气体放电中Ar^＋的辐射寿命测量

文章介绍了在一定温度、一定气体密度和一定放电流条件下，Ａｒ气放电时，Ａｒ＋某些能级辐射谱线宽度的测量。讨论了气体放电中各种因素对谱线宽度的影响。从测量的谱线宽度得出了相应Ａｒ＋激发态在特定条件下的辐射寿命。     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。     

热等离子体中电子弹性散射的屏蔽效应

采用平均原子模型计算了Ａｒ，Ｆｅ等离子体电子的弹性散射微分截面，考虑了温度密度效应对微分截面的影响，结果表明，在低温低密度极限下，计算结果与可用的实验值及其它理论符合得很好，而在其它的温度密度范围内来自温度的影响比来自密度的影响更复杂，二者对电子弹性散射微分截面都产生很大影响。     

YAG晶体中Cr~（3＋）→Tm~（3＋），Er~（3＋）→Tm~（3＋）的能量

研究了加入敏化离子Ｃｒ３＋和Ｅｒ３＋的Ｔｍ：ＹＡＧ晶体的吸收谱和荧光谱，计算了Ｃｒ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋离子的２Ｅ、４Ｉ１３／２、３Ｆ４能态的平均寿命及能量；转移效率、转移速率．得出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋转移效率为８０％，转移速率为２．１×１０３ｓ－１．由（Ｅｒ，Ｔｍ）：ＹＡＧ的荧光谱可见存在Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋的有效的能量转移．讨论了Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋和Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移的不同．     

氩气中高次谐波辐射的研究

报道了在４５ｆｓ－２ＴＷ激光装置上以Ａｒ惰性气体为介质产生高次谐波的实验结果,实验中通过研究气体密度和激光能量对谐波辐射的影响,找到了适当的气体密度和激光能量范围,并在Ａｒ气中观察到８１次（９．７ｎｍ）的皆波辐射,这时迄今为止,人们在Ａｒ气中所能观测到的最短波长的谐波辐射,经分析表明,高于５７次的谐波是由Ａｒ离子产生的。     

态布居测热核的核温度及其与碰撞参数的关系

测量了２５ＭｅＶ／ｕ^４０Ａｒ＋¹⁹⁷Ａｕ反应中两裂片符合下的小角α-α关联．由α-α关联函数提取了⁸Ｂｅ核的相对态布居和热核的核温度．实验测得发射温度随碰撞参数而稍有变化，从中心碰撞的４ＭｅＶ变化至周边碰撞的３.８ＭｅＶ．在周边碰撞中，观察到发射温度随着粒子能量的增加而升高     

饱和蒸气密度、焓和蒸发潜热的通用对比态推算式

本文提出了新的饱和蒸气密度的通用对比态推算式,并分别以标准沸点下的蒸发潜热和临界温度与标准沸点温度之差为基准,对蒸发潜热和温度无量纲化导出了工质蒸发潜热通用对比态方程,结合饱和液体焓通用对比态方程导出了饱和蒸气焓通用对比态方程,揭示出饱和蒸气焓通用对比态方程为双变量函数,除有温度变量外还包含有表示物质差异的变量。对多种物质的文献值计算比较,以上方程的总的平均绝对偏差分别为0.43％、0.87％和O.35％。     

低温基体隔离SO2a^～3B1态的时间分辨磷光光谱研究

采用脉冲紫外激光作激发光源，用时间分辨技术测定了ＳＯ２分子在低温Ａｒ，Ｎ２，ＣＯ基体离条件下的激光诱导发光光谱。研究结果表明，在低温基体隔离条件下，ＳＯ２激发至单重态后主要通过系间交叉跃迁ㄎ成ａ＾～３Ｂ１态，ａ＾～３Ｂ１态的生长时间约为２－３μｓ。从三态磷光光谱的谱带加宽和红称可以看出ＳＯ２和三种基体之间的相互作用大小为：ＣＯ基体＞Ｎ２基体＞Ａｒ基体；另外，从ＳＯ２系间交叉跃迁效率可以看出，在３５     

低密度Ar熔化及结晶的分子动力学模拟

采用有位移力的ＬｅｎｎａｒｄＪｏｎｅｓ（１２－６）势对微正则系综下低密度Ａｒ系统（简约数密度为ρ＝０．８５）的一级相变过程进行了细致的分子动力学模拟,发现Ａｒ系统的熔化过程是原子的崩塌过程,结晶过程和理想的完整晶体不同,是一活化过程：形核长大过程随温度的降低进行,原来均匀分布在系统中的自由体积呈集中分布,由此系统达到了更稳定的结晶状态。     

MoSi2表面电子结构

利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１_b晶体结构的ＭｏＳｉ₂三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原子态密度作了对比，并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言，以Ｍｏ原子为表层原子的表面结构最不稳定，以单层ｓｉ原子为表面的表面结构最稳定，该结论支持了Ｔ．Ｋｏｍｅｄａ等的实验结果^［１５］。 关键词：     

