萘酞菁LB膜取向液晶研究

利用二(3-叔丁基硅氧基)萘酞菁硅 (SiNc) Langmuir-Blodgett (LB) 膜对丝状液晶的定向进行了研究,发现在不同膜压下沉积的SiNc LB膜具有不同的定向效果.在15mN/m低膜压下沉积的LB膜上丝状液晶主要呈沿膜面水平排列,而30mN/m高膜压下沉积的LB膜则取垂直膜面取向.原子力显微镜(AFM)对相应的LB单层膜和多层膜进行的分子尺度上的形貌研究发现,高膜压条件下SiNc分子以分离的单体或聚集体形式非连续地在基片上呈线性堆积排列,形成一定的分子“纳米线”,并且大环平面垂直于基片 关键词：     

酞菁铜衍生物在酞菁铜氧化铁纳米粒子交替LB膜中的分子取向

通过Langmuir Blodgett技术制备了酞菁铜 氧化铁纳米粒子交替LB膜 ,利用偏振紫外 可见光谱对酞菁铜衍生物在不同制膜条件下所制得的交替膜中的分子取向进行了研究。结果表明 ,在同一氧化铁溶胶亚相中 ,随着表面压的增大 ,或在相同的表面压下 ,随着亚相中氧化铁浓度的减小 ,酞菁铜分子在其复合LB膜中倾斜程度变大。     

萘酞菁化合物的LB膜及光谱特性研究

研究了两种不对称取代萘酞菁化合物LB膜的制备,并采用线性吸收谱研究了萘酞菁化合物在溶液和LB膜中的聚集特性。三叔丁基萘酞菁和三叔丁基氰基萘酞菁两种化合物均能制备成很好的LB膜,它们在溶液和LB膜中也均能形成H-聚集体,但在溶液中主要是以单体的形式存在,而在LB膜中则主要是以聚集体的形式存在。两种化合物是倾斜的站立在亚相表面上,但由于氰基的作用,使三叔丁基氰基萘酞菁的倾角较小,几乎是直立在亚相表面上。     

一种液晶化合物LB膜中的分子取向及膜结构

"利用LB技术制备出MPUOPM的Langmuir和LB膜．随着表面压力的升高,在?-A曲线上的可观察到一个明显的折点．通过与分子刚性基团的理论截面积相比较,发现该折点反映的是单层膜向多层膜的转变．紫外可见、偏振红外等光谱被用来研究膜的结构,发现烷基链与基片法线夹角为48o,C＝N基团互相平行,与基片法线呈51o夹角排列．"     

稀土夹心双酞菁铥的LB膜及其光谱特性

采用表面压-面积(π～A)等温曲线和紫外-可见吸收光谱研究了稀土夹心双酞菁铥(TmPc2)分子在Langmuir膜及其Langmuir-Blodgett(LB)膜中分子的排列状态和光谱特性。发现TmPc2分子在纯膜中以edge-on方式面对面的排列,在与花生酸(AA)的混合膜中TmPc2分子以face-on方式平躺排列。纯的TmPc2分子在亚相表面可以形成稳定的Langmuir膜,但不易转移到固体基片上,加入花生酸混合后不仅可以在亚相表面形成稳定的Langmuir膜,而且可以较好地转移到固体基片上,制成多层LB膜。TmPc2氯仿溶液和LB膜的紫外-可见吸收光谱具有明显的Soret吸收带和Q吸收带,Soret吸收带有2个吸收峰,分别对应184—187*和178—186的轨道电子跃迁。而Q吸收带有4个吸收峰,分别对应于186—189*,190*和185—187*,188*的轨道电子跃迁。由于分子间的相互作用,TmPc2分子在LB膜中紫外-可见吸收谱的各个吸收峰与氯仿溶液中的吸收峰相比较都发生了红移。层内分子的相互作用比层间分子的相互作用强。     

酞菁铜衍生物在酞菁酮—氧化铁纳米粒子交替LB膜中的分子取向

通过Langmuir-Blodett技术制备了酞菁酮－氧化铁纳米粒子交替LB膜,利用偏振紫外－可见光谱对酞菁铜衍生物在不同制膜条件下所制得的交替膜中的分子取向进行了研究。结果表明,在同一氧化铁溶胶亚相中,随着表面压的增大,或在相同的表面压下,随着亚相中氧化铁浓度的减小,酞菁铜分子在其复合LB膜中倾斜程度变大。     

光谱法研究入—4—（十六烷氧基）双酞菁镧的LB膜

测定了八－４－（十六烷氧基）双酞菁镧氯仿溶液在亚相水面上的π￣Ａ曲线，同时制备了它的ＬＢ膜。应用红外光谱及紫外－可见光谱法对其进行了研究。     

溴代酞菁铜衍生物薄膜的折射率和吸收特性

通过旋涂法在单晶硅片上制备了一系列含有不同数目溴取代基的酞菁铜衍生物：一溴代－四烷氧基酞菁铜（MBTAPcCu），二溴代－四烷氧基酞菁铜（DBTAPcCu），四溴代－四烷氧基酞菁岣（TBTAPcCu）和无溴代－四烷氧基酞菁铜（NBTAPcCu）薄膜，利用同步旋转起偏－检偏器（RAP）型的宽谱扫描全自动椭圆偏振光谱仪测定了上述薄膜的椭偏光谱，获得了该系列薄膜的复折射率、复介电常数和吸收系数，研究了溴取代基对酞菁铜衍生物薄膜光学性质的影响。     

