能量色散X射线荧光分析中改进型基本参数法研究

能量色散X射线荧光分析方法是目前常用的一种多元素分析方法,但该方法检出限和分析精度,受到分析基体的影响。基本参数法是目前一种常用的分析方法,但在使用过程必须获取净峰面积和基体所有成分,而在实际使用时,尤其在分析低含量样品时,净峰面积计算、基体中“暗物质”影响了测量精度,制约了基本参数法的应用。针对基本参数法的不足,将谱线解析方法与基本参数法融合,将重叠峰剥离过程嵌入基本参数法迭代过程中。在含量计算过程中,采用分析样品特征X射线分支比的理论系数,对重叠峰进行剥离,解决能量色散X射线荧光测量中净峰面积计算和定量分析问题;在计算过程中,对“暗物质”进行均一化处理。通过对标准物质测量分析,结果表明对于Ni,Cu,Zn三个元素改进型基本参数法(改进型FP)测量结果准确度高于影响系数法。     

X荧光分析基本参数法软件关统 FLY-FPM研制完成并通过鉴定

中国科学地球化学研究所丰梁垣最近完成国家自然科学基金项目“X荧光分析基本参数法软件系数的开发研制”。该软件定名为ELY-FPM。它是一个多功能的软件包,由9个主要功能程序、28个子程序、9个实用辅助程序和2个基本物理参数数据文件组成;可进行基本参数法、理论α系数法或二者相结合的分析和计算;适用于Na(11)—U(92)之间的元素     

理论α系数在铝硅耐火材料X射线荧光光谱分析中的应用——理学基本参数法程序的应用之一

国内外早已采用熔融法X射线荧光光谱测定耐火材料中主元素,人们普遍认为采用X荧光测定铝硅耐火材料的最终产品,与化学法相比,分析时间要快好几倍。国内在测定铝硅耐火材料时,几乎都是用一套标样的回归法求取经验系数。本文将利用日本理学的基本参数法程序,对理论α系数应用于铝硅耐火材料分析方面进行了探     

基本参数法和经验系数法相结合的一种新尝试

本文提出应用Shiraiwa等人推导的X射线荧光强度的理论公式计算一组包含各试样组分的浓度所对应的理论强度,再根据设定组分浓度和计算得到的理论强度比求解R-H方程中元素间相互作用系数,为了修正理论计算的强度比和实验测得的强度比之间的偏差,我们用Delta系数法予以改善,将此法(基本参数法和Delta系数法相结合的方法,简称为FPM-Delta法)应用于不锈钢、铝合金中杂质的分析,取得了优于基本参数法而接近于经验系数法的结果。显示出本法具有快速、简便以及兼取了基本参数法和经验系数法二者优点等特点。     

X射线荧光分析中基本参数法和经验系数法的联合运用——NRLXRF/FULL OPTION和ROUSSEAU程序的剖析

1.引言基本参数法和经验系数法(或影响系数法、α系数法等)是X射线荧光分析中数学校正法的两大分支。但在实践中它们都不是完美无缺的。“纯”基本参数法涉及到一系列物理参数和分析系统中其它一些因素的不确定性的影响。从经验途径求出的α系数通常也只适用于某一有限的组分变化范围,即α系数本身也是样品组成的函数。而且用多标样回归算出的α系数对测量误差极为敏感,当缺乏足够的标样时这种方法就有很大的局限性。     

X射线荧光分析中谢尔曼方程逆问题的求解(理论影响系数法和基本参数法)

本文首先在理论分析基础上,建立多元素样品的重量分数Ci、X射线荧光相对强度Ri与基体效应因子Fi的代数关系.然后,按照此关系导出两种求解谢尔曼方程逆问题的方法,即理论影响系数法和基本参数法.并用这两种方法分析了6个耐热钢标样,主量、常量元素的平均相对分析误差＜0.5%,对低含量轻元素Si、P、S的分析也取得良好的结果.     

