LED白光照明光源的研制

利用自制的YAG荧光粉封装白光发光二极管(W-LED)并组装成W-LED阅读灯。根据光度学原理对W-LED灯、荧光灯及白炽灯的照明参量进行测试。结果表明：W-LED灯具有节能、超长寿命、工作性能稳定和方向性好等显著优点。     

白光发光二极管在高效光源模块中的应用

将GaN基蓝光激发YAG荧光粉的成白光发光二极管(W-LED)优选后,以串联形式集成为 W-LED 发光模块.分别测试了 W-LED 集成光源模块的光电特性、发光效率以及不同电流驱动下的光源衰减率,并与白炽灯和荧光灯等传统照明光源进行了比较.实验表明:当驱动电流为 14～18 mA时,W-LED 集成光源模块的发光效率可达到 64.46 lm/W,而功耗仅为2.4 W,发挥出了 W-LED 作为照明光源的节能、高可靠和稳定性等优势.经 10 kh 老化测得电流下降较常用灯＜10%.     

新型的半导体光源—白光LED

近几年来,随着Ⅱ-Ⅵ族(ZnSe)和Ⅲ-Ⅴ族(GaN)宽带隙材料技术的突破,蓝-绿光发光二极管(LED)陆续进入商品市场,企盼已久的半导体全色光源梦已经变成现实,同时也促进了新一代光源——     

利用双基色发光二极管研究白光发光二极管

介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势。详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理，并讨论了制作过程，包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用。最后对器件性能作出评价。     

柔性白光有机发光二极管的研究进展

作为新一代自发光显示器件,有机发光二极管(OLED)已经逐渐开始商业化。柔性白光技术是未来显示和照明市场不可或缺的组成部分,因此柔性白光OLED(FWOLED)的开发必要且迫切。首先介绍了FWOLED的基本概念,总结了实现柔性白光器件的五个重要因素,包括柔性衬底、导电电极、器件结构、光取出技术和柔性封装;随后分类概括了各种FWOLED的实现策略,包括荧光、磷光、延迟荧光、混合型FWOLED;接着综述了其他类型的柔性白光自发光技术器件,如柔性白光量子点发光二极管(QLED)、柔性白光钙钛矿LED(PeLED)和柔性白光胶体量子阱LED(CQW-LED);最后,对FWOLED的未来发展进行了总结和展望。     

有机多层白光发光二极管

以四苯基二胺衍生物(TPD)为空穴传输材料,以蓝光染料酚基吡啶铍(BePP2)、黄光染料红荧烯(Rubrene)、绿光染料8-羟基喹啉铝(Alq3)分别为蓝、绿、红三基色染料,采用多层结构制备了有机多层白光发光二极管.该白光器件的色坐标为( 0.33, 0.36)(在7V下),接近等能点白光( 0.33, 0.33);该器件在17V下的亮度可以达到3000cd/m2,流明效率为 0.3 lm/w,是目前报道的比较好的结果.     

有机多层白光发光二极管

以四苯基二胺衍生物（ＴＰＤ）为空穴传输材料,以蓝光染料酚基吡啶铍（ＢｅＰＰ２）、黄光染料红荧烯（Ｒｕｂｒｅｎｅ）、绿光染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）分别为蓝、绿、红三基色染料,采用多层结构制备了有机多层白光发光二极管．该白光器件的色坐标为（０．３３,０．３６）（在７Ｖ下）,接近等能点白光（０．３３,０．３３）;该器件在１７Ｖ下的亮度可以达到３０００ｃｄ／ｍ２,流明效率为０．３ｌｍ／Ｗ,是目前报道的比较好的结果     

有机白光发光二极管研究进展

有机白光发光二极管是实现全色显示的重要原型器件之一,而且作为一种超薄光源还可用作液晶的背光源以及一些特殊场合的照明.本文从发光区域、器件结构、材料选择等方面回顾了有机白光发光研究的一些进展情况.     

