磁化等离子体的纵向电阻率

从动力论方程出发,推导并讨论了磁化与非磁化等离子体的纵向电阻率。结果是:(1)各向同性磁化等离子体的电阻率约为非磁化者的1.5倍;(2)对各向异性的等离子体而言,磁化后的电阻率约与T_e⊥T_e‖^-5/2成正比,但非磁化时的电阻率则与T_e⊥^-1T_e‖^-1/2成正比。以上的差异主要是来自外磁场对电子运动轨迹的作用。同时本文亦论述了在讨论经典电阻率时,静态屏蔽作用是主要的,而动力屏蔽对电阻率的影响是可以忽略不计的。 关键词：     

超镁铁质岩、榴辉岩和辉长岩中主要矿物的高压电阻率研究

 为了研究3~20 GPa压力范围内地幔物质的电阻率随压力变化的情况，选择了辉长岩、榴辉岩和二辉橄榄岩中的主要矿物：单斜辉石、拉长石、绿辉石、石榴石和顽辉石作研究对象，在DAC装置中测定其在不同压力下的电阻率。结果表明，在3~8 GPa压力区间，矿物的电阻率随压力增高而明显增大。超过8 GPa，电阻率受压力的影响减小，而辉石的电阻率随压力增高而不同程度地减小，在14~20 GPa压力范围内，顽辉石的电阻率再次随压力增高而明显增大，对其它矿物的影响不明显。在约400 km深处的地幔中出现的电导率突然上升，恰好发生在辉石电阻率与压力成负相关的压力范围内（12 GPa左右），这是否是一种巧合，将在以后研究。     

射频溅射Pd薄膜的电阻率研究

本文研究了溅射Pd薄膜的电阻率与膜厚关系和不同溅射功率下Pd薄膜电阻率,结果表明,电阻率与膜厚的关系与现有的薄膜电阻率尺寸效应的理论基本相符,存在的差异主要是由溅射对衬底温度影响而引起的,并显示玻璃衬底上生长膜也有择优取向,溅射功率的变化对电阻率有一定的影响,进一步讨论溅射过程中衬底温度变化的问题,得出膜电阻率随衬底温度变化的定量关系式。 关键词：     

用四探针法测量矩形半导体电阻率时的修正函数

本文对于应用四探针法测量矩形半导体电阻率问题进行理论分析,在同时考虑样品有限长、宽、厚三个几何尺寸对测量过程的影响的条件下导出修正函数的一般公式,并把根据这些公式计算的一些修正因子列成数据表。指出了为减小电阻率的测量误差,除了提高测量设备的精确度和改进测量技术外,正确的选择修正因子也是一个重要因素。 关键词：     

微通道板玻璃的电阻率

叙述微通道板玻璃的电阻率和其氢原处理后的表面电阻率以及表面电阻率的影响因素。按照玻璃钢络结构观点并就微通道板制造工艺中出现的电阻率差异进行了分析。最后，给出了改进措施。     

HFCVD金刚石膜电阻率研究

本文采用在金刚石表面蒸镀铝电极的方法测量金刚石膜的电阻率。样品的Raman,SEM,XRD分析结果表明,金刚石膜的电阻率与晶粒尺寸、晶粒取向和缺陷及杂质有直接关系,大尺度晶粒的金刚石膜具有较高的电阻率,高比例的I（110）／I（111）晶粒取向的金刚石膜具有较高的电阻率;结构缺陷和杂质含量较小的金刚石膜具有较高的电阻率。     

自来水电阻率的测定

给出了自来水电阻率测量的一种方法,并做了具体测量;通过测量不同温度下的电阻率,研究它的温度系数α.     

替代式合金系统的电阻率

本文将文献[1]的无序晶态合金电阻率理论推广到包含长程有序的系统,从而建立了适用于晶态金属,无序及有序替代式合金的Ziman型电阻率理论。根据这个理论我们详细讨论了这类系统电阻率的温度依赖性。文中着重指出:合金系统结构因子的超结构峰对电阻率有重要贡献。这个贡献在低温下是一个T²项,它比电子-电子散射引起的T²项大得多,因而合金系统电阻率在T<<Θ(Θ是德拜温度)时有ρ≈ρ₀+ρ_a(T/Θ)²+ρ_i(T/Θ)⁵的形式。据此,许多A-15化合物正常态电阻率在低温下的反常行为很容易解释。作为例子,我们将低温电阻率的理论表达式与V₃Si的测量值作了比较,符合得很好。     

磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究

研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。 关键词：     

直边界对电阻率测量的影响及修正

针对直线四探针法中直边界对硅片电阻率测量的影响开展了实验研究.结果表明,直边界会导致硅片电阻率测量结果偏大.依据实验数据,分析得到了存在单一直边界影响时的电阻率修正公式,并验证了该公式是有效、准确的.     

