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Si3N4绝缘栅中两种表面基对pH—ISFET器件敏感特性的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
在表面基模型理论基础上,本研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体主其两种表面基的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响。在硅西/胺基=7/3附近时,得到电解液-绝缘体界面势对pH值的灵敏度最大,且线性响应范围宽。 相似文献
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前言 目前,飞速发展的生物学和生物医学工程迫切要求获得更多的生物学数据,特别感兴趣测量如H~ 、Na~ 、K~ 等离子活度及其离子活度的变化。大家知道,医生给病人看病,就是询问病情,化验血液、粪便等,直接或间接地获得有关病情的资料或数据,然后对这些数据进行处理,对症下药,一组科学的、真实的数据对病情诊断治疗方案都会产生直接的影响。人们渴望能制造测量人体生理数据的各种新型器件,如用离子敏感器件测人体血液的PH值,用压敏器件测血压等…以满足生物、医学工程发展的需要。最近,我们试验成功以Si_3N_4/SiO_2绝缘栅氢离子敏感晶体管,其灵敏度为45mV/PH左右,比我们去年试制的SiO_2绝缘栅离子敏感晶体管灵敏度好,予期它在测量人体血液中的氢离子活度方面将开辟出新的 相似文献
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本文研究了用不同的制备方法,以及制备不同厚度的Si_3N_4膜对集成晶体管电流增益的影响,取得了能明显地提高电流增益的最佳Si_3N_4膜厚及其制备的方法。通过对硅片平整度和少子寿命的测试,估计了Si_3N_4膜对硅片因热氧化而引起的表面应力的补偿作用,发现电流增益提升效果最佳的Si_3N_4膜与最佳的表面应力补偿相对应,这时的硅片少子寿命最长。 相似文献
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以前的研究表明,高能电子束只对α-Si_3N_4产生辐射损伤。而对β—Si_3N_4不产生辐射损伤。本研究表明,高能电子束对于β—Si_3N_4虽然不象对于α-Si_3N_4那样,产生较严重的辐射损伤,但也可以产生损伤。我们对这种结构损伤进行高分辨电子显微镜观察,并且在原子水平上进行了研究。研究结果指出,高能电子 相似文献
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LPCVD氮化硅膜的表面氧化对pH—ISFET特性影响的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文提出一种用高压蒸煮来处理LPCVD氮化硅膜的表面,可以抑制使用中慢氧化的方法。使用这种处理可以提高pH-ISFET的灵敏度、线性响应范围和稳定性。在此基础上,再用HF进行表面改性处理,不仅使pH-ISFET的灵敏度提高到接近能斯特(Nernst)理论值,而且稳定性也有一定的改善。 相似文献
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本文详细地叙述了用 Si_2N_4/SiO_2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃流变退火获得改善了的金属台阶覆盖层,较低的快态密度以获得好的 l/f 噪声特性和采用砷离子注入获得的高的寄生场阈值电压。 相似文献
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本文讨论了光刻工艺中Si_3N_4膜的几种化学腐蚀的工艺、原理及影响化学腐蚀的一些因素,并对干法化学腐蚀与湿法化学腐蚀进行了较为详细的比较。 相似文献
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射频反应溅射Si_3N_4薄膜的光学和电学性质,与制备条件有密切的关系.对Si_3n_4膜的折射率、红外吸收带、相对介电常数、淀积速率和腐蚀速度随溅射电压和混合气体(Ar和N_2)组份的变化规律作了研究.指出,在最佳溅射条件下的电场作用和电子、负离子对硅器件表面SiO_2层的轰击造成的热作用,有利于加速Si_3N_4膜对存在于SiO_2层中的Na~+的吸取和捕集过程,使硅器件的光学特性和稳定性获得显著的改善.而且,由于淀积时的基片表面温度低,可以利用常用的光刻胶掩蔽,进行定域淀积,简化了Si_3N_4膜的光刻腐蚀工艺. 相似文献
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刘昶时 《固体电子学研究与进展》2009,29(1)
根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。 相似文献
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用PECVD氮化硅薄膜对GaAs MESFET进行钝化,本文讨论了钝化对器件特性的影响,提出了一种改善GaAs器件表面的方法,结果表明利用该方法和PECVD氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压。 相似文献
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栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。 相似文献
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采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 ,并获取所需的存储陷阱分布参数 相似文献
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采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al∶Hf原子比的减少而增加。实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。 相似文献
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本文介绍用2.0兆电子伏的He~ 离子反向散射测量技术来测定能量为150~300千电子伏的锌、镓、砷、硒、镉、碲离子注入到SiO_2、Si_3N_4和Al_2O_3中的射程分布。测得的投影射程均比LSS理论计算值大至1.2—1.5倍。用归-化的LSS单位,在实验误差之内,投影射程ρ_p和能量ε之间的关系可以写为ρ_p=2.7ε。这个关系式对于算术平均原子序数为10和算术平均原子质量为20的离子都适用于上述三种靶。 相似文献
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基于流体动力学能量传输模型,研究了深亚微米槽栅结构MOSFET对小尺寸效应的影响,并与相应平面器件的特性进行了比较。研究结果表明,由于栅介质拐角效应的存在,槽栅结构在深亚微米区域能够很好地抑制小尺寸带来的短沟道效应、漏感应势垒降低等效应,且很好地降低了亚阈特性的退化,器件具有较好的输出特性和转移特性。 相似文献