汽车用白光LED光源

由于LED（发光二极管）光源可靠性高、体积小、功率消耗低及发热量低，所以自然而然地成为了汽车照明的一种选择。目前，LED已成功地在汽车上被用作了信号指示光源，且应用的范围在不断扩大。本文介绍了白光LED在汽车中的应用。     

普通白光光源应用于ALA-PDT的实验研究

本文根据线光源高压汞灯的特点设计了一个用于光动力疗法的光反应室 ,它输出的光功率连续可调 ,波段选择简单灵活     

静电对GaN基白光LED可靠性的影响

对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1 600、-1 200、-800、-400、400、800、1 200和1 600V静电打击,每次静电打击后,测量LED电学参数和光学参数的变化。从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。实验表明:LED样品的I-V特性曲线及光学参数,受反向静电打击的影响比较大,而受正向静电打击的影响不明显。LED样品在被反向静电打击后,芯片内部产生二次缺陷和熔融通道,导致其I-V曲线变形,光通量减小,老化性能衰减速率加快。在1 600V范围内,LED可靠性受正向静电影响不明显。     

GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究

基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20％;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。     

应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究

薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察.由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率.应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因.定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究.计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中AlGaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率.     

一种高功率LED封装的热分析

建立了大功率发光二极管(LED)器件的一种封装结构并利用有限元分析软件对其进行了热分析,比较了采用不同材料作为LED芯片热沉的散热性能.最后分析了LED芯片采用chip-on-board技术封装在新型高热导率复合材料散热板上的散热性能.     

Progress in Research of Surface-plasmon-enhanced Light-emitting Diode

InGaN-based light-emitting diode(LED)as for the replacement of conventional fluorescent lighting source still needs a great effort to improve the light-extracting efficiency as well as internal quantum efficiency of LEDs.Surface plasmon technology has recently attracted considerable interest,because the spontaneous emission rate and the light extraction efficiency of a light-emitting device can be simultaneously enhanced through the coupling between an InGaN quantum well and surface plasmons.The surface pla...     

一种微腔有机发光二极管的设计与性能研究

设计了PPV为发光层、Ag和DBR为上下反射镜、结构为Glass/DBR/ITO/PPV/Ag的微腔有机发光二极管。应用特征矩阵法,系统地研究了DBR和银镜的性质对器件性能的影响。结果表明:1)当金属厚度较小时,随着厚度的增加,器件的反射峰值不断增加并且蓝移,但是当厚度达到100 nm后,再增加厚度反射谱基本上没变化;2)随着DBR周期数的增加,器件的反射谱峰值不断增大,峰值半宽度不断变窄。3)器件的EL谱的峰值随着金属反射率的增加不断增大,而随着DBR反射率的增加是先增加后减小的。并给出了不同条件下DBR的最优化选择依据。     

大功率LED封装界面材料的热分析

基于简单的大功率LED器件的封装结构,利用ANSYS有限元分析软件进行了热分析,比较了四种不同界面材料LED封装结构的温度场分布。同时对纳米银焊膏低温烧结和Sn63Pb37连接时的热应力分布进行了对比,得出纳米银焊膏低温烧结粘接有着更好的热机械性能。     

台阶型InGaN量子阱蓝光发光二极管设计与数值模拟

一种特定发光波长(415～425nm)的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察,包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率、Shockley-Read-Hall(SRH)辐射复合速率以及输出功率和内量子发光效率的分析.与传统的InGaN构型量子阱结构相比,使用台阶型InGaN构型的量子阱结构,活性区载流子浓度特别是空穴浓度得到明显的改善,输出功率和内量子效率分别提高了52.5%和52.6%.自发发光强度与传统的InGaN构型量子阱发光强度相比也有1.54倍的增强.分析结果暗示SRH非辐射复合速率积分强度的减少被认为是台阶型InGaN构型量子阱光学性能提升的主要原因.     

基于量子点的白光二极管的研究进展

量子点又称为纳米晶,是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒(粒径1～10nm),由于电子和空穴的量子限域效应,连续的能带结构变成分立的能级结构,受激后可以发射荧光。量子点的发光光谱可以通过量子点的粒径大小来调节。文章基于量子点的电致发光和光致发光的机理,主要介绍了近年来基于量子点的白光发光二极管的研究进展。