熔融织构YBCO的磁性

测量了熔融织构YBCO样品从1.5K到89K的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在1.5K,7K和10K观察到磁通跳跃,在15—83K的温度区间观察到峰值现象。详细分析了磁化曲线和磁临界电流的各向异性。讨论了晶粒之间连接的性质和主要的钉扎中心。 关键词：     

熔融织构YBCO块材磁通动力学参量的磁光图像研究(Ⅱ)

由熔融织构YBCO块材表在剩余磁感应强度的磁光图像。推算出局域有效激活能U和电流密度j,进而研究磁通运动的局域效应。在样品的边缘区域,U（j）符合Zeldov对数模型,在样品中心区域,U（j）应该鹰符合Anderson-Kim线性模型。在涡旋线向样品中心运动的前沿区域,可以观察到电流密度随时间先升后降。     

熔融织构YBCO超导体磁化临界电流的各向异性

对烧结处理和熔融织构处理 Y_1Ba_2C_3Ox 超导体材料分别进行磁化曲线测量,结果表明熔融织构样品,其磁化强度明显地受外加磁场方向的影响,应用扩展的 Bean 模型,我们计算了沿晶体 ab 面和 C 轴方向的磁化临界电流密度,对于一长条样品,它们值分别为2.3 ×10~4A/cm~2(77K,1.2T),8.9×10~2A/cm~2(77K,1.2T).将两者的比值与前人的工作了比较.     

熔融织构YBCO块材磁通动力学参量的磁光图像研究

通过磁光图像研究熔融织构ＹＢＣＯ块材的剩余磁感应强度在空间的分布和随时间的变化,推算出样品的局域有效激活能Ｕ（ｘ,ｔ）和局域电流密度Ｊ（ｘ,ｔ）以及对数时间尺度ｔ０．实验结果表明在此样品中Ｚｅｌｄｏｖ磁通蠕动模型Ｕ＝Ｕｃｌｎ（Ｊｃ／Ｊ）仍然是有意义的     

Y2BaCuO5粒子掺杂的单畴熔融织构YBCO超导体工艺与性能研究

采用人工掺杂Y 2 11相的方法以及熔融织构生长结合顶部籽晶工艺制备了不同 2 11粒子含量的准单畴熔融织构的YBCO块材料 ,样品致密度高 ,体密度大于 6 2g/cm3 ,机械强度好 ,振动样品磁强计测量结果表明 ,样品在温度 30K、磁场 0 6T下 ,其Jc 仍达到 1 2 3× 10 6A/cm2 .在温度 70K、磁场 2T条件下 ,Jc 仍高达 1 35× 10 4A/cm2 ,而且临界电流密度对磁场不敏感 .扫描电子显微镜分析也表明 ,Y 2 11相的人工掺杂 ,能改善织构样品的生长状况 ,减小微裂纹 ,同时 ,掺杂的Y 2 11粒子能作为强的钉扎中心 ,因此 ,这种工艺能精确地控制样品中Y 2 11粒子的含量 ,所制备的样品中Y 2 11粒子分布越均匀 ,尺寸越小 ,其钉扎效果越好 .从大量实验结果比较得出 ,1∶0 5是最佳的掺杂比例 .     

Y-211粒子与Y_2O_3粉掺杂的熔融织构YBCO超导体性能及微观研究

采用熔融织构法结合顶部籽晶技术 ,掺杂 Y2 O3粉和 Y- 2 1 1粒子制备了高质量的准单畴熔融织构的 YBCO块材。样品的 Jc测量表明 :临界电流密度 Jc在 1 0 K温度 0 .6T磁场下达到 1 .6×1 0 6 A/ cm2 ;在 70 K温度 2 T磁场下达到 1 .2 4× 1 0 4A/ cm2。扫描电镜观察表明 :掺杂 Y2 O3粉所形成的 Y- 2 1 1粒子是柱状的 ,而掺杂 Y- 2 1 1粒子在母体材料中形成的是球形的 Y- 2 1 1粒子 ,掺杂Y2 O3 粉比 Y- 2 1 1粒子能更有效地改善样品的生长状况。可见 ,Y- 2 1 1粒子与超导母体材料之间的界面对磁通钉扎起主要作用 ,Y- 2 1 1粒子作为强钉扎中心是属于界面钉扎     

Y2BaCuO5粒子掺杂的单畴熔融织构YBCO超导体工艺与性能研究

采用人工掺杂Y-211相的方法以及熔融织构生长结合顶部籽晶工艺制备了不同211粒子含量的 准单畴熔融织构的YBCO块材料,样品致密度高,体密度大于62g/cm³,机械强 度好,振动样品磁强计测量结果表明,样品在温度30K、磁场06T下,其J_c仍 达到123×10⁶A/cm².在温度70K、磁场2T条件下,J_c 仍高达135×10⁴A/cm²,而且临界电流密度对磁场不敏感.扫描电 子显微镜分析也表明,Y-211相的人工掺杂,能改善织构样品的生长状况,减小微裂纹,同 时,掺杂的Y-211粒子能作为强的钉扎中心,因此,这种工艺能精确地控制样品中Y-211粒子 的含量,所制备的样品中Y-211粒子分布越均匀,尺寸越小,其钉扎效果越好.从大量实验结 果比较得出,1∶05是最佳的掺杂比例. 关键词： 准单畴超导体 熔融织构 c')" href="#">临界电流密度J_{c 磁通钉扎中心}     

YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧扩散研究

采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程. 与以往的实验不同，采用固定 氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度. 拟合实验所得重量等温弛豫曲线可知，在375—600 ℃温区内，熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50％，但都约为10^{-10c m2s-1，激活能为～1eV. 对YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧研 究表 明两者具有相同的速率，证实实验过程中环境氧分压的改变会导致进氧和脱氧过程不一致. 关键词： 高温超导 氧扩散 熔融织构 热重法}     

Ag含量对熔融织构YBCO结构及超导电性的影响

本对熔融眼导体进行了Ａｇ掺杂研究，Ａｇ掺杂量为０－１８ｗｔ％，并添加了适量的２１１相，使ＹＢＣＯ超导体中起钉扎中心作用的２１１相达到２０ｗｔ％。采用加高熔化温度的ＢｄＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ籽晶的办法解决子Ａｇ掺杂引起ＹＢＣＯ晶粒细化的问题，制备了强织构Ａｇ掺杂大块的ＹＢＣＯ超导体，并对其超导电性和Ａｇ的行为进行了研究。     

EXCHANGE COUPLING BETWEEN TWO MAGNETIZED LAYERS IN A METAL

The exchange coupling energy for two magnetized monolayers embedded symmetrically in a metal and polarized in an arbitrary direction has been investigated in contact interaction approximation. Since the model can be solved exactly in particular for free-electron case, the coupling energy contributed from both extended state electrons and bound state electrons is calculated rigorously. For weak interaction, it is found that the leading term in the power-series expansion of density of states can give a correct coupling energy compared with rigorous one while extended state electrons give a much larger coupling energy. Furthermore, the relevant problems such as phase shift, 90°coupling and lattice effects have been discussed; an asymptotic expression of the interlayer coupling has been derived in a different way and used to calculate the exchange energy between magnetic layers in copper with Fermi surface obtained from de Haas-van Alphen effect.     

Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻

在0～9T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用A～H模型拟合实验数据.结果表明,以R/Rn=20%作为高阻区和低阻区的分界线,R～T曲线可分别用R=Rn{I0[CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-5.36 0.145T.p=0.78,1.88 和q=1.5, 3.5分别是高阻区和低阻区的拟合参数.     

三硼酸锂晶体中负晶的观察

采用光学显微镜、X射线形貌术以及激光散射层析等方法,对新型非线性光学材料三硼酸锂晶体中的一种特殊的包裹体——负晶进行观测和研究,揭示了它的本质和组成,探讨了它的形成机理。 关键词：     

Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻

在0～9T范围内测量了磁场平行于P轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系．我们用A～H模型拟合实验数据．结果表明，以R／Rn=20％作为高阻区和低阻区的分界线，R～T曲线可分别用R=Rn{I0[CH^-p（1-t）^q]}^-2来描述，其中Rn是正常态的电阻Rn=-5．36＋0．145T．p=0．78，1．88和q=1．5,3．5分别是高阻区和低阻区的拟合参数．     

锑化铟单晶中杂质的反常分凝

借助于电学及质谱分析方法测定了掺Te,及未掺杂InSb晶体横截面上的杂质浓度分布。结果指出,杂质在小平面上具有明显的反常分凝现象,对于小平面效应的机制进行了讨论,并根据热力学理论给出了一个能满意解释实验结果的具体表式。 关键词：     

硅中位错与蚀斑的对应关系

通过实验肯定了硅单晶的化学侵蚀定向方法,找出抛光液的最佳配比及抛光时间。确定了所选定的位错侵蚀剂的侵蚀规范;此侵蚀剂对晶面无选择性,能显示出刃型和螺型位错,以及“新”、“旧”位错。通过长时间侵蚀、逐层侵蚀、劈裂面蚀斑的对应、小角晶界上蚀斑的观察、形变硅单晶中蚀斑排列以及弯曲形变样品中蚀斑密度与曲率半径间的关系的研究等方法,证明了用此侵蚀剂所得的蚀斑确实与位错一一对应。     

直拉法生长Y3Al5O12(YAG)单晶体中的位错和包裹物

通过光双折射貌相法研究了YAG单晶体中位错、包裹物以及生长层间的关系,结果表明,包裹物优先吸附于固液界面上的位错露头点,而包裹物的大小与该处生长台阶的大小有关。 关键词：     

五磷酸钆中Eu3+的光谱

本文对GdP5O14:Eu3+(GdPP:Eu,x:0～1)。晶体的紫外可见吸收、激发光谱、荧光光谱、红外吸收光谱和结构进行了测定和分析。给出了GdPP中Eu3+离子的能级图。讨论了Gd3+—Eu3+离子间的能量转移和猝灭。     

硅单晶中铜沉淀物的几何形态

本文利用红外显微镜和化学浸蚀的方法,研究了硅单晶中铜沉淀物的几何形态。实验表明,用红外显微镜观察到的各种形态的沉淀物是由{110}面上的片状沉淀组成的,样品的性质对它的形态没有影响。 关键词：     

锰基钙钛矿多层膜中的层间相互作用

本文采用直流磁控溅射方法在(100)取向的LaAlO3基片上制备了系列多层膜: La0.67Ca0.33MnO3-δ/La0.67Sr0.33MnO3-δ/La0.67Ca0.33MnO3-δ (LC/LS/LC).并采用标准四探针方法对所制备样品的阻温关系进行了测量. 结果表明:在零场下,当上下两层厚度一定时,随着中间层(LS)厚度增加,多层膜的电阻率减小,金属-绝缘体转变温度(TM-I)向高温方向移动.在中间层(LS)厚度保持一定时,随着上下两层(LC)厚度增加,其电阻率和金属-绝缘体转变温度(TM-I)出现同样的变化规律.基于双交换理论,我们对以上结果给出了尝试性解释.