InSb薄膜的霍尔效应测量

霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一．通过测量可判断半导体材料的类型，并得到材料的一些重要参数，例如载流子浓度和运尔迁移率等等．在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品．随着半导体技术的发展，用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料．我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb（锑化铝）薄膜材料，测量了它们的合尔系数和电阻率，并求出其载流于浓度和霍尔迁移率．可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多．实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值，…     

基于霍尔元件磁阻效应的微距测量演示装置

通过装置可以对霍尔磁阻效应、一种距离测量传感器原理和方法进行演示和探究。在课堂教学、课程设计等场合,直观显示霍尔元件的各种效应和技术应用,有着良好的教学效果。     

SnSe_2的忆阻及磁阻效应

忆阻和磁阻效应在当前电子信息存储领域都有着广泛的应用.近年来,硫族化合物SnSe_2作为一种同时具有忆阻与磁阻效应的存储材料,受到广大科研工作者的关注,该材料的电输运机理的深入探索具有十分重要意义.本文采用熔融法结合放电等离子烧结技术成功制备了高纯度的SnSe_2块体材料,测量了不同温度、不同磁场条件下的电流-电压特性曲线,系统地研究了其忆阻与磁阻效应.研究表明:不同温度下的忆阻特征可被归结为缺陷控制下的空间电荷限制电流效应;温度降低导致忆阻现象减弱,这与低温下杂质电离较弱导致可接受注入载流子的缺陷变少从而空间电荷限制电流效应变弱有关.同时发现,样品在低温下呈现较大的负磁阻效应,这是因为在低温下杂质散射占主导作用,电子在传导时会受到杂质的多重散射导致载流子局域化,负磁阻效应与磁场对载流子局域化的抑制作用有关;随着温度升高,散射机制逐渐由杂质散射转变为晶格散射为主,负磁阻效应逐渐转变为正磁阻效应.     

量子霍尔效应及量子反常霍尔效应的探索历程

回顾了霍尔效应、量子霍尔效应及量子反常霍尔效应的探索历程.着重叙述了1985年、1998年获得诺贝尔物理学奖的量子霍尔效应研究成果,以及在我国实验室首次观测到量子反常霍尔效应的重大成就.     

GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究

在自旋电子学研究中,一般以超晶格结构、自旋阀、隧道结来实现,另一种自旋注入典型方法是稀磁半导体材料,如GaMnAs,本文通过颗粒膜实现自旋注入,利用磁控溅射法将Fe颗粒嵌入GaAs阵体上,制备了(GaAs)₁₉Fe₈₁颗粒膜样品,在室温条件下观测到15 μΩ ·cm最大饱和霍尔电阻率,该效应比纯铁的饱和霍尔电阻率大了一个数量级,成功地实现了自旋注入. 关键词： 自旋注入 颗粒膜 巨霍尔效应     

基于霍尔效应的土沉降监测方法及装置

针对我国目前土沉降监测的自动化程度及仪器可靠性低、监测数据不及时、测量精度不高等问题,提出了一种新型基于霍尔效应的科学监测方法;这种方法采用多个霍尔器件组成阵列,将沉降磁环分布在土中,土的沉降会带动沉降磁环的跟随沉降,于是便会引起霍尔器件周围磁场强度发生相应的变化;利用霍尔效应监测霍尔器件周围磁场强弱并转化为相应的电信号,采用RS485总线通讯方式将采集到的数据实时上传至实验主机,主机对实验数据进行科学建模处理找到沉降磁环沉降位移与电信号的关系,并设计监测管理平台以实现对土沉降实时在线监测;通过实验验证这种监测方法监测精度高最大误差在0.4 mm、稳定性好,可以对多点实时在线监测,从而实现对土沉降的智能化高精度监测;在设计中可结合当前远程传输控制技术实现数据远程共享,具有更加广泛的应用前景。     

霍尔效应实验直流测量法的误差探讨及处理

本首先对霍尔效应测量中的系统误差作了叙述,对系统误差中的热能流引起的不等位电势提出了自己的见解,并对结果进行了评述。     

Mg0.3Fe2.7GeTe2 单晶的磁性及霍尔效应研究

Fe3GeTe2 是一种具有稳定长程磁有序的准二维范德瓦尔斯磁性材料, 范德瓦尔斯材料的稳定性和可调性使其在自旋电子器件的应用方面具有巨大潜力. 本文用助熔剂法生长了 Mg 原子掺杂Fe2 位的 Mg0.3Fe2.7GeTe2单晶样品, 并对 Mg 掺杂Fe3GeTe2 的结构、磁性和输运性质的影响进行了研究. 磁性数据表明 Mg 掺杂后铁磁转变温度不变, 但样品的饱和磁矩减小. 输运性质的测量中观察到各向异性的反常霍尔效应, 与Fe3GeTe2 相比, Mg掺杂后的反常霍尔电阻率减小, 同时各向异性发生了变化.     

