掺持TGS系列晶体的生长形态与表征的研究

采用水溶液缓慢降温法生长了８种掺质ＴＧＳ系列晶体，即ＬＶＡＴＧＳ，ＬＨＩＴＧＳ，ＬＡＳＴＧＳ，ＣＲＴＧＳ，ＤＬＳＥＴＧＳ，ＬＣＹＴＧＳ，ＬＭＥＴＧＳ和ＬＴＹＴＧＳ晶体。系统地研究了这８种掺质ＴＧＳ系列晶体的生长形态，并分别与纯ＴＧＳ进行了对比。利用Ｘ射线粉末衍射 外光谱分析确定掺质均已进入晶体。当掺质进入ＴＧＳ晶体后，虽然只引起民结构的微小变化，但显著地改变了晶体的生长形态，证明ＴＧＳ晶体结构在质     

掺质TGS晶体生长机制的探索研究

本文采用水溶液降温法生长了６种掺质ＴＧＳ晶体，掺质分别为有机小分子化合物：甲酸、乙酸、丙酸、丙醇、１，２－丙二醇和硫脲。研究了此６种掺质ＴＧＳ晶体的生长形态，Ｘ－射线粉末衍射和红外光谱以及主要的热释电性能参数等。最后从氢键形成的观点出发，探索研究了掺质ＴＧＳ晶体的生长机制。     

Nd：DL—ALa：L—GLu：TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择Ｎｄ２Ｏ３、Ｌ－谷氨酸ＤＬ－丙氨酸为掺杂剂，生长出Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体，测定了其热释电性能。结果表明，Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体有希望成为性能优良的热释电新的晶体材料。     

TGFB晶体生长动力学及机理研究

用静态体视显微镜法测定了３１６．９６Ｋ时氟铍酸甘氨酸（简称ＴＢＦＢ）晶体在不同过饱和度（σ）的水溶液中（１１０）晶面的面生长速率（Ｒ），实验数据通过微机运算，用最小二乘法得出Ｒ与σ的函数关系，并由此估算出晶体生长过程中脱溶，脱附，扩散，扭折等各步骤的活化自由能分别是５９．２３ｋＪ／ｍｏｌ，６０．８９ｋＪ／ｍｏｌ，４３．４９ｋＪ／ｍｏｌ，５０．５４ｋＪ／ｍｏｌ。结果表明，在低过饱和度下，ＴＧＦＢ晶体     

TGS：Cr^6＋晶体的热释电性质及光折变效应

采用降温法生长出了ＴＧＳ：Ｃｒ＾６＋单晶。测定了晶体结构、光谱特性和热释电性质。研究表明，该晶体存在高的内偏压场和光折变效应。     

掺杂TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择重稀土离子Dy3 为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体。生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长。将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性。用ICP发射光谱测试了掺杂晶体中稀土元素的含量,用X射线粉末衍射法测定了晶格参数,结果表明:元素已进入晶体,晶格参数稍有变化,但掺杂晶体的对称性仍为C2-2。通过测量掺杂晶体的电滞回线,得到了内偏压场,还测量了各样品的热释电系数、自发极化强度,作了温度曲线,并分析了各掺杂剂对提高热释电性能和锁定极化的作用。结果表明:是有应用前景的热释电材料。     

YAG∶Er晶体中的自饱和跃迁和激光波长红移

用提拉法生长出ＹＡＧ∶Ｅｒ晶体，测定和分析了晶体的晶胞参数。讨论了＾２Ｈ１１／２，＾４Ｓ３／２，＾４Ｆ９／２能级的发光与猝灭，＾４Ｉ１１／２→＾４Ｉ１３／２自饱和跃迁的变化规律及激光波长红移的有关因素。     

激光正反射法测定硒镓银晶体的取向

本文提供一种测定硒镓银晶体取向的方法。它是基于用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＡｇＧａＳｅ２晶体表面气泡内的显露面对激光的反射来测量其取向。实验发现，这些显露面均属于｛１１２｝单形，而法形共有四个方向。因此，可以很方便地确定ｃ轴。     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。     

α—甘氨酸单晶体生长及快速结晶方法研究

本文提出了用非离子表面活性剂从３％－２０％的乙醇中培养α－甘氨酸单晶体的新方法。研究了其晶过程，改进了结晶条件，大大缩短了结晶时间。探讨了甘氨初始浓度，乙醇用量，结晶温度对结晶过程的影响，得到了最佳控制参数。晶体纯度为９９．９ｗｔ－％，产率大于９２％，α－甘氨酸晶体率１００％，氯含量为０．００１ｗｔ－％。     

GdP5O14晶体的生长与能级测定

本文采用蒸发溶液法生长出高质量的ＧｄＰ５Ｏ１４晶体，测定了其结构属于单斜晶系，空间群Ｐ２１／ｃ。用荧光光谱仪实验测定ＧｄＰ５Ｏ１４的激光光谱和发射光谱，并计算了Ｇｄ＾３＾＋在晶体中的能级。     