亚酞菁薄膜的折射率和吸收特性

通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了一种新的严酞菁（三硝基溴硼亚酞菁）薄膜,利用全自动椭圆偏振光谱仪研究了该薄膜的椭偏光谱,测量了其复折射率,复介电常数和吸收系数,估算了薄膜在窗口区域的俘获能级并对其吸收谱的成因作了分析。     

酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＣｏＰｃ薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。     

卟啉LB膜的分子取向,形貌和膜厚度研究

研究了５，１０，１５，２０－四（对－山嵛酸乙酯－α－氧代苯基）卟啉分子在气液罪肌的成膜性，制备了该化合物的多层ＬＢ膜，研究了分子中不同的基团在ＬＢ膜中的取向，观测了ＬＢ膜的形貌和厚度，利用偏振ＵＶ－Ｖｉｓ和偏振ＦＴ－ＩＲ谱测定了分子内卟啉环和脂链取代基的取向，结果表明卟啉面法线和脂缝线与载片线间的夹角分别为３７°和２７°，利用ＴＥＭ观测了ＬＢ膜的形貌和厚度，结果表明ＬＢ膜表面均匀，单层厚度大约为２     

新型两亲性酞菁锌LB膜的制备及其FT—IR结构表征

本文报导了一种新型的两亲性分子－长链对称取代锌酞菁ＬＢ膜的制备和结构特点。研究了其固相和ＬＢ膜的红外光谱。用偏振－付立叶变换红外光谱研究了ＬＢ膜内长脂肪链的取向。     

CdS薄膜的染料敏化

用ＬＢ方法在电沉积ＣｄＳ薄膜上修饰了ＰｃＣｕ单分子膜，并利用表面光电压谱对ＣｄＳ薄膜与ＰｃＣｕ修饰的ＣｄＳ薄膜进行了测试。结果表明，修饰后的ＣｄＳ薄膜其表面光电压值提高约５０倍，并且光电压响应由３００－５００ｎｍ扩展为３００－７００ｎｍ。紫外－可见偏振光谱测试表明，ＬＢ膜中酞菁环的取向角为４５度。     

酞菁铜薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀膜法在单晶硅制备了酞菁铜薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＣｕＰｃ薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。     

4-甲基-5-羟乙基-噻唑-十八酸酯的合成、表征及成膜性能研究

合成了一种新型两亲分子4－甲基－5－羟乙基－噻唑－十八酸酯（以下简写为HISE），利用FTIR，^1H NMR,MS等手段对其进行了表征，并研究了在不同pH值的亚相溶液中HISE单分子膜的形成，通过表面压－分子面积等温线（π－A）的测定，发现随着亚相pH值的增加，单分子膜的崩溃压升高，HISE的成膜性能逐渐增强，单分子膜从膨胀型向压缩型转变。通过对微分曲线dπ／dA-A的分析，研究了不同pH值的亚相中HISE单分子膜的不可压缩性和相变过程。结果表明，碱性介质中HISE单分子膜具有良好的稳定性和不可压缩性。     

四新戊氧基酞菁锌旋涂膜的吸收光谱的温度特性

在玻璃基片上制备了四新戊氧基酞菁锌的旋涂膜,通过测定该薄膜在不同温度退火后的吸收光谱和Ｘ射线衍射谱图,研究了酞菁分子聚集体在薄膜中的变化。随着温度的升高,单体逐渐转变为聚集体;当温度升高到４００℃时,聚集体重又向单体转变,同时还伴随有体系内非晶→晶相→非晶的相变。     

金属酞菁化合物的拉曼光谱研究

本文对沉积在硅基片上的几种金属酞菁化合物薄膜进行了拉曼光谱测量 ,并对其主要振动谱带进行了初步指认 ,同时分析了不同金属原子对于酞菁分子拉曼振动谱的位置和强度所造成的影响     

取代萘酞菁化合物LB膜的光谱特性研究

研究了四叔丁基萘酞菁和四叔丁基萘酞菁锌两种对称取代萘酞菁化合物LB膜的制备及其它们的聚集特性。两种萘酞菁化合物均能制成很好的LB膜。在稀溶液中，四叔丁基萘酞菁以单体为主要存在形式；而四叔丁基萘酞菁锌不仅能形成H-聚集体，而且还能形成J-聚集体，且主要以聚集体的形式存在。在LB膜中，两种化合物均形成了H-聚集体。     

X射线衍射方法研究取代酞菁卟啉分子的SA和LB膜

利用X射线衍射和STM方法研究了取代酞菁和卟啉分子的自组装膜(SAM)和LB膜的结构.研究表明这些分子在非极性的石墨表面以分子平面平行于基底平面的形式吸附,而在Si(111)及玻璃等极性表面上则以分子平面垂直于基底表面的形式吸附.这一实验结果表明在不同极性的表面上有机分子可以形成完全不同结构的薄膜.     

亚酞菁薄膜的光谱和光存储性质研究

利用真空蒸镀法制备了一种新的三硝基溴硼亚酞菁（BTN－SubPc)薄膜。在室温下测试了该亚酞菁染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射和透过光谱，发现该薄膜在500nm-650nm波长范围内具有优良的吸收和反射特性。在632.8nm光盘静态测试仪上测试了覆盖有金属反射层的BTN－SubPc薄膜的静态光存储性能，结果表明，用较小功率和较窄脉宽的激光辐照膜片时，可获得大于30％的反射率对比度，显示出该材料用作短波长光存储介质（特别是用于可录型数字多用光盘）的巨大潜力。