Diodes推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N

正Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。     

同步MOSFET控制器

这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广，介于5～25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常工作。该器件拥有180V的MOSFET漏极感应功能，有助设计师减少对外部钳位电路的需求，并能大幅减少配件数量和节省空间。     

SIP12201／2：新型同步降压控制器IC

Vishay推出两款可与外部MOSFET共同运行的新型同步降压控制器IC，高压SIP12201及低压SIP12202控制器。这两款器件均可在电池供电系统、电信及工业终端系统等广泛应用中实现灵活、高效的电压转换。 SIP12201与SIP12202的输入电压范围分别是4.2～26V和2.7～5.5V。SIP12201与SIP12202的可调输出电压范围分别0.6～20V和0.6～5.5V。在低端达到0.6V的能力对于工作频率为500kHz的器件而言，这一功     

LTC4353：二极管控制器

凌力尔特公司推出0V-18V双通道理想二极管控制器LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源“或”，且对电源电压的干扰小。     

同步整流专家--SynQor

目前,DC/DC转换器技术正发生巨大变化,这是因为,电路电压正从过去标准的5V迅速下降到1.2V,未来也许会更低,而负载电流则相应地上升,设计师正在更多的使用分布式供电基础构架,通过靠近负载安装的DC/DC转换器提供较低的电压和较高的电流,而这对DC/DC转换器提出新的要求,使得传统DC/DC     

MAX15034：同步降压控制器

Maxim推出高性能、双路输出、同步降压控制器MAX15034,能够驱动外部MOSFET提供2路25A输出或单路50A输出。这种灵活性可使器件用于多种设计平台,从而减少了元件种类、降低了成本。此外,器件的输入电压范围为4．5V至5．5V或5．5V至28V,可用于5V和12V总线系统。器件针对大输出电流的应用进行了优化,理想用于计算处理、电信、网络、存储和服务器设备。     

驱动10A负载的同步降压开关控制器

PM5336 ARROW2488是一款具有多种功能的高容量单芯片方案，集成了多速率SONET／SDH成帧器、非阻断STS／AU与VT／TU互联，以及一流的背板SERDES，可用于下一代结构紧凑且可扩展升级的基于机架的SONET／SDH平台。     

沟槽型MOSFET的发展

在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSOMOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。     

测量并抑制同步降压型转换器中的Cdv/dt感应导通

同步降压型转换器是当今稳压器中最为常见的拓扑结构。与普通的降压型转换器相比,同步设计通过采用一个用做同步整流器的MOSFET来替代续流肖特基二极管的方法,大幅度地降低了传导损耗。这样做的结果便是转换效率的显著提升,从而实现了更高的功率密度;需要指出的是,这些参数在各类功率转换设计中都是极其重要的。     

集成肖特基二极管的沟槽功率MOSFET和DC-DC转换器的性能优势

发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。     

双路36V低损耗电源通路控制器 控制PFET具有低于肖特基二极管的正向电压，可延长电池寿命

LTC4416和LTC4416—1是双路电源通路控制器，用于在电源切换电路中驱动小型和大型栅电容P沟道MOSFET。LTC4416是专为与缓慢摆动的输入电源一起工作而设计的，具备软关断功能，能最大限度地减小电源电压变化时的压降。LTC4416—1是为能迅速断开的快速摆动输入电源而优化。     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

低成本、同步DC／DC控制器

MAX15026能够驱动外部MOSFET输出高达25A的电流。该器件工作干4．5～28V宽输入电压范围,集成了精度为±1％的电压基准,可提供0．6V至输入电压的85％范围内的高精度输出电压。器件的开关频率（200kHz～2MHz）、外部补偿网络及电流限制均可进行调节,在空间、性能和成本方面对设计进行优化。     

无须散热器的同步升压型控制器

LTC3786以一个高效率N沟道MOSFET取代了升压二极管。这样就可以去掉通常在中高功率升压型转换器中所需的散热器。在输入电压可能超过稳定输出电压的应用中,LTC3786能保持同步MOSFET连续接通,以便输出电压以最低功耗跟随输入电压。LTC3786的55μA低静态电流延长了电池供电应用在备用模式时的运行时间。     

Diodes MOSFET控制器使电源供应器超越“能源之星”效率目标

Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器．让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100MW的待机功耗，以及逾87％的满载效率。     

非对称双MOSFET器件

FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够轻易进行同步降琏转换器的布局和走线。     

双路输出、同步DC／DC控制器

MAX15023能够驱动外部MOSFET,每通道至少可提供12A输出电流。该器件工作于4．5～28V宽输入电压范围,集成了精度为±1％的电压基准,可提供0．6V至输入电压的85％范围内的高精度输出电压。器件的开关频率（200kHz～1MHz）、外部补偿网络及电流限制均可进行调节,在空间、性能和成本方面对设计进行优化。     

TI推动数字电源创新——新的隔离电源数字控制器及MOSFET驱动器助力数字电源设计

智能化越高的系统,越需要进行全数字的控制,如服务器及通信系统等,包括对电源的要求越来越智能化,而数字电源则可以满足这些系统对电源智能化的要求。数字电源的概念提出已有若干年的时间,经过多年的发展,现在已经在向全数字的电源系统转变。     

紧凑型集成MOSFET解决方案

FDMF6708N是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用干大电流、高频率同步降压DC／DC应用。其集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6mm×6mm PQFN Intel DrMOS v4．0标准封装。     

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。