Ar^1^6^＋离子双激发态的新量子数描述和跃迁规律

此文采用ＣＩ方法计算了类氦Ａｒ１６＋离子双激发态能级和波函数，并向ＤＥＳＢ（Ｄｏｕｂｌｙ－ｅｘｅｃｉｔｅｄｓｔａｔｅｓｂａｓｉｓ）做投影，求出表征这些双激发态的新量子数Ｋ、Ｔ和Ａ。计算和比较了初态ｎ（ｎ－１，０）ｎ＋１Ｓｅ的辐射和Ａｕｇｅｒ跃迁率，发现辐射跃迁随初态主量子数ｎ的变化是光滑的，而Ａｕｇｅｒ跃迁则随ｎ的变化是不光滑的。     

射频磁控反射溅射生长AlN薄膜

用射频磁控反射溅方法，在高纯Ｎ２，Ａｒ的气氛中，以高纯Ａｌ为靶材，成功地制备了ＡｌＮ薄膜，研究了不同气体组分，不同衬底温度对薄膜结晶性的影响。     

高温超导体赝隙金属态下的霍尔效应

本文从自由载流子（双极化子的双成分模型出发，在考虑到赝隙随温度变化带来的影响之后，从理论上得出了在特定的掺杂度下霍尔系数对温度的依赖关系．导致霍尔系数随温度变化的因素主要有两个，一个是赝隙的存在导致态密度随温度的变化，另一个是双极化子的分解引起自由载流子的密度随温度的变化．通过对ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏ６＋δ和Ｌａ１．８Ｓｒ０．２ＣｕＯ４的霍尔系数的理论值与实验值的比较发现，对于大于Ｔｃ的任何温度，理论与实验都能定量符合     

Ar中抖动现象观察

本文叙述了利用准分于紫外激光打靶产生的软Ｘ射线激励（ＬＰＸ）所观察到的Ａｒ中抖动（Ｓｈａｋｅ－ｕｐ）现象．对Ａｒ＋３ｐ４４ｐ与下能态跃迁产生的６８条谱线进行了识别，标定，除两条谱线没观察到外，其余所有可能产生的跃迁谱线都已被观察到．     

Cr，Tm∶YAG晶体中的能量转移

通过对Ｃｒ∶ＹＡＧ、Ｔｍ∶ＹＡＧ和Ｃｒ，Ｔｍ∶ＹＡＧ晶体吸收光谱和发射光谱的比较，研究了Ｃｒ，Ｔｍ∶ＹＡＧ晶体中的能量转移过程．指出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移过程中，无辐射能量转移占绝对优势．     

用于半导体加工的腔耦合—磁多极型ECR源的研究

本实验室研制出一台谐振腔耦合－多极场位形的电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体源（ＭＥＰ）。采用朗谬探针和离子能量分析器，测量了ＭＥＰ中Ａｒ等离子体的放电特性。实验结果表明，ＭＥＰ能在很宽的运行参数范围，高效率地产生具有较高密度、较低离子温度和空间电位的大面积均匀等离子体，特别适合于半导体加工应用研究。     

用于半导体加工的腔耦合－磁多极型ECR源的研究

本实验室研制出一台谐振腔耦合一多极场位形的电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体源（ＭＥＰ）。采用朗谬探针和离子能量分析器，测量了ＭＥＰ中Ａｒ等离子体的放电特性。实验结果表明．ＭＥＰ能在很宽的运行参数范围，高效率地产生具有较高密度、较低离子温度和空间电位的大面积均匀等离子体，特别适合于半导体加工应用研究。     

非理想Ar等离子体Hugoniot曲线研究

Ａｒ气初始压力为０．１ＭＰａ,初始温度为２９３Ｋ,Ａｒ等离子体５个实验点的压力为０．１２５－０．１６３ＧＰａ,电子密度ｎｅ≈１０＾１９ｃｍ＾－２,非理想性参数Г为０．４３－０．４５的条件下测量了非理想Ａｒ等离子体Ｈｕｇｏｎｉｏｔ曲线。冲击波速度由光谱辐射信号确定,粒子速度由实测飞片速度、阻滞法和等熵线确定。实验的Ａｒ等离子体Ｈｕｇｏｎｉｏｔ曲线与考虑二级电离效应后Ａｒ等离子体的理论ｐ－ｕ线符合得很     

对称性对原子团簇Ar3低激发能谱的影响

采用少体物理方法，计算了惰性元素三原子团簇Ａｒ３的低激发能谱，分析了量子力学对称性对Ａｒ３的几何结构和内部运动的影响，给出了Ａｒ３低激发能谱的几条转动带。     

ArⅡ的某些能级平均寿命的测量

用１１０ｋｅＶ的Ａｒ＾＋离子与８．５μｇ／ｃｍ＾２的碳箔相互作用，研究ＡｒⅠ、ＡｒⅡ的激发光谱，并测量了６条ＡｒⅡ的某些能级的平均寿命，其结果和别的实验及理论计算进行了比较。为了延长碳箔的使用寿命，我们改进了制箔工艺，并调节合适的电流强度，使箔的使用寿命长到３０分钟以上。