原级X射线谱强度分布的定量测定

本文提出了衍射或荧光分析用的X射线管原级X射线谱强度分布的定量测定方法。在带有正比、闪烁计数管的衍射仪上用LiF分光晶体进行展谱测定。实验测定强度经校正计算还原为X射线管窗口处的强度。对荧光X射线管还应测定几个射线束方向的原级谱加以平均求得有效原级谱。分析了原级X射线谱数据的误差及其对基本参数法等实际应用的影响。 关键词：     

X射线荧光光谱法表征薄膜进展

X射线荧光光谱法表征薄膜样品以其能同时测定样品的组分和厚度等优点,目前在国内外的研究和应用越来越广泛和深入。文章通过从荧光强度理论计算、基体效应和校正方法、分析误差来源及消除、定量分析软件和实际分析应用等几个方面对X射线荧光光谱法表征薄膜样品的研究作了评述。鉴于薄膜样品制备相似标样比较困难,而基本参数法采用非相似标样表征薄膜的准确度较高,因此基本参数法校正薄膜样品的应用比较广泛。重点介绍了基本参数法的荧光强度理论计算公式的发展、计算误差来源以及分析软件应用。展望了X射线荧光光谱法表征薄膜样品的应用前景和发展方向。     

X荧光分析中基本参数法和理论α系数法的结合——一种可行的实践方法

一、概述在X荧光分析实践中,基本参数法和理论α系数法各有优缺点。前者完全基于从严格理论推导的X荧光强度公式,当样品和标样的组成相差较大时一般仍能给出较好的结果。其缺点是运算周期长,分析效率较低,特别是当标样和样品组成相差较大时,把相对强度作为浓度初值与真值相差甚远,这势     

X射线荧光基本参数法测定焊锡中的锡和铅

本文在无标样的情况下,用X射线荧光基本参数法测定了焊锡中的锡和铅的含量。     

同步辐射讲座 第二讲 同步辐射X射线荧光及其在植物微量元素分析中的应用

比较了同步辐射（SR）X射线荧光（XRF），电子和质子激发的X射线谱，介绍了XRF谱的采集方法及数据处理方法（主要是能谱方法），智能方法的无标样（基本参数法）定量分析原理，以及近期在植物微量元素分析中得到的结果。     

XRF基本参数法测量和计算电子材料的组成

本文主要探讨用ＸＲＦ基本参数法测定电子陶瓷材料的成分含量，计算所需的基本参数都通过数学计算处理，用Ｃ语言设计编面测试软件，该法也适用于定量分析合金材料成分，稳定性和重现性好，高含量时的测试误差小于３％，低含量的误差也较小。     

用NBSGSC计算机程序和单标样的理论α系数法分析结果

引言过去30年,人们在X射线荧光分析中试用了各种校正元素间影响的计算方法。其中所谓的“经验系数法”需要相当数量的优质标样。而所谓的“基本参数法”原则上仅需纯元素标样或单只多元标样。纯元素标样有时难以得到,而且受到所用物理常数和参数(包括质量吸收系数,荧光产额,吸收边跃迁比,原级光谱和几何因子等)不准确性的严重影响,在多数情况下结果甚差。除非手头没有多元标样,一般在基本参数法中不宜使用。而单只多元标样则可消除或减小理论的不完善性以及基本参数的不准确性,因而在基本参数法中更为可取。     

X射线荧光光谱法对玻璃上膜层厚度及成分含量的测定

提出用X射线荧光光谱法测定浮法玻璃上镀层厚度及其各层成分含量的分析研究,对样品各层元素的测定条件、仪器工作条件等进行了设置调整,以期对每个元素的测定效果达到最佳。建立了膜层试样的背景基本参数(BG-FP)法,测定结果与实际制备条件吻合,适用于生产应用。     

多元合金的无标样能量色散X射线荧光分析

本文在能量色散X射线荧光分析系统的效率刻度及散射修正的基础上,用基本参数法对多元合金进行无标样X射线荧光分沂。分析结果表明,对于主成分元素,分析误差约为2%,对于次成分元素,误差低于10%。     

熔融制样-X射线荧光光谱法测定重晶石中的主要组分

采用熔融片制样法,X射线荧光光谱仪（XRF）同时测定防辐射用重晶石中氧化钡和二氧化硅等主次组分的含量,用基本参数法校正基体效应,并进行了方法的精密度和准确度试验,各组分相对标准偏差RSD（n=10）均小于6.0%。用标准物质进行验证,测量值与之基本一致。     

