硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

LiNbO3和LiTaO3晶体Er3+/Yb3+掺杂水热外延层室温吸收光谱分析

本文引入与浓度和厚度有关的k_NL待定参数, 在J-O理论基础上, 对Er³⁺/Yb³⁺掺杂的LiNbO₃和LiTaO₃单晶衬底上 的多晶水热外延样品进行了基于吸收光谱的拟合计算. LiNbO₃:Ω₂=2.34× 10^-20 cm², Ω₄=0.77× 10^-20 cm², Ω₆=0.31×10^-20 cm², k_NL=4.32× 10^-2 mol·m^-2. LiTaO₃:Ω₂=1.68×10^-20 cm², Ω₄=0.84×10^-20 cm², Ω₆=0.45×10^-20 cm², k_NL=9.17×10^-3 mol· m^-2. 该方法可尝试推广到粉体或胶体等难以直接获得浓度和厚度数据的体系. 经上转换发光测试及光谱参数计分析认为Er³⁺/Yb³⁺离子的掺杂浓度比为1:1的情况下, 样品呈现绿色上转换发光光谱; 可尝试以降低基质声子能量的方法提高⁴I_13/2能级 对²H_11/2和⁴S_3/2能级的量子剪裁效率.     

一种YAG投影管及投影响显示系统

介绍了研制成功的YAG投影管及投影显示系统。在阴极电流为5mA时,绿色投影管亮度大于6.5×105cd/cm2, 束斑直径在束流为1mA时小于80 μm。在122cm背投影机中可重现高质时图象,其水平分辨率为1000TVL,峰值亮度为1500×105cd/cm2,对比度达成100。     

为提高BEPCⅡ亮度进行的一些研究

BEPCⅡ是BEPC的升级工程, 它被设计工作在亮度为1×10³³cm^－2.s^－1的τ-charm能区. 根据用几个不同的程序进行的束--束相互作用的模拟结果, BEPCⅡ的亮度较设计亮度有不同程度的下降. 其中一个程序的计算结果表明, 在原设计对撞模式下运行, BEPCⅡ的运行亮度只能达到0.50×10³³cm^－2.s^－1. 为了提高BEPCⅡ的运行亮度, 研究了小动量压缩因子的对撞模式, 亮度可以提高到0.54×10³³cm^－2.s^－1. 相应的束长由1.5cm减小到1.2cm. 为了和1.2cm的束长相匹配, 又研究了对撞点垂直β函数等于1.2cm的对撞模式. 根据束--束相互作用的模拟结果, 选择了几个高亮度的工作点, 对它们的线性lattice和动力学孔径等进行了研究和优化. 其中, 最高的亮度可以达到0.828×10³³cm^－2.s^－1.     

电子通量对ZnO/K2SiO3热控涂层光学性能的影响

 研究了电子通量对ZnO/K₂SiO₃热控涂层光学性能的影响。分别采用通量为5×10¹¹/cm²·s，8×10¹¹/cm²·s，1×10¹²/cm²·s 和5×10¹²/cm²·s的电子对试样进行辐照。电子辐照下涂层的光学性能发生了退化，并且发现了退化涂层在空气中的“漂白”现象。分析了ZnO/K₂SiO₃热控涂层光学性能的退化机制，同时讨论了电子通量对太阳光谱吸收系数的影响。实验结果发现，在5×10¹¹～1×10¹²/cm²·s的电子通量范围内，电子通量对ZnO/K₂SiO³热控涂层光学性能的影响相同。因此在这个电子通量范围内，采用加速地面试验来模拟空间的电子辐照效应是有效的。     

基于沉淀工艺制作四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极的研究

采用沉淀法制备四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极，将阴极和荧光屏封装起来抽真空并对屏施加电压，测试阴极的发射电流和荧光屏的发光亮度.利用沉淀法制备出面积为(13×15) cm²的阴极，测试结果表明，硅酸钾体积百分比在50×10^-3—83×10^-3范围，硝酸钡浓度在50×10^-4—77×10^-4 M范围，四脚氧化锌的浓度在82×10^-4—12×10^{-3相似文献}   

电子束在VO2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变

 利用能量为1.7MeV, 注量分别为1.25×10¹³/cm², 1.25×10¹⁴/cm², 1.25×10¹⁵/cm²的电子束辐照VO₂薄膜,采用XPS, XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起VO₂薄膜中V离子出现价态变化现象,并使薄膜的X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了VO₂薄膜的热致相变光学特性。     

阴极强流多脉冲发射特性研究

实验研究了几种阴极的强流猝发多脉冲发射特性. 研究结果表明, 天鹅绒阴极产生的猝发强流双脉冲电子束亮度优于1×10⁸A/(m.rad)², 而直立碳纤阴极产生的强流三脉冲电子束的亮度也优于3×10⁷A/(m.rad)², 并有进一步提高的可能. 新型的冷场致发射阴极如纳米金刚石膜阴极和纳米碳管阴极也具有强流发射能力, 实验得到的发射电流密度大于50A/cm².文中还给出的大发射面储备式热阴极的实验结果, 并对相关阴极实现稳定强流多脉冲发射的研究方向和应用前景进行了分析.     

