简单湿化学方法制备ZnO压敏电阻的研究

采用无机可溶性盐类为原料，通过相对简单的化学共沉淀方法，制备了ZnO压敏电阻材料，与传统的制备方法相比，化学方法得到的压敏电阻具有更低的烧结温度，更优良的非线性和更高的电压梯度，是一种具有重要实用价值的压敏陶瓷制备新方法。同时，利用XRD和SEM分析技术，对其显微结构也进行了表征和讨论。     

烧结温度对氧化锌压敏瓷显微组织和电性能的影响

采用不同的烧结温度（900～1300℃）制备氧化锌压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了烧结温度对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理。烧结温度越高,Bi2O3挥发越严重,氧化锌压敏瓷的晶粒尺寸越大,电位梯度越低。研究结果表明,当烧结温度为1100℃时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332V／mm,非线性系数为30,漏电流为0．1μA。     

共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟(Ⅰ)

从多种离子反应平衡角度，对最常见的氨法共沉淀过程进行理论分析，并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法．对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的既能与NH3也能与OHˉ络合的金属离子（A类二价金属离子）进行了理论分析和模拟计算，得NT沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系．     

不同稀土氧化物添加对氧化锌压敏电阻瓷性能的影响

分别采用La2O3、Sm2O3、CeO2、Y2O3掺杂改性氧化锌压敏电阻,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,在摩尔比例相同的情况下,并在烧结温度为1160℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻陶瓷具有不同的电性能,其中以Y2O3掺杂改性的阀片性能最佳,其电位梯度达到348v/mm,漏电流为2μA,非线性系数为39,能量吸收密度为284J/cm3,性能优于其他稀土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。     

室温固相化学法制备ZnO压敏电阻用纳米粉体及其压敏特性的研究

采用室温固相化学法,并通过对反应物摩尔配比、球磨时间、前驱物洗涤方式等因素的控制,合成了掺杂ZnO纳米粉体.借助XRD,TEM,粒度分布测试等手段,对粉体的组成、形貌和粒度进行了表征,探讨了反应条件对粉体性能的影响.结果表明,在反应物配比为1.10,球磨时间为30min,采用含量为3%的PEG-2000作为表面改性剂的条件下,制备了粒径为20nm左右、形状为球状的掺杂ZnO粉体.将制备的粉体通过成型,在1080℃制备了电位梯度为791.64V/mm、非线性系数为24.36、漏电流为43μA的压敏电阻.借助XRD,SEM,电性能测试等手段,对ZnO压敏陶瓷的组成、结构及压敏电阻的性能进行了表征,探讨了工艺参数对压敏电阻性能的影响及其机理.     

热处理温度对ZnO薄膜结构特性的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的ZnO透明导电薄膜,利用X射线衍射仪、隧道扫描显微镜、紫外-可见分光光度计、霍尔效应仪等仪器分析退火温度对ZnO薄膜的表面形貌、光电性能的影响.结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的结晶质量提高,晶粒尺寸变大,薄膜的致密性提高,薄膜在可见光范围的平均透射率达到80%以上,并且电学性能有所提高.     

烧结工艺对含硅锰烧结钢性能与组织的影响

研究了烧结温度和时间对Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结刚性能与组织的影响，实验结果表明：提高烧结温度和延长烧结时间都能改善Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结钢的机械性能；并使烧结试样由膨胀逐渐向收缩过渡，Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结网在１１００℃以上烧结时，由于有液相的出现，合金化过程可以被大大地提高，在烧结过程中，只有那些较小的硅锰母合金颗粒才能全部熔化，而那些尺     

烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及性能的影响(2)

利用传统的电子陶瓷工艺,对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系低压压敏电阻材料,研究了不同烧结温度下材料的相结构,显微组织,电性能与烧结温度的关系。结果表明,在1150～1200℃温度范围内,可通过烧结温度,调整材料的压敏电压值,而材料的非线性系数α变化不大.     

氮化温度对ZnO薄膜结构特性的影响

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在蓝宝石(001)衬底上制备不同氮化温度的ZnO薄膜.结果表明,在200～600 ℃内, 不同的氮化温度对薄膜的表面形貌和晶格结构有显著影响.     

