改进的测二极管伏安特性的电路

指出了某普通物理实验教材中所给出的伏安法测二极管特性的电路所存在的总理２,并 合理的电路。     

用伏安法测绘二极管伏安特性的研究

本提出用伏安法测绘二极管伏安特性曲线的一种电路新接法,用该接法测量时,不需修正即可完全消除电表内阻的影响。     

电桥法测二极管的伏安特性

电桥法测二极管的伏安特性高伟（安徽芜湖师专物理系２４１００８）电桥法测电阻一种是公认的较精确地测量电阻的方法．本文介绍利用电桥平衡原理测量二极管的伏安特性的电路，能明显提高测量的准确度．一、羽量电路原理二极管伏安特性的坝量是普通物理学的基础实验之一，...     

浅谈伏安法测二极管的特性

高等学校试用的《普通物理实验》一书中,关于伏安法测二极管的特性实验(以下简称伏安特性实验),是通过测出二极管反向饱和电流I_e、正向各种偏压U_D及其对应的电流I_D,算出二极管温度等效电压的倒数(q/kT),再与室温时的理论值比较,让学生了解二极管的正向伏安特性。该实验和一些较能精确测定半导体PN结电流-电压关系的方法相比,不仅具有方法简单,直观性强,数据易处理等优点,而且使学生能够运用普物实验手段,认识半导体二极管这一重要特性,它是大学低年级可以开设的基础实验之一,但是如按课本上的要求测量,误差很大(只有理论值的一半左右),达不到比较满意的效果,本文通过分析误差产生的主要根源,谈谈原实验方案的弊端及改进意见。     

用等效法测二极管的伏安特性

提出在测量二极管伏安特性实验性中，用等效的测量方法代替传统的内、外接法和电桥法。     

半导体光电二极管伏安特性的实验测定

论述了半导体光电二极管的结构、工作原理、基本性能及其伏安特性测定技术。     

用示波器测二极管伏安特性曲线实验方法的讨论与改进

伏安特性曲线反映了元件在电路中的基本工作特性．传统的伏安法虽电路简单，但要人工测绘数据点，处理速度慢，误差较大．而示波器则能接受连续变化的信号，并能把它自动描绘成图形，处理速度快，结果直观；且示波器的输入阻抗大，测量精度高．但双通道示波器的X、Y输入公用一个接地点，使得这两路输入的都是对地变化的信号．根据实验教学中普遍使用图1、图2的方法，     

环境电磁波对伏安法测二极管特性实验的影响

本通过对伏安法测二极管特性实验中一个特殊现象的分析，提出了环境电磁波对实验的影响；通过对实验现象的深入分析，能够提高学生观察问题和分析解决问题的能力。     

光电二极管的特性的研究

本文通过对用光电转换综合测量仪所测出的光电二极管的特性的实验数据、特性曲线的讨论,验证了光电二极管的光照特性、伏安特性以及光谱特性。     

光电效应实验中的伏安特性曲线

给出了光电效应中伏安特性及响应时间的理论关系。同时也给出了同时确定普朗克常数及电子电荷的一种方法。     

百纳秒脉冲下强流二极管的工作稳定性

以闪光二号加速器为研究平台,实验研究了前沿80 ns和34 ns脉冲电压下的二极管工作稳定性,通过对比实验结果和数值模拟结果,分析了脉冲前沿对二极管启动时间、阴极发射均匀性和阻抗重复性的影响,探讨了脉冲前沿对平面阴极二极管工作状态的影响机制。实验结果表明:脉冲前沿、二极管启动时间增加时,二极管的阻抗重复性降低;平面阴极易于在中心位置形成强区域发射,等离子体覆盖整个阴极发射面的时间随脉冲前沿增大而增加;屏蔽效应对阴极发射的影响随前沿增加而变大,进而导致阴极表面不均匀强点发射,等离子体运动速度增加,阴极有效发射面积减小,在等离子体运动速度和阴极有效发射面积共同作用下,二极管工作稳定性下降。     

测三极管特性的改进电路

指出了电子线路基础实验教材中所给出的测三极管特性的电路所存在的问题,提出了合理的电路.     

忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路的特性研究

对第四类基本电路元件:忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路特性进行了研究,分别建立了两种电路的数学模型,并进行了仿真研究,分析了电路中的电容、电感、电阻等参数对电路特性的影响,得出了相关的结论.     

Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode

An Ni/Au Schottky contact on an AlGaN/GaN heterostructure has been prepared. By using the peak-conductance model, the threshold voltage and the series resistance of the AlGaN/GaN diode are simultaneously extracted from the conductance-voltage (G-V) curve and found to be in good agreement with the ones obtained by using the capacitance-voltage (C-V) curve integration and the plot of dV/d(ln I) versus current I. Thus, a method of directly and simultaneously extracting both the threshold voltage and the series resistance from the conductance-voltage curve for the AlGaN/GaN Schottky diode is developed.     

含有无伴电压源电路中节点电压法的研究

介绍并比较了用节点电压法分析、求解含有无伴电压源及无伴受控电压源电路的3种方法．改进的节点电压法将受控源和独立电源一样对待,同时简化了列写方程的过程,减少了方程的数量,因此,极大地简化了问题的求解难度．对于含有超级节点的电路,此方法具有其他方法无法比拟的优越性．     

一种高压电源谐振升压倍压电路

提出了一种高压电源谐振升压倍压电路,该电路由LC谐振电路与整流电路组成。对该电路的工作模式和稳态输出特性进行了分析;建立了该电路的数学模型：以归一化的形式定量描述了稳态输出电压与电流的增益、短路特性和开路特性、输出纹波与电压降、以及器件上的电应力,并分析了电路品质因数、归一化频率和电容比对输出特性的影响;对该电路进行了仿真与实验研究,仿真结果与实验结果具有很好的一致性,验证了数学模型的正确性。与C-W电路的对比研究结果表明：所提出的电路具有输出电压稳定、输出纹波小、短路特性好以及响应速度快的优点,满足高压小电流的应用需求。     

Dispersion effect on the current voltage characteristic of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

The current voltage (IV) characteristics are greatly influenced by the dispersion effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. The direct current (DC) IV and pulsed IV measurements are performed to give a deep investigation into the dispersion effects, which are mainly related to the trap and self-heating mechanisms. The results show that traps play an important role in the kink effects, and high stress can introduce more traps and defects in the device. With the help of the pulsed IV measurements, the trapping effects and self-heating effects can be separated. The impact of time constants on the dispersion effects is also discussed. In order to achieve an accurate static DC IV measurement, the steady state of the bias points must be considered carefully to avoid the dispersion effects.     

Two-dimensional models of threshold voltage and subthreshold current for symmetrical double-material double-gate strained Si MOSFETs

The two-dimensional models for symmetrical double-material double-gate(DM-DG) strained Si(s-Si) metal–oxide semiconductor field effect transistors(MOSFETs) are presented. The surface potential and the surface electric field expressions have been obtained by solving Poisson's equation. The models of threshold voltage and subthreshold current are obtained based on the surface potential expression. The surface potential and the surface electric field are compared with those of single-material double-gate(SM-DG) MOSFETs. The effects of different device parameters on the threshold voltage and the subthreshold current are demonstrated. The analytical models give deep insight into the device parameters design. The analytical results obtained from the proposed models show good matching with the simulation results using DESSIS.     

Simple signal path technique for matching circuit in packaged semiconductor diode laser

Improvement in frequency bandwidth of a packaged diode laser is investigated by the circuit impedance matching. To overcome the structural limitation of the electronic package for high frequencies, employing conventional lumped element impedance matching technique in conjunction with the manipulation of signal path of the package connections showed significant enhancement for 3-dB bandwidth to more than 6 GHz.