500mW/4.2K双级G—M型制冷机的实验研究

1前言近年来由于稀土磁性材料的发现和成功研制，使低温回热式气体制冷机的性能有了很大的提高，尤其是G－M型制冷机和脉管制冷机的效果更为明显。作者在1994年初自行设计的一台液氦温区双级ibM型制冷机上取得了3．0K的无负载制冷温度，制冷量515mw／4．ZK的好结果，重要的是这台制冷机的降温速度快，且其稳定性、复现性也较好。本文就该制冷机的设计、加工及实验结果作简要的总结，以利于直接到达液氦温区双级G—M型制冷机的设计和应用。2制冷机的设计2．1制冷机的设计参数制冷机的设计参数见表1。2．2设计原则（1）要保证第二级蓄冷器…     

700K—1200K涂层及材料的红外光谱法向发射率的测定

本文根据分离黑体法原理,叙述了红外光谱法向发射率测试方法,介绍了温度在700K—1200K、波长在2.5—40μm范围的测试装置.将Perkin-Elmer 577型双光束自动记录红外光栅分光光度计作了微小变动,专门设计并研制了标准黑体炉,参考黑体炉及样品加热炉.测试过程在干燥的大气中进行。所测结果与文献值作了比较,吻合程度基本上是满意的。本文还对红外光谱法向发射率的计算公式作了推导,对测量误差也作了分析。给出了某些材料及涂层的红外光谱法向发射率曲线。     

ORG500W/4.5K制冷机的改造流程设计计算及分析

介绍了带LN2预冷的二级膨胀循环的流程计算方法,并提出了优化计算的思路和计算机程序实现的方法;最后就换热器热端温差对制冷机效率的影响进行了讨论     

超子及K介子衰变的分枝比和平均寿命间的比例

本文应用了费曼和盖尔曼所提出的普适费米弱相互作用和同位旋守恒的强相互作用计算了各种超子、K介子衰变的分枝比和平均寿命的比例。在计算时应用了微扰论,并在大动量处将相互作用截断。在应用了查尔斯·瓦纳所给出的相互作用常数和对其余两个常数作了一定的选择之后,得到的分枝比和平均寿命之比大部分和实验结果符合,最坏相差一个因子二。如果选择本文所采用的相互作用常数,可以改进前一篇源文中K⁺介子分枝比计算结果和实验的符合程度。本文计算表明V-A普适弱相互作用确实适用于K分子和超子衰变现象,表明在解释这些现象时,必须考虑到“很强”和“较强”两类强相互作用所分别产生的影响。此外,本文还表明Λ和∑应具有相同的相对宇称,K分子和核子、超子之间的四种强相互作用中必须至少有一对是膺标量耦合。     

45°高反膜中节瘤缺陷的电场增强效应及损伤特性

研究设计和制备了中心波长为1 064 nm的45°多层膜反射镜,通过数值仿真结合实验,对薄膜中节瘤缺陷引起的电场增强效应及其对薄膜抗激光损伤性能的影响进行了研究。结果表明：当1 064 nm激光从右至左45°斜入射时,电场增强效应主要出现在节瘤缺陷的表层及其左侧轮廓中部,电场增强效应随节瘤缺陷尺寸增大而增强。实验上,在清洁的基板表面喷布单分散SiO₂微球作为人工节瘤种子,采用电子束蒸发制备法完成多层全反膜的制备,采用R-on-1方式对薄膜样品进行激光损伤测试。结果表明,薄膜的损伤阈值随着节瘤缺陷尺寸增加而减小。通过综合分析电场增强效应、薄膜损伤测试结果及损伤形貌特征得出,薄膜损伤阈值降低是由于节瘤缺陷和薄膜中微缺陷共同作用的结果。     

用IRIS／API—ICP—AES法对大气降水中K、Na、Ca、Mg同时测定的研究

本文采用ICP－AES法同时测定降水中K、Na、Ca、Mg的含量。根据各元素的特性，为选择合适的入射功率、雾化压力、提升量以及试样的酸度等条件进行了探索，并且，用选定的最佳条件对样品进行测试。方法简便、快速、准确。测试结果的相对标准偏差均小于3％。     

