流体静压力对InSb输运性质的影响

在室温和流体静压力达12500公斤/厘米²下,测量了不同掺杂浓度的n型(5×10¹³—2.3×10¹⁸厘米^-3和p型(2.6×10¹⁴—6.0×10¹⁷厘米^-3)InSb的霍耳系数和电导率。分析结果发现,霍耳系数公式中散射因子随压力而减小,禁带宽的压力系数不是常数;得出禁带宽、载流子浓度、电子和空穴迁移率与压力的关系,并对压力下的载流子散射机构作了初步讨论。     

硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

锑化铟的热处理

本文叙述N型InSb单晶和含有大晶粒的双晶样品(n～1.23×10¹⁴—2.40×10¹⁵cm^-3,μ_e～5.15×10⁵cm²/V·sec—2.10×10⁵cm²/V·sec),在500℃下、不同气氛中进行热处理产生受主,引起热转换,而整块地变为P型样品,当继续热处理使温度达到熔点以上时,这种P型样品中的热受主消失了,而转变回到原来的N型样品;若把这种N型样品再在500℃下进行热处理,则它又整块地变为P型样品。我们对这一新发现的过程进行了一些研究,发现这种现象与材料的不同制备条件和热处理时的环境气氛不同有关,并对不同气氛下的循环热转换过程和熔化效应作了论述。在500℃下进行热处理所引起的热受主浓度与热处理时间的关系中,发现在热处理起始的一段时间内,热受主形成速率较大;随着热处理时间的增加,热受主浓度达到一个饱和值;若再加长热处理时间,则热受主浓度开始下降,这现象与硅的热处理现象相似。根据实验得到的新结果进行分析,认为这种热处理现象不象是外来因素的影响所引起的,而是一种原来存在于InSb中的内在因素所起的作用,推测可能是与氧和氢有关。最后我们对解释这种热处理现象的可能的机理进行了探讨。     

单晶YSZ的Xe+离子辐照效应研究

 200keV Xe⁺离子辐照使单晶YSZ由无色透明变成紫色透明，结果表明，能量为200keV，注量为1×10¹⁷cm^-22的Xe⁺离子辐照YSZ单晶产生的损伤高达350dpa，在损伤区产生高密度的缺陷，但仍然没有发生非晶化转变。吸收光谱测试结果表明，产生吸收带的注量阈值大约为10¹⁶cm^-2。注量为1×10¹⁶cm^-2和1×10¹⁷cm^-2的样品，吸收带峰值分别位于522nm和497nm。光吸收带可能与Zr阳离子最近邻的氧空位捕获电子形成的F型色心和Y阳离子近邻的氧离子捕获空穴形成的V型色心有关。     

电子通量对ZnO/K2SiO3热控涂层光学性能的影响

 研究了电子通量对ZnO/K₂SiO₃热控涂层光学性能的影响。分别采用通量为5×10¹¹/cm²·s，8×10¹¹/cm²·s，1×10¹²/cm²·s 和5×10¹²/cm²·s的电子对试样进行辐照。电子辐照下涂层的光学性能发生了退化，并且发现了退化涂层在空气中的“漂白”现象。分析了ZnO/K₂SiO₃热控涂层光学性能的退化机制，同时讨论了电子通量对太阳光谱吸收系数的影响。实验结果发现，在5×10¹¹～1×10¹²/cm²·s的电子通量范围内，电子通量对ZnO/K₂SiO³热控涂层光学性能的影响相同。因此在这个电子通量范围内，采用加速地面试验来模拟空间的电子辐照效应是有效的。     

锑化铟中载流子的复合过程

用定态光电导及光磁电的方法测量了p型n型InSb在85—290°K之间的电子及空穴的寿命。在室温附近,所有样品的截流子寿命都趋于同一值,在290°K时为3×10^-8秒。从寿命的绝对值及温度依赖关系,以及掺杂对寿命的影响,可以肯定在室温附近起主要作用的复合过程是带间碰撞复合过程。在200°K以下,p型样品中的电子寿命与空穴寿命有很大差别,表明有陷阱作用。用位于价带之上0.05eV的复合中心及位于导带之下0.11eV的电子陷阱能完满地解释200°K以下的寿命与温度的依赖关系。     

光诱导噻吨酮与二苯胺间电子转移反应的溶剂化效应

利用纳秒激光闪光光解技术研究了噻吨酮(TX)和二苯胺(DPA)的光化学反应．在355 nm光激发下,TX的基电子态跃迁至第一激发态进而通过系间窜越生成三重态³TX^*. 在乙腈/水混合溶剂中,³TX^*与DPA反应体系的瞬态吸收光谱呈现出四个谱峰,分别对应³TX^*、TXH^·、TX^·-和DPA^·+的吸收. 随着溶剂极性的增大,这些吸收峰均发生红移. 结合动力学测量,³TX^*与DPA的反应机理被证实为电子转移伴随质子转移过程. ³TX^*与DPA反应的猝灭速率常数随溶剂极性的增大而缓慢减小,9.7×10⁹ L/(mol·s)(纯乙腈)、8.7×10⁹ L/(mol·s)(乙腈:水=9:1)、8.0×10⁹ L/(mol·s)(乙腈:水=4:1)和7.5×10⁹ L/(mol·s)(乙腈:水=1:1). 质子溶剂-水在此反应中的作用不明显,溶剂的极性对³TX^*与DPA电子转移速率的影响不大,表明³TX^*的³nπ^*和³ππ^*三重态吸引DPA中电子的能力相仿.     

