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晶片键合基础介绍 总被引:1,自引:0,他引:1
Shari Farrens 《集成电路应用》2007,(5):52-52
选择键合技术的程序通常依赖于一系列要求,如温度限制、密闭性要求和需要的键合后对准精度。键合的选择包括标准工业工艺,如阳极键合、玻璃浆料键合和黏着键合,以及新发展的低温共晶键合,金属扩散(共熔晶)键合和特定应用中的硅熔融键合。 相似文献
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半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 ,针对目前的研究工作和应用做了展望 相似文献
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硅直接键合工艺对晶片平整度的要求 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用弹性力学近似,给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小洞的关系,并用X射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。 相似文献
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晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
(AlxGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率。本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述。 相似文献
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田芳 《电子工业专用设备》2013,42(1):5-7,42
论述了晶圆叠层3D封装中的典型工艺——晶圆键合技术,并从晶圆键合原理、工艺过程、键合方法、设备要求等方面对其进行了深入探讨;以期晶圆叠层3D封装能够应用到更加广泛的领域。 相似文献
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简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤和参数以及优缺点.其中,黏合剂键合是一种低温键合技术,且易于应用、成本低、引入应力小,但可靠性较差;金属键合技术能提供高热导、高电导的稳定键合界面,与后续工艺兼容性好,但键合温度高,引入应力大,易造成晶圆损伤;表面活化直接键合技术能实现室温键合,降低由于不同材料间热失配带来的负面影响,但键合良率有待提高. 相似文献
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