热压工艺对LCD边框厚度的影响

试验发现，LCD的最终边框厚度不仅决定于边框的组分，而且与热压工艺有关，它是随热压时间的延长、热压温度的升高和热压压力的增大而减小的。     

电容对STN-LCD显示性能的影响

本文着重讨论了电容对STN－LCD阈值陡度和对比度的影响,由实验结果得出,STN－LCD一定显示面积的电容越小,显示品质越好,同时可使用较低的驱动频率,最后提高出减小电容的方法。     

热压对PTFE基复合介质结构性能的影响

为制备高强度低损耗复合介质,采用热压工艺进行复合介质的成型与烧结,系统地探讨了加热温度、成型压力等工艺参数,对聚四氟乙烯（PTFE）树脂复合陶瓷介质材料微观结构、介电性能与力学性能的影响。采用SEM、X射线衍射分别对复合介质的微观结构及其相组成进行了观察与分析,并获得了制备低损耗复合介质的最佳热压工艺制度。     

激光功率密度对ABS塑料焊缝微观结构的影响

激光塑料焊接可以极大提高产品的品质,塑料产品采用激光焊接的需求将越来越多.影响塑料焊接的工艺参数较多,一般需要正交试验法等进行大量的试验才能得到最佳工艺参数.针对热塑性ABS塑料进行激光透射焊接试验,对激光功率、焊接速度和离焦量进行单因素试验,分析工艺参数对焊接效果的影响规律,功率密度测试剪切强度表明,焊缝剪切强度随着...     

烧成工艺对Fe-Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

通过大量的实验研究证明：Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料对烧成温度比较敏感，样品的烧成温区比较窄，只有２０°左右。同一烧成温度下，保温时间越长，负阻特性能越坏，击穿电压、负值系数下降。降温速率对其负阻特性没有多大影响，采取随炉降温即可获得负阻特性较好的样品。     

预烧工艺对MgTiO3系MLCC瓷料性能的影响

以Mg(OH)2,TiO2,CaCO3和ZnO为主要原材料,采用不同预烧工艺合成了MgTiO3主晶相材料。研究发现,快速升温到高温区(1150℃),然后降低温度至1000℃并保温4h所得的MgTiO3主晶相材料,为结构均匀、近似球形的颗粒,用其制备的MLCC瓷料,比表面积为5.5～6.5m2/g,分散性好。这种瓷料适合制造薄介质膜,制得的MLCC具有优良的介电性能,其绝缘强度E大于1.243V/m,tanδ小于1.3×10–4,εr为15.0～15.5。     

热压烧结对Co－Mn－Ni－O热敏材料电性能的影响

研究了不同热压压力、热压方式对Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｏ热敏材料电性能的影响。热压烧结能够提高材料的电阻率及Ｂ值。Ｘ射线衍射分析表明，热压烧结材料有ＭｎＣｏ２Ｏ４、ＮｉＭｎ２Ｏ４和ＣｏＮｉＯ２三相组成。从扫描电镜照片可见，热压烧结材料晶粒细小、均匀、气孔率少，是提高其电性能的主要原因。调整热压压力可以有效地控制材料的电学参数     

热压烧结对Co－Mn－Ni－O热敏材料电性能的影响

研究了不同热压压力、热压方式对Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｏ热敏材料电性能的影响。热压烧结能够提高材料的电阻率及Ｂ值。Ｘ射线衍射分析表明，热压烧结材料有ＭｎＣｏ２Ｏ４、ＮｉＭｎ２Ｏ４和ＣｏＮｉＯ２三相组成。从扫描电镜照片可见，热压烧结材料晶粒细小、均匀、气孔率少，是提高其电性能的主要原因。调整热压压力可以有效地控制材料的电学参数     

SiC陶瓷密封环端面流体动压槽的激光加工

用SiC陶瓷作密封环,并在其端面上开设流体动压槽,可满足高PV值工业设备对轴密封的要求.本文研究激光打标工艺对动压槽参数的影响,加工出合格的陶瓷密封环端面动压槽.     

基于RFID技术的电子铅封管理系统研究

根据目前各种计量仪表传统的铅封现状及存在的主要问题,提出了一个科学、简便、有效的智能电子防伪表封解决方案。该系统采用RFID技术对计量仪表进行电子表封,然后通过RFID阅读器完成对仪表数据的管理。从而在根本上解决对表封的私拆、故意损坏、伪造及被施封物品的非正常开启的识别和验证。     

基于数字水印技术的数字印章研究与实现

针对办公自动化系统中电子文档的安全问题,对 Hash 函数和数字签名技术在实现文档完整性和真实性进行分析,提出了将文档的数字签名作为水印嵌入印章图像的新方案.结合COM技术和Microsoft CrytoAPT加密接口,给出了基于数字水印技术的数字印章的实现思路.研究表明,该方案适用于传统文档和电子文档,能保证文档的完...     

陶瓷-金属封接生产技术与气体介质--降低封接成本的一种有效方法

叙述了气体介质在陶瓷-金属封接技术中的重要性，提出增加作气体中的N2含量可以增加其安全生产指标、降低封接成本，并保证金属化质量。     

当前陶瓷-金属封接及其相关技术的新进展

本文综述了最近十年来国内外陶瓷 -金属封接及其相关技术的新进展 ,指出了我国该技术领域存在的问题及其解决办法。     

带金属密封环的AlSiC管壳制备与性能

采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1．2％,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12．4MPa,孔隙率为37％。A1SiC电子封装材料在100℃～500℃区间的热膨胀系数介于（6．52-7．43）×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1．0×10^-9 Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃．恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成（Fe,Ni）Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。     

玻璃金属多针封接件的过渡环封研究

"14针密排"玻璃-金属封接件在生产及应用过程中常会出现玻璃炸裂,继而引起元件封接强度、气密性、热稳定性及耐冲压性等综合性能降低甚至报废。结合其特殊的导电性能和气密性设计要求,分析认为玻璃产生微裂纹的原因是封接元件膨胀系数不相匹配。利用"环封"工艺逐级过渡玻璃和金属之间的膨胀系数差异,同时结合玻璃抗压不抗拉的特性,达到"匹配封接",彻底解决普遍存在于该类元器件中的致命问题。