离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究

室温下,用80 keV N⁺和400 keV Xe⁺离子注入ZnO薄膜,注入剂量分别为5.0×10¹⁴—1.0×10¹⁷/cm²和2.0×10¹⁴—5.0×10¹⁵/cm².利用拉曼散射技术对注入前后的ZnO薄膜进行光谱测量和分析,研究了样品的拉曼光谱随离子注入剂量的变化规律.实验结果发现,未进行离子注入的样品在99,435 cm<     

电子束在VO2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变

 利用能量为1.7MeV, 注量分别为1.25×10¹³/cm², 1.25×10¹⁴/cm², 1.25×10¹⁵/cm²的电子束辐照VO₂薄膜,采用XPS, XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起VO₂薄膜中V离子出现价态变化现象,并使薄膜的X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了VO₂薄膜的热致相变光学特性。     

在等离子体中镁离子谱线MgⅡλ4481?的宽度和位移

本工作测量了MgIIλ4481?(3²D—4²F)在电子数密度为7×10¹⁶—3.1×10¹⁷电子数/cm³范围内的谱线轮廓和位移。采用振荡型电容放电作为光谱光源。在光源中引入水汽,由测量H_β谱线宽度来定电子数密度。观测结果指出,H_β的实验轮廓和Griem-Kolb-Shen的计算结果符合颇好。实验发现MgIIλ4481?谱线向紫方位移,并正比于微观电场的平方;由此定出一个经验上的二级斯塔克效应常数C₄=5.0×10^-14cm⁴/sec。该谱线的轮廓宽度和标准微观电场之间也有平方正比的关系。发现在本实验条件范围内,宽度和位移的比值γ/△保持为常数,其值为γ/△=10.4±0.6。由于谱项4²D的二级斯塔克效应的干扰而产生上能级4²F位移的理论计算虽能说明谱线位移和微观电场间的平方正比关系,但数值偏小于实验结果,指出还有电子贡献的部分。把光谱线的宽度和Lindholm理论公式及Griem等的近似公式作了比较;简单的估计指出,实验结果和后者符合较好。     

基于沉淀工艺制作四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极的研究

采用沉淀法制备四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极，将阴极和荧光屏封装起来抽真空并对屏施加电压，测试阴极的发射电流和荧光屏的发光亮度.利用沉淀法制备出面积为(13×15) cm²的阴极，测试结果表明，硅酸钾体积百分比在50×10^-3—83×10^-3范围，硝酸钡浓度在50×10^-4—77×10^-4 M范围，四脚氧化锌的浓度在82×10^-4—12×10^{-3相似文献}   

110keV质子辐照对温控涂层性质的影响

实验研究了1.0×10¹¹—1.0×10¹⁷p/cm²通量范围内110keV质子辐照引起的温控涂层热光性能的变化. 实验表明, 在1.0×10¹¹p/cm²通量辐照下6种温控涂层材料的相对光反射率基本没有变化,当辐射通量在1.0×10¹²—1.0×10¹⁶p/cm²范围变化时,某些低吸收率的温控涂层的太阳吸收率随着辐射通量增加先变小而后又增大.这一特性对于制备更低太阳吸收率的温控涂层具有应用价值.     

4H-SiC NMOS电子、质子辐照数值模拟

 分析了高能电子、质子对4H-SiC的损伤机理,建立了4H-SiC NMOS器件物理模型。电子、质子辐照效应模型。应用ISE-TCAD软件进行数值模拟计算,得出在能量为2.5 MeV、注量为5×10¹³ cm^-2的电子辐照及能量为6.5 MeV、注量为2×10¹⁴ cm^-2的质子辐照下,4H-SiC NMOS转移特性曲线和亚阈值漏电流曲线变化的初步规律。数值模拟结果与相同条件下Si NMOS实验结果吻合较好。     

真空中微波等离子体喷流电子数密度分布规律实验研究

为了准确诊断真空中微波等离子体喷流的电子数密度，利用统一的发射和单郎缪尔探针测量等离子体的空间电位，再测量等离子体的电流-电压特性曲线.根据空间电位测量结果，在等离子体的电流-电压特性曲线上能准确地获取饱和电流，从而处理出电子数密度.最后的诊断实验表明，当真空环境压强为2—6 Pa、等离子体发生器以60 W以下的微波功率击穿流量范围是42—106 mg/s的氩气时，所产生的微波等离子体喷流中电子数密度分布在1×10¹⁶—7.2×10¹⁶/m³范围内.     