组分调制Cu3NPdx的大温区恒定电阻率

单一固体材料的电阻率是关于温度的复杂函数。目前尚未见关于相当大的温度范围内恒定电阻率的报道；对恒电阻的需求仍然是通过材料结构组合或电路设计实现的。Cu3NPdx随组份的变化会经历半导体-半金属相变，在Cu3NPd0.238中可以在240K的温度范围内测得不变的电阻率，这一发现至少表明大温区内恒电阻是可以在单一材料内实现的，它对固体物理的理解本身以及诸多应用都有重要的意义。     

纯金属电阻率的统计模型

本文提出了纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比的统计模型，由此简化模型，给出了纯金属电阻率的一个解析表达式，理论与实验规律相符，即在高温时，电阻率与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ＾５成正比。     

无序晶态合金的电阻率

基于Baym原则,将Ziman型液态金属电阻理论推广到晶态金属及替代式的无序合金系统,给出了电阻率的一般表达式,讨论了它们的低温和高温行为。低温下用德拜晶格振动模型,无序晶态系统的电阻率可表为ρ=ρ₀+ρ_d(T/Θ)²+ρ_i(T/Θ)⁵,与实验一致。高温下,考虑到Debye-Waller因子及多声子效应,电阻率趋向饱和。用独立原子振动近似得到的简单公式与实验资料的比较表明:类似Nb这种电阻率的高温非线性偏离可以在本文的模型中自然地得到说明。     

井间电阻率层析成像及其

从稳定电流场基本方程出发，通过定义线性微分算子，推导出与之等价的泛函方程。井间电阻率析成像计算中，反演成像算法是该方法的核心，文中对奥克姆反作了改进，使之竽井间电阻率层析成像的反演计算，给出了理论模型计算及实际数据的处理结果并作了讨论。     

YBa2Cu3O6＋x体系中反常的电阻率与载流子浓度关系

样品ＹＢａ２Ｃｕ２Ｏ６＋ｘ的载流子浓度通过４５０℃氮气流中退火来改变，电阻率与载流子浓度的关系由原位电阻测量确定，发现样品的电阻率随退火时间增是增大，这是 氮气氛中退火时间增加导致样品的氧含量减少，然而，当退火达三小时样品的电阻率出现反常，样品的电阻率迅速下降一个量级。     

铁磁金属中自旋波散射引起的电阻率

铁磁金属中自旋向上电子与自旋向下电子的能量由于磁化而造成的分裂,在低温下对自旋波散射引起的电阻率(磁电阻率)有重要的影响。由于这个分裂,单带情况下低温磁电阻率总是衰减的;但两带情况下则有可能增强。考虑到自旋波谱中的能隙用单带模型所得的磁电阻率表达式与Tb和Dy的实验资料比较表明:不但低温电阻率的温度依赖性符合,数值上也与高温磁电阻测量结果一致。 关键词：     

欧姆接触中接触电阻率的计算

从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从实验上综合各种测试方法,并讨论了其利弊．     

金属低温杂质散射电阻率

用弛豫时间近似讨论了金属低温下杂质散射电阻率与温度的关系，给出了近自由电子系统的电阻率的温度平方项系数。并对其它情况进行了讨论。     

测量电阻率时金属棒的长度的取法

测量电阻率时金属棒的长度的取法吴集泉，吴国进，吕振洪（青岛海洋大学２６６００）用凯尔文电桥测量金属棒的电阻率，常见的物理实验讲义是取一定长度，多次测量统计平均取得结果的７由于金属棒是低值电阻，接触端是有一定宽度的金属环、片（见图１），测量长度时的首尾...     

高压下锐钛矿TiO2的电阻率及能带结构的研究

应用在位电阻率测量方法研究高压下锐钛矿TiO2的电学性质。通过研究电阻率随压力变化的异常变化点,观察到了TiO2从锐钛矿－柯铁矿－斜锆石的相变。卸压后,电阻率数值和初始值相差2个数量级,说明该相变为不可逆相变。结合第一性原理计算结果表明,柯铁矿结构更小的带隙是导致TiO2电阻率减小的根本原因。