110keV质子辐照对温控涂层性质的影响

实验研究了1.0×10¹¹—1.0×10¹⁷p/cm²通量范围内110keV质子辐照引起的温控涂层热光性能的变化. 实验表明, 在1.0×10¹¹p/cm²通量辐照下6种温控涂层材料的相对光反射率基本没有变化,当辐射通量在1.0×10¹²—1.0×10¹⁶p/cm²范围变化时,某些低吸收率的温控涂层的太阳吸收率随着辐射通量增加先变小而后又增大.这一特性对于制备更低太阳吸收率的温控涂层具有应用价值.     

等离子体屏蔽和稀疏波对冲量耦合系数的影响

 利用脉冲Nd:YAG激光作用在铝、铜靶上，研究了不同入射激光能量下冲量耦合系数和离焦量之间的关系，以及不同功率密度情况下冲量耦合系数和光斑直径的关系。实验表明铝靶在入射激光脉冲能量由75.8 mJ增加到382.3 mJ时，冲量耦合系数峰值对应的最佳离焦量由－10 mm处远离焦点向透镜方向移到－18 mm，而对应的激光功率密度仅由2.0×10⁹ W/cm²增加到3.9×10⁹ W/cm²；铜靶实验规律和铝靶类似。等离子体屏蔽的吸收作用导致了冲量耦合系数达到最大值后迅速降低。铝靶在入射激光功率密度由0.7×10⁹ W/cm²增大到1.0×10¹⁰W/cm²时，冲量耦合系数随光斑直径增大而增大，对应变化斜率由5.2×10^-5N·s/（mm·J）增大到49.2×10^-5N·s/（mm·J），表明了稀疏波对冲量耦合系数的削弱作用随入射激光功率密度增加而增加，随光斑直径增大而减小。     

高亮度高分辨率电子枪

论述了一种已用于122cm背投式和183cm前投式电视机的新型的7.6cm钇铝石镏石(YAG)投影阴极射线管中的电子枪。在YAG绿色投影管中,当阴极电流为0.5～1mA时,其光点直径为0.065～0.08mm,该投影管分辨率大于1400电视线。     

高亮度高分辨率电子枪

 论述了一种已用于122cm背投式和183cm前投式电视机的新型的7.6cm钇铝石镏石(YAG)投影阴极射线管中的电子枪。在YAG绿色投影管中,当阴极电流为0.5～1mA时,其光点直径为0.065～0.08mm,该投影管分辨率大于1400电视线。     

红色显示用单晶荧光体

Ｃｅ掺杂单晶石榴石Ｃｅ：Ｖ：（Ｇｄ,Ｙ）３Ａｌ５Ｏ１２是一种实现高亮度、高分辨率约色显示的理想荧光新材料。它具有宽带发光谱,主峰位于５８０ｎｍ,采用这种材料作荧光屏的Φ５４ｍｍ极极射线管投影管可以达到７３００ｍｃｄ／ｍ＾２的高度亮,效率为１．５ｌｍ／Ｗ,通过优化电子枪设计,整管分辨率可达到８０ｌｉｎｅ／ｍｍ以上。本文对这种新材料的发光机理、制备工艺进行了详细介绍,并对一些实验中得到的有意义的结论进     

利用复合色彩转换膜实现白色有机电致发光

利用蓝色有机发光二极管激发荧光色彩转换膜的方法,制备了一种新型的白色有机电致发光器件.蓝色有机发光二极管的发光层采用在4,4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)主体中掺杂高效蓝色荧光染料N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine (N-BDAVBi)来制备.有机/无机复合色彩转换膜是将有机荧光颜料VQ-D25和无机荧光粉钇铝石榴石(YAG)按一定的重量比均匀分散到-[CH3CH2COOCH3]n- (PMMA)中经涂敷、固化而成.通过与单纯有机或无机色彩转换膜的比较及调整复合转换膜本身的厚度和荧光颜料的掺杂比例来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白色有机电致发光器件.当驱动电压由6 V升至14 V时,器件的色坐标仅在(0.354,0.304)和(0.357,0.312)之间变化,其最高电流效率约为5.8 cd/A(4.35 mA/cm2),最高亮度为16 800 cd/m2(14 V).     