纳米ZnO的制备及退火温度对结晶的影响

通过液相法中直接沉淀法制备了纳米ZnO粉末,对制备的样品形状和尺寸进行了表征,重点分析了退火温度等实验制备参数对纳米ZnO的结晶情况的影响.表明退火温度对制备纳米ZnO粉末非常重要,当退火温度为550°C时可以制备高纯度、结晶情况良好的纳米ZnO粉末.     

氧化锌避雷器在电力系统中的应用问题分析

文中阐述了避雷器在电力系统中的应用及其对电力系统的影响,简单论述了氧化锌避雷器的作用原理,分析了氧化锌避雷器在应用中的问题及解决问题的技术措施。     

矿化剂和烧成温度对合成锆莫来石材料的显微结构与性能的影响

运用精细化工艺方法,选择适当的矿化剂,采用矾土生料和锆英石砂烧结合成锆莫来石材料,试验表明:引入矿化剂或提高烧成温度均可以促进锆英石的分解,加速固相反应和烧结的进行。1550℃保温2小时烧后的试样具有良好的显微结构和常温性能。     

ZnO压敏陶瓷反射光谱的研究

利用简便的粉末反射光谱法，测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱，并对其影响机理进行了探讨．研究结果表明，同纯ZnO相比，压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移，红移量随烧结温度的提高而增大；吸收边斜率随着烧结温度升高而变小．吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果．高温烧结的试样在波长为566nm、610nm、650nm处存在光反射谷，反射强度随烧结温度升高而降低．烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因，缺陷类型与温度变化无关，浓度随烧结温度的升高而增大．     

接闪器避雷范围的三维建模

在AUTOCAD平台上,使用AUTOLISP语言二次开发而成的参数化三维绘图软件,建立了接闪器避雷范围的三维模型,包括常规的避雷针系列、平行避雷线和架空地线等防雷模型.为现行避雷系统的可靠性理论的验证提供了依据.     

Si/Mo结构烧结应力随烧结温度的变化

提出了一种新的低温烧结硅/钼结构的方法.根据热弹性理论和复合材料层间应力理论,分析了不同烧结温度下硅/钼结构的层间应力情况,并采用红外光弹系统测量了硅片中的应力分布.实验结果表明,硅片中的应力分布随烧结温度的不同而不同,应力随烧结温度的降低而减小.将实验结果与理论结果进行比较,发现两者吻合较好,从而验证了理论分析的正确性.     

等离子活化烧结过程的温度分布研究

以导电性的石墨和绝缘性的氧化铝为测试对象,对等离子活化烧结过程中试样和模具所组成体系的温度分布进行了理论分析和实验研究.结果表明,在200～800℃的测量范围内,石墨-模具体系和氧化铝-模具体系内均存在径向温度梯度,试样的温度均高于模具外壁的温度,2种体系的径向温差随温度的升高成抛物线趋势增大.在同一温度下,石墨-模具体系的径向温度梯度大于氧化铝-模具体系的径向温度梯度,2种体系内测温点与试样中心点之间的温差均随两点之间距离的增大而成抛物线趋势增大,这与理论分析结果是相一致的.     

低压ZnO压敏陶瓷材料的显微结构和电特性(1)

本文研究了ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系半导体陶瓷材料的相组成,显微结构与电压敏感特性。该系材料经1200℃左右烧结可得到优良性能的低压、高非线性压敏电阻材料。     

烧结温度对细晶粒Ti(C,N)基陶瓷组织和性能的影响

采用真空烧结工艺制备超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷．研究了烧结温度对超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的显微组织、性能的影响，并用SEM观察试样的断口形貌．结果表明，随着烧结温度的升高，陶瓷材料的显微组织逐渐变得均匀致密，晶粒长大不明显，环形相逐渐变得完整；当烧结温度超过1450℃，晶粒会明显长大，环形相变厚、变脆，导致材料的性能下降．进一步分析表明，超微和纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的最佳烧结温度分别为1410℃、1450℃．