立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅲ)——硅中双空位态的波函数

利用文献[1]中的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了硅中理想双空位的E_g和E_u态的波函数,讨论了计算结果和ESR与ENDOR谱的比较。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ) GaAs,GaP中双空位态的电子结构

利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A_1,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ)——GaAs,GaP中双空位态的电子结构

利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A₁,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅰ)——基本方程组

利用Koster-Slater的格林函数方法,给出了决定立方半导体中理想双空位在禁带中引入的不同对称态的能级和波函数的完整的方程组。主体半导体的能带结构用一经验的紧束缚哈密顿量来描述,缺陷引入的微扰势则采用在位势近似。在此基本假定下,这些方程组仅涉及到主体半导体的在位(on-site)和离位(off-site)格林函数以及这些格林函数对能量E的微商。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ) 能级和简单的物理模型

利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型

利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。 关键词：     

硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构

本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。 关键词：     

原子体系近核区电子波函数振幅(Ⅱ)——离化态原子近核区电子波函数振幅

本文根据相对论自洽场(Dirac-Slater)理论方法,系统地总结原子序不大于95的各离化态原子占有壳层近核区电子波函数振幅(约化归一因数)随电子壳层、原子序和电离度的变化规律。     

硅纳米结构中硅空位缺陷引发的双峰蓝光发射

报道了在硅纳米结构中417nm和436nm双峰结构的蓝光发射的实验和理论研究结果．制备了四种包含和没有包含β-SiC纳米晶粒的硅纳米结构，观察到了417nm和436nm的双峰蓝光发射．光致发光谱的分析和微结构的观察揭示了蓝光发射与硅纳米结构中过剩硅缺陷中心的存在有关．计算了由过剩硅原子形成的含有硅空位缺陷的纳米晶粒的电子能级，发现计算所得的态密度的特征与观察到的双峰发射吻合．这项工作提出了在许多硅纳米结构中存在417nm和436nm蓝光发射的一种可能的机制．     

硅中磷塞曼杂化态的波函数混和与组成

报道了硅中磷塞曼（Ｚｅｅｍａｎ）杂化态的波函数混和与组成的直接实验观测结果和理论讨论，用高灵敏度、高分辨率光热电离谱方法定量测量了高纯硅中孤立磷杂质“反相交”（ａｎｔｉ－ｃｒｏｓｓｉｎｇ）塞曼跃迁附近跃迁强度的系统演变，由此导出杂化的束缚杂质电子塞曼能态的波函数组成。用有效质量模型框架下的变分方法计算和讨论了杂化态的波函数组成及相应的跃迁强度，并与实验结果相比较。 关键词：     

Si中B-空位复合缺陷的电子结构

本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B^-V⁺电荷态的结论。 关键词：     

半导体中光的相干传播理论(Ⅲ)

本文是半导体中光的相干传播理论的第三部分。在前面两篇文章的基础上,推导了光在半导体中相干传播的Maxwell-Bloch方程;利用这组方程,讨论了带间跃迁和激子跃迁两种情况的许多可能的相干传播效应。文中特别着重分析了自感透明现象,证明了对于上述两种跃迁自感透明现象都是可能发生的。 关键词：     

GaN及其Ga空位的电子结构

用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体GaN的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算,得到了与实验值符合的GaN晶体禁带宽度以及价带中N2p带、N2s带和Ga3d带之间的相对位置.在此基础上Ga空位计算(无晶格畸变)显示,Ga空位周围的费米面显著高于正常GaN晶格的费米面.因此Ga空位周围N原子的处于费米面上的2p电子很易被激发成正常晶格处的传导电子 关键词： GaN 电子结构 团簇埋入自洽计算     

半导体电子态理论简介(Ⅲ)

四、非晶态半导体非晶态半导体属于无序系统的物质．无序系统包括固溶体、非晶体、准晶体等,它们都不存在晶体的平移对称性．固溶体的特点是结构有序、组分无序．非晶体的特点是短程有序,长程（结构）无序．准晶体的特点是短程有序,长程部分有序,有点群对称性但无平移对称性、无序的分布都是随机的．与有序系统相比,无序系统有一些新的特点,例如局域化．关于局域化问题,常用紧束缚方法来讨论,哈密顿量其中　　是原子态?...     

类特异材料半导体复合结构中的电子Tamm态

通过选取具有特殊能带结构的半导体材料碲镉汞(Hg_1-xCd_xTe), 类比电磁体系得到了电子体系中的类单负材料、类双负材料等类特异材料, 然后将其组合成一维复合异质结构. 通过数值计算, 发现复合结构中存在新型电子Tamm态, 包括返向电子Tamm态和含类近零折射率材料复合结构中的电子Tamm态. 这些结果拓展了人们对电子Tamm态的认识.     

单电子原子模型势中粒子的双波函数描述

运用双波函数量子理论,给出了单电子原子模型势中粒子的双波函数描述.结果表明运用双波函数描述的是单个粒子的运动,并将通常的量子力学描述结果作为系综统计平均值包含在其中.     

硅中热施主的电子结构

利用20—300K的Hall系数测量和6-300K的红外光吸收,研究了含氧P型CZ硅单晶经450℃不同时间热处理后所产生的热施主问题。Hall系数测量表明:经100hr热处理的样品存在两个施主能级:E₁=58meV,E₂=110meV。对不同热处理时间的样品,从低温红外光吸收则可看见由于热施主所引起的复杂吸收光谱。这些吸收峰的数目随着热处理时间的加长而增加和加强。利用类氢模型和有效质量理论拟会和计算,可以证明与氧有关的热施主很可能是双重电荷施主。这些双重施主有多种组态,它与450℃热处理的时间有关。 关键词：     

硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算

采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V₂⁺,V₂^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:V₂⁺的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V₂^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是V₂⁺和V₂^-的最优选的畸变. 关键词：     

双空位缺陷石墨纳米带的电子结构和输运性质研究

基于第一原理电子结构和输运性质计算,研究了585双空位拓扑缺陷对锯齿（zigzag）型石墨纳米带（具有椅型（armchair）边）电子结构和输运性质的影响.研究发现,585双空位缺陷的存在使得锯齿型石墨纳米带的能隙增大,并在能隙中出现了一条局域于缺陷处的缺陷态能带,双空位缺陷的取向也影响其能带结构.另外,585双空位缺陷对能隙较小的锯齿型石墨纳米带输运性质的影响较大,而对能隙较大的锯齿型石墨纳米带影响很小,缺陷取向并不显著影响纳米带的输运性质. 关键词： 石墨纳米带 585空位缺陷 电子结构 输运性质     

半导体硅熔体的有效(磁)黏度

用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁场,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的有效黏度(磁黏度).在温度一定时,测得的磁黏度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧.1490—1610℃温度区间内,磁黏度有异常变化.当引入磁场强度为0068T时,熔硅有效黏度比原黏度增加2—3个数量级,证明引入磁场是硅单晶大直径生长时,抑制熔硅热对流的有效手段. 关键词： 硅熔体 有效(磁)黏度 魔环永磁体 回转振荡法