不同发光染料的顶发射有机电致发光器件的研制

通过设计合理的微腔结构,制备了基于绿光染料C545t、黄光染料Rubrene、红光染料DCJTB的3种顶发射有机电致发光器件。研究了不同发光染料对顶发射器件的光谱的影响。研究表明,微腔结构对光谱具有窄化作用。绿光、黄光器件的发光峰波长并未随视角增大而明显变化,体现出良好的光谱角度性,而红光器件却出现了明显的光谱蓝移现象。绿光器件的最大功率效率为8.7 lm/W,当电流密度为45 m A/cm2时,亮度能达到7 205 cd/m2;黄光器件的电流效率最大值为11.5 cd/A,当电流密度为48 m A/cm2时,亮度可达到3 770 cd/m2;红光器件的电流效率最大能达到3.54 cd/A,当电流密度为50 m A/cm2时,可获得1 358 cd/m2的亮度。采用合适的发光材料以及合适的器件结构,不仅可以提高顶发射器件的色纯度及发光效率,还可以改善器件发光光谱的角度依赖性。     

Enhancing The Efficiency of White Organic Light-emitting Diode Using Energy Recyclable Photovoltaic Cells

We demonstrate that power recycling is feasible by using a semi-transparent stripped Al electrode as interconnecting layer to merge a white organic light-emitting devices (WOLED) and an organic photovoltaic(OPV) cell. The device is called a PVOLED. It has a glass/ITO/CuPc/m-MTDATA∶V2O5/NPB/CBP∶FIrpic∶DCJTB/BPhen/LiF/Al/P3HT∶PCBM/V2O5/Al structure. The power recycling efficiency of 10.133% is achieved under the WOLED of PVOLED operated at 9 V and at a brightness of 2 110 cd/m2, when the conversion efficiency of OPV is 2.3%. We have found that the power recycling efficiency is decreased under high brightness and high applied voltage due to an increase input power of WOLED. High efficiency (18.3 cd/A) and high contrast ratio (9.3) were obtained at the device operated at 2 500 cd/m2 under an ambient illumination of 24 000 lx. Reasonable white light emission with Commission Internationale De L'Eclairage (CIE) color coordinates of (0.32,0.44) at 20 mA/cm2 and slight color shift occurred in spite of a high current density of 50 mA/cm2. The proposed PVOLED is highly promising for use in outdoors display applications.     

稳定的蓝色及白色有机薄膜电致发光器件

报道了一种稳定的蓝色和白色有机薄膜电致发光器件,蓝色器件最大亮度为7526cd／m^2,最大效率1．451m／W,半亮度寿命1035h(初始亮度l00cd／m^2)。白色器件的最大亮度为14850cd／m^2,最大效率2．881m／W,色度x=0．31,y=0．38,且色度不随电流增大而变化,半亮度寿命为2860h(初始亮度100cd／m^2)。     

Efficiency of a blue organic light-emitting diode enhanced by inserting charge control layers into the emission region

We demonstrate high current efficiency of a blue fluorescent organic light-emitting diode (OLED) by using the charge control layers (CCLs) based on Alq3 . The CCLs that are inserted into the emitting layers (EMLs) could impede the hole injection and facilitate the electron transport, which can improve the carrier balance and further expand the exciton generation region. The maximal current efficiency of the optimal device is 5.89 cd/A at 1.81 mA/cm2 , which is about 2.19 times higher than that of the control device (CD) without the CCL, and the maximal luminance is 19.660 cd/m2 at 12V. The device shows a good color stability though the green light emitting material Alq3 is introduced as the CCL in the EML, but it has a poor lifetime due to the formation of cationic Alq3 species.     

Color tunable high efficiency microcavity organic light-emitting diodes

Color tunable microcavity organic light-emitting diodes (OLEDs) with structure of distributed Bragg reflectors (DBR)/indium-tin-oxide (ITO)/N,N′-di(naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl-benzidine (NPB)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃)/LiF/Al were fabricated. Orange red and green light emissions with full width at half maximum (FWHM) of less than 20 nm were obtained through simply changing the thickness of NPB layer. Furthermore, due to the effective modification of the spontaneous emission within microcavity, the brightness and electroluminescent (EL) efficiency of the microcavity OLEDs were significantly enhanced. The maximum brightness and current efficiency, respectively, reached 31000 cd/m² at a current density of 480.0 mA/cm² and 8.3 cd/A at a current density of 110.0 mA/cm² for green devices, and 9700 cd/m² at a current density of 180.0 mA/cm² and 6.6 cd/A at a current density of 36.4 mA/cm² for red devices, which are over 1.5 times higher than those of noncavity OLEDs.