光纤Bragg光栅热敏力敏效应研究及应用探讨

本文报道了光纤Bragg光栅热敏力敏效应的实验研究结果,测量所得的光纤Bragg光栅温度系数和应力系数分别为6.84×10^-6/℃和7.27×10^-6/gf,与理论值6.85×10^-6/℃和7.32×10^-6/gf符合得很好.在20～180℃和0～50gf的温度应力测量范围内,光纤Bragg光栅透射谱中心波长移动量同温度应力具有良好的线性关系.基于光纤Bragg光栅的热敏力敏效应,本文还讨论了光纤Bragg光栅温度应变传感器实用化时必须首先考虑的一些关键问题.     

高压下Li掺杂p型ZnO固溶体的表征

报道了利用ZnO和Li₂O混合物在5GPa, 1200 ℃—1500 ℃条件下, 制备Li掺杂p型ZnO(记作ZnO: Li)固溶体的过程. 研究发现, 高压下温度对于ZnO: Li固溶体的导电类型以及结构具有较大的影响. 其中在1500 ℃条件下烧结的ZnO: Li(Li的掺杂量4.5%)表现出良好的p型电学性能, 其电阻率为3.1× 10^-1Ω·cm, 载流子浓度为3.3× 10¹⁹cm^-3, 迁移率为27.7cm²·V^-1·s^-1. 通过实验及理论计算确定了其受主能级为110meV, 讨论了压力对p型ZnO的形成和电学性能的影响.     

CHCl3电子吸附速率常数的离子迁移谱

利用电晕放电离子迁移谱, 使用高纯氮气作为载气和迁移气体, 研究了电场强度在200～500 V/cm变化时CHCl₃的解离电子吸附速率常数, 得到样品所对应的电子吸附速率常数为1.26×10^-8～8.24×10^-9 cm³/(molecules s)．利用该装置测量了固定电场下,样品的电子吸附速率常数与样品浓度之间的关系．此外利用所获得的离子迁移谱图得到了不同电场强度下Cl^-与CHCl₃之间的离子分子反应速率常数.     

中等银纬区逆康普顿γ射线强度

使用最近期的EGRET/CGRO γ射线数据,确定出了中等银纬区(|b|=10°-20°)银河宇宙线与星际气体相互作用产生的γ射线的发射率q/4π,其中采用了由γ射线数据本身来确定该发射率的方法;并由此获得了以银经为函数的不同能区的逆康普顿(IC)γ射线积分强度.在该银纬区,沿银经平均的IC微分强度可表为:I_Ic(E)=1.58×10^－6E^{－2.08±0.06}cm^－2·s^－1·sr^－1GeV^－1,b=10°—20°;I_Ic(E)=2.08×10^－6E^{－2.03±0.06}cm^－2·s^－1·sr^－1GeV^－1,b=－20°—－10°,其中,能量E的范围为30MeV到4000MeV.     

薄膜型超导红外(光)探测器

在高Tc GdBaCuO超导薄膜上,采用光刻技术分别制成两种不同结构的辐射、热测量器件及2×4集成阵列式微桥器件红外(光)探测器.探测器芯片安装在STD-3型红外探测器杜瓦冷指上.用黑体及波长为0.6328μm的He-Ne激光器辐照器件,系统观测各种器件的特性,其中最好的结果:在10Hz时的噪音等效功率NEP(500,10,1)=3.6×10^-12 WH_z^1/2;探测率D^*(500,10,1)=1.6×10¹⁰ cmH_z^1/2W^-1;响应率R_v=8.2×103VW^-1.另外,多元串接微桥器件出现的多台阶式的特性,可望在红外探测计量及高频方面获得重要应用.     

金原子团簇的分频散射光谱研究

液相金原子团簇是一种非线性光学介质.它在580nm处产生一个最强共振散射峰.当激发波长为290nm(1.03×10¹⁵Hz)时,液相金原子团簇在580nm(1/2×1.03×10¹⁵Hz)和870nm(1/3×1.03×10¹⁵Hz)分别产生一个1/2分频和1/3分频散射峰;当激发波长为580nm(5.02×10¹⁴Hz)时在290nm(2×5.02×10^-14Hz)和870nm(2/3×5.02×10¹⁴Hz)分别产生一个2倍频和2/3分频散射峰;当激发波长为870nm(3.34×10¹⁴Hz)时在580nm(3/2×3.34×10¹⁴Hz)和290nm(3×3.34×10¹⁴Hz)分别产生一个3/2分频和3倍频散射峰.分频散射和倍频散射峰与共振散射峰具有相似的散射行为.从激励光与液相金原子团簇相互作用的运动方程出发,根据傅氏变换理论,较好地解释了液相金原子团簇产生的一些非线性散射光谱.