办的闪存存储峰会集中介绍了广泛用于移动与电脑市场的高密度、低能耗非易失性存储的闪存技术的最新技术建议与将要发布的标准。     

UltrastarSSD400M：硬盘

日立环球存储技术公司推出了一款UltrastarSSD400M硬盘,产品搭载了Intel的25nmMLCNAND闪存颗粒。     

减少RAM需求，65nm多路NOR串行闪存扩展到便携应用

拥有65nm工艺、支持1.8V电压、多路I/O口和非易失性配置等一系列新特点,恒忆的128Mb产品进一步扩展了NOR串行闪存的技术优点和应用领域。     

存储技术将何去何从？

闪存的等比例缩小很快就将遇到物理壁垒。目前正在研究的替代方案包括基于氮化物的结构、相变存储器、铁电RAM、磁性RAM和新的电阻翻转存储结构。     

未来的存储器

在高速增长的非易失性存储器市场中,浮栅NAND闪存一直以来都是主流技术。然而,随着持续每年以2倍以上速度的等比例缩减,人们普遍认为该技术很快就会达到物理极限。     

NOR闪存在手机及数字家电中的发展趋势

与仅追求大容量的NAND闪存相比，NOR闪存在容量和功能方面都有很大优势。从用于存储启动软件及超低价格手机的16Mb产品，到高端手机中采用的512Mb产品，有多种应用领域。特别是随着3G手机的不断发展，手机中NOR闪存的大容量趋势日趋明显。2006年底之后，1Gb产品也将上市。     

PCIeZ—DriveR5：固态存储系统

美满电子科技和OCZ技术集团PCIe存储系统Z-DriveR5。Z—DriveR5配备了由OCZ和Marvell联合开发的PCIe转NAND闪存控制器“Kilimanjaro”（“乞力马扎罗”）平台。