紫外光辐照对TiO2纳米线电输运性能的影响及磁阻效应研究

采用溶胶凝胶法以及静电纺丝法, 利用热处理工艺, 成功制备出了多晶锐钛矿型TiO₂纳米线, 通过两线法在室温下测试单根TiO₂纳米线的V-I曲线来研究其电输运性能及磁阻效应. 结果表明: 在无光照环境下其V-I曲线为不过零点的直线, 零场电阻较大, 在磁场作用下电阻下降, 表现出负磁阻效应; 紫外光辐照环境下TiO₂纳米线载流子浓度增加使得电阻变小, 然而在磁场作用下电阻增大, 表现为正磁阻效应. 紫外光辐照导致的载流子浓度变化, 使得负磁阻转变为正磁阻, 我们将磁阻变化归结为d电子局域导致的负磁阻与能带劈裂导致的正磁阻两种机理相互竞争的结果.     

向列液晶表面弹性能K13项的物理效应及检验方法

通过解析推导和数值计算的方法，得到了平衡态指向矢满足的微分方程和边界条件.研究了表面弹性能K13项对磁场作用下的弱锚定向列液晶盒Fréedericksz转变性质的影响.结果表明，表面弹性能K13项的存在对液晶系统的自由能有很大的影响，从而改变转变的性质，诱导液晶盒在阈值点发生一级Fréedericksz转变.给出了发生一级转变的物理条件，它除了与液晶的结构和材料有关外，还依赖于液晶表面弹性能K13项，同时给出了由此判断K13项是否存在的检验方法. 关键词： 表面弹性能K13项 弱锚定 Fréedericksz转变     

π+p→Λ+π+K反应共振—近阈效应关联的研究

本文建议作π+p→Λ+π+K反应的实验,其中质心系总能量固定为1900MeV。在末态K介子动能0—90MeV的变化范围内,观察末态Λ-π共振和在∑πk道产生阈附近的近阈效应。通过共振-近阈效应关联和共振的角分布可以确定Y₁^*的自旋和Y₁^*,和∑之间的相对宇称。按照先处理T短阵的么正性,后处理解析性的思想,本文引入了T矩阵在道空间上的对角表象。在此基础上,提出了唯象描述近阈效应、共振现象和末态相互作用,特别是近阈效应和在阈附近共振的关联的一个新方法。并且应用这个方法,处理了所建议实验中的末态共振-近阈效应关联。 关键词：     

高位K_2分子与基态K原子及H_2分子间的激发转移

激光双光子激发K2至1Λg高位态,利用分子荧光光谱方法,研究了1Λg-3Λg间的碰撞转移截面。在纯K实验中,池温控制在553至603 K之间,K原子密度由光学吸收法测量得到。探测1Λg-11Σu+的直接时间分辨荧光的光强,它是一条纯指数衰减曲线,由此得到1Λg+态的有效寿命,有效寿命的倒数与K密度成线性关系,从直线的斜率得到1Λg态的猝灭截面为(2.5±0.3)×10-14cm2,从截距得到辐射寿命为(20±2)ns。由3Λg→13Σu+转移荧光的时间分辨谱,用类似的方法得到3Λg的猝灭截面为(2.5±0.6)×10-14cm2,辐射寿命为(16.0±3.2)ns。由1Λg→11Σu+与3Λg→13Σu+的时间积分强度比得到K2(1Λg)+K→K2(3Λg)+K的转移截面为(1.1±0.3)×10-14cm2。在K2-H2碰撞实验中,池温保持在553 K,K密度为5×1015cm-3,H2气压在40~400 Pa之间,其中K2-K碰撞效应是不能略去的,但可以用纯K结果扣除,得到K2(1Λg)+H2→K2(3Λg)+H2的碰撞转移截面为(2.7±1.1)×10-15cm2。K2(3Λg)+H2→K2(3Λg)以外态+H2的猝灭截面为(6.8±2.7)×10-15cm2。     

LaOBr中Ce—Tb、Tm—Er间能量传递的光声光谱和光致发光研究

本文首次报导了发光材料中两个不同稀土离子间能量传递的光声光谱研究。测量了LaOBr:Tb,Ce和LaOBr:Er,Tm体系的光声光谱,结合它们的光致发光特性,讨论了Ce³⁺对Tb³⁺的敏化、Tm³⁺对Er³⁺的猝灭。基质中掺入两种不同稀土离子后光声光谱的变化进一步证实了它们间的能量传递都伴随着多声子过程。分析LaOBr:Er,Tm的光声光谱,对Er³⁺r的红光猝灭的机制提出了新的解释。