悬浮液雾化进样感耦等离子体基本参数研究——Ⅱ等离子体电子密度测定

研究了悬浮液雾化进样感耦等离子体原子发射光谱基本参数-等离子体电子密度的测定。实验使用Stark效应常用的谱线H_β线来计算等离子体电子密度。测定结果表明悬浮液雾化进样同水溶液雾化进样感耦等离子体原子发射光谱时等离子体电子密度没有发生显著的变化,数值基本上为1015数量级。固含量高达10％ TiO₂悬浮液雾化进样等离子体原子发射光谱,电子密度测定结果仅有微小的降低。高固含量悬浮液雾化进样等离子体原子发射光谱没有显著地影响等离子体电子密度,有助于使用高固含量悬浮液雾化进样等离子体原子发射光谱来进行痕量元素分析测定。     

无限薄透镜组的基本参数

斯留莎列夫研究了在Ⅲ级象差范围内,利用光学系统薄透镜模型计算光学系统的理论,变量分离法在这种理论中占有重要位置,并且运用所谓基本参数P、W、π只与光学系统的内部原件有关。如果透镜焦距为正,确定无限薄透镜组的基本参数就用于物体处于无穷大时,并     

基于基本参数法的EDXRF全谱拟合定量算法及其应用

在进行能量色散X射线荧光（EDXRF）的解谱操作时,如果样品中元素含量不高,单个元素的谱峰形状在混合样品谱中会保持较好,纯元素谱剥离是一种比较好的解谱方法,同时,在不高的含量范围内,谱峰强度与元素含量的线性关系保持较好,定量较为准确;但在常量分析中,元素之间会存在较强的吸收增强效应,并导致混合样品谱中单个元素的贡献与其纯元素谱的形状不一致,因此,用固定形状的纯元素谱剥离方法就会有较大偏差。同时,吸收增强效应会干扰谱峰强度与元素含量的线性关系,两种因素的叠加,导致元素定量的不准确,因此,在进行常量分析时,简单的纯元素谱剥离的解谱方法并不适用。介绍了一种基于基本参数（FP）法的全谱拟合定量算法,在进行谱图准确拟合的同时,完成定量计算,其操作步骤如下：首先用纯元素谱剥离的方法得到实测的各谱线强度,并以此为依据预估样品中各元素含量,然后代入FP法计算样品中各谱线理论强度,根据与实测值的偏差调整元素含量,并做“FP计算-调整含量”两个过程的迭代,直至计算谱与实测谱的强度无差别;用最后的样品构成计算各元素谱峰形状,并修正纯元素谱,再次重复“剥离解谱-估算含量-迭代FP计算”的步骤,将最终得到的元素含量认为是测试结果。该种方法弥补了简单解谱剥离方法的弊端,借助于基本参数法的计算,纯元素谱峰得到了修正,解谱更准确,同时也能很好地校正基体效应对定量分析的影响。利用这种方法对较高浓度La/Ce/Pr/Nd混合溶液样品的EDXRF谱图进行分析,新方法计算得到的谱图与实测谱的残差σ降至474.5,远小于单纯使用纯元素谱剥离方法的1 415.0[1]。用该方法对多个配分含量范围从0~90%的稀土混合溶液进行检测,各样品各元素配分偏差均小于1%,多次连续测试表明,各元素的相对标准偏差RSD<1%,该方法的准确度和稳定性都较好,能很好地满足稀土冶炼行业生产实践的需求。     

pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析

应用负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI),退化氢分子的漂移扩散模型,与器件二维数值模拟软件结合在一起进行计算,并利用已有的实验数据和基本器件物理和规律,分析直流应力NBTI效应随器件沟道长度、栅氧层厚度和掺杂浓度等基本参数的变化规律,是研究NBTI可靠性问题发生和发展机理变化的一种有效方法.分析结果显示,NBTI效应不受器件沟道长度变化的影响,而主要受到栅氧化层厚度变化的影响;栅氧化层厚度的减薄和栅氧化层电场增强的影响是一致的,决定了器件退化按指数规律变化;当沟道掺杂浓度提高,NBTI效应将减弱,这是因为器件沟道表面空穴浓度降低引起的;然而当掺杂浓度提高到器件的源漏泄漏电流很小时(小泄露电流器件),NBTI效应有明显的增强.这些结论对认识NBTI效应的发展规律以及对高性能器件的设计具有重要的指导意义.