某些非线性光学配合物的晶体结构特征

ⅡＢ族金属卤化物ＭＸ２分别与ＰＯＭ，ＴＳＣ，ＡＴ反应形成了金属有机配合物。在这些配合物中，某些配合物具有 非线性光学特性；较高的熔点；；产大的晶体密度。本文对此做了一些讨论。     

副族金属卤化物与POM的配合物的二次谐波效应与晶体结构的关系

已发现某些金属有机配合物是一类有前景的非线性光学材料，为了系统地探索二次谐波发生（ＳＨＧ）效应大、综合性能好的新型金属有机配合物非线性光学晶体材料，则有必要探讨它们的性能与结构之间的关系。考虑到某些具有较大二阶极化率的有机分子可能与副族金属卤化物形成配合物，于是对这些配合物的二次谐波效应与晶体结构的关系进行了较系统的研究，发现它们实测的ＳＨＧ强度的大小与晶体的配位键中离子键和共价键成分的大小相一致     

富勒铁复合材料中晶体的电镜分析

采用适当的激光热处理，使Ｃ６０／Ｃ７０涂层与４５钢基底发生复合并生成昌体相。通过ＳＥＭ、ＴＥＭ、波谱、ＳＴＥＭ能谱等手段，证实所制备的富勒铁复合材料中生成许多不同地Ｆｅ－Ｃ合金体系带常规析出物的多边形晶体，其中有三角形、四边形、五边形、六边形和八边形几种，尺寸为１０μｍ量级。对晶体形貌进行成分的初步鉴定和结构分析、表明这些晶体中部分为立方金刚石，其它为未知的新型结构的碳化物。     

熔体生长3,4—二甲氧基,4‘—硝基芪（MOMONS）晶体

首次报道了３，４－二甲氧基，４＇－硝基芪（ＭＯＭＯＮＳ）化合物具有倍频效庆。用粉末法测得其有效倍频系数ｄｅｆｆ为０．２２－３倍ｄＫＤＰ用坩埚下降法生长出ＭＯＭＯＮＳ单晶体，并用直接法解出了的结构。从晶体结构讨论了ＭＯＭＯＮＳ晶体的性能。     

双有机取代基TGS系列晶体的研究

本文采用水溶液缓慢降温法生长了4种双有机取代基TGS系列晶体.双有机取代基分别为L-α-丙氨酸+乙酸,L-α-丙氨酸+丙酸,L-α-丙氨酸+乳酸,L-α-丙氨酸+异丙醇胺.系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高.并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素.     

KDP晶体中铝取代钾点缺陷第一性原理计算

为了明确Al3+在KDP晶体生长过程中对光学性质和力学性质的具体影响,采用第一性原理计算程序包VASP软件计算并分析了Al取代K对KDP晶体的晶体结构、电子能态密度和光学性质,并同理想KDP晶体进行对比研究.结果表明,KDP晶体中Al取代K的缺陷形成能为0.974 eV,并且Al替位K点缺陷引起的晶格畸变非常微弱,缺陷比较容易形成. Al取代K后晶体能带中价带顶附近的态密度发生了变化,并且带隙中存在缺陷能级,取代后KDP晶体的带隙宽度减小为4.37 eV,缺陷增加了KDP晶体对可见到紫外波段的光子吸收,影响KDP晶体光学质量及其激光损伤性能.计算力学性质发现,Al替位掺杂KDP晶体比理想KDP晶体的杨氏模量增加了,这会减弱晶体抗激光损伤能力.     

优质大尺寸Nd：YAG晶体生长技术的研究

本文研究了Ｎｄ：ＹＡＧ晶体由于小面的生长而产生核心与侧心的机理。讨论了熔体生长Ｎｄ：ＹＡＧ晶体的固液界面形状和温度梯度及小面生长的内在联系；探讨了消除侧心、减小核心的技术途径；并生长出无侧心、小核心Ｎｄ：ＹＡＧ晶体。     

新型有机热释电晶体——酒石酸铵系列晶体研究

本文从晶体结构对称性的观点出发,寻找新型有机热释电晶体材料,选取了具有P21空间群结构的酒石酸铵系列晶体作为研究对象,用水溶液缓慢降温法生长了酒石酸铵及其掺质酒石酸铵晶体,掺质分别为尿素、溴化铵和甘氨酸,研究了晶体生长形态并作了比较.测定了酒石酸铵系列晶体的红外光谱、晶胞参数和主要热释电性能.发现酒石酸铵系列晶体的热释电性能,其品质因子具有与TGS晶体相同的数量级.     

典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响

针对KDP晶体生长过程中常出现的SO2-4,NO-3和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP晶体X和Z向的电导率的影响.结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率; SO2-4的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.分析认为,快速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO2-4具有与PO3-4结构的相似性,从而能够取代部分PO3-4进入晶格,从而产生H+空位.H+空位的定向移动能增大晶体的电导率.而NO-3和Cl-与PO3-4结构差异较大,很难取代进入PO3-4晶格,因此NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.