激光材料相互作用和材料动态性质评价的纳秒光电技术

美国新墨西哥洲的洛斯·阿拉莫斯国家物理实验室用光电检验技术研究动态材料相互作用获得最高的时间分辨率。该检验系统主要由速度干涉仪和条纹相机组成。从速度干涉仪输出的信号通过光纤耦合到电子条纹相机的狭缝面。该系统的时间分辨率已达到     

Y-Ba-Cu-O高温超导材料研究

用常规电子陶瓷工艺制备了YBa_2Cu_3O_(7-8)高温超导陶瓷材料。该材料的致密程度良好,密度为4.97g/cm~3(为理论密度的77％)。零电阻温度T_c=91.0K,交流抗磁百分比k达99％。材料具有很好的稳定性和抗潮解性,已用其加工制成微波谐振腔。     

高温超导材料研究近况

近两年高温超导又取得了巨大的进展，特别是在：（１）新的更高温度超导体系的探索，这包括进一步提高Ｔｃ值和合成新结构、新类型的超导材料；（２）材料的应用基础研究，主要指超导块材、线材、带材、膜材料的制备和改进，包括ＳＱＵＩＤ、Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结和微波无源器件；（３）对高温超导现象的解释和机理的研究方面尤为显著。本文重点介绍过去一年高温超导在材料研究方面的主要进展。     

InSb光电导太赫兹源材料性质及辐射场研究

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料光电导太赫兹辐射过程,用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流,以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响,用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流,比较了InSb和GaAs材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明,InSb材料载流子弛豫时间越长,载流子迁移率越大;表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比;宏观电磁场理论更适于分析表面电流;抽运激光饱和能量密度越大,太赫兹近场辐射强度越强;抽运激光脉冲宽度越短,太赫兹近场辐射强度越强;InSb光电导辐射太赫兹波功率比GaAs高。该结果为基于InSb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。     

基于二氧化钒相变材料的光电器件激光防护研究

随着激光致盲武器的快速发展,与之对应的激光致盲防护技术逐渐成为了一项重要的研究。相变材料二氧化钒(VO₂)因在合适的热、光、场等激励下发生半导体相与金属相的可逆相变导致光学和电学特性的显著变化而受到激光防护领域的持续关注。使用Drude-Lorentz模型对VO₂的光学常数进行了研究,针对单层二氧化钒在半导体相红外透过率不够高的问题进行了多层膜设计和优化,并实际制作了多层膜系。使用激光器与傅里叶红外光谱仪测试制备的VO₂薄膜,得到了薄膜的相变与防护效果等性能,验证了VO₂良好的激光致盲防护性能,实际测试表明半导体相的透过率大于92%,相变前后多层膜系的红外开关率超过98%。     

实用化高温超导材料专利技术综述

随着高温超导材料的发展,超导技术已经实现了规模化生产及应用。本文介绍了高温超导材料的国内外发展现状,并结合实用化较多的Bi-2223、YBCO以及MgB2三种超导体的特点,从专利分析视角出发,通过检索、统计和分析国内外相关专利,梳理出了其技术发展脉络,指出了我国高温超导领域的发展优势及其不足。     

高温超导材料R-T曲线自动测试

介绍了高温超导材料Ｒ－Ｔ曲线用微机的测试方法。通过通用接口总线ＧＰＩＢ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｐｕｒｐｏｓｅ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｂｕｓ）,将多台测试仪器与微机连接。控制程序采用ＢＡＳＩＣ语言编程,使微机自动采集和处理数据并打印所得的曲线,实现Ｒ－Ｔ曲线自动测试。     

光电激光探测系统

公安光电激光探测系统(COLDS)在360°方位角和等于90°俯仰角的视场范围内,通过光纤来识别方向;其方位角的角分辨率为±3°(俯仰角无)。双通道系统的波长范围有     

激光光电传感器

美国Omron电子公司的E3L-50型传感器,应用了聚焦激光技术,能在很远的距离或在肮脏环境下检测到很小的物体。响应时间为1ms,内藏有灵敏度调节装置,可靠的指示器亦可微调。工作电源12V或24V DC,配有6.5ft电缆线。     

激光光电传感器

美国Omron电子公司的E3L-50型传感器,应用了聚焦激光技术,能在很远的距离或在肮脏环境下检测到很小的物体。响应时间为1ms,内藏有灵敏度调节装置,可靠的指示器亦可微调。工作电源12V或24V     

掺杂对二维SiC材料光电性质的影响

利用第一性原理赝势平面波方法计算了Si-C邻 近元素(B、N、Al、P)掺杂二维SiC的几何结构、 电子结构和光学性质。结果表明:掺杂后的二维SiC晶格常数(a、b)、键长及角度均发生了明显变化;同时, 在禁带中引入了杂质能级,导带和价带均向低能方向发生了明显的移动,带隙发生变化,费 米能级附近引入了 杂质的2p及3p态电子。光学性质的计算表明:在低能端B、N、Al掺杂使二维SiC吸收电磁波 的能力明显增 强;静态介电常数增大而能量损失峰降低。以上结果说明可以根据需要利用B、N、Al、P掺 杂来调制二维SiC材料的光电性质。     

用激光方法制作高温超导薄膜

在相伺块状材料的同一组分比率和同一起始温度条件下,一种称为脉冲准分子激光蒸发的新方法可制作超导薄膜.     

用激光研究a—Si:F,H的光电导性质

本文用激光作为激发源研究了掺氟的氢化非晶~~     

高温超导材料在微波中的应用

自高温超导材料问世以来,国内外学者都在积极开展高温超导材料应用方面的研究工作,其中一个十分重要的领域就是高温超导材料的微波应用。超导体有十分低的表面电阻,能用来制作有极低损耗和信号畸变的传输线器件,这是人所共知的。但是在高温超导材料发现以前,这些优点只有在液氦(He)温度下才能体现,因此限制了这些器件的应用。高温超导体的发现,使这些优点能在液氮(N)温度下实现,于是用高温超导材料制作微波器件立即变成了热门的研究课题。从目前的发展水平来看,用高温超导材料制作的     

光电基础材料缺陷的研究

本文讨论了如何在光电基础材料(水平砷化镓单晶)生长过程中进行缺陷(位错密度)控制,通过控制熔区的长度,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖。采取以上措施可以在一定程度上降低位错密度。     

FESEM在Bi系高温超导材料研究中的应用

利用热场发射扫描电镜 (ＦＥＳＥＭ)的基本功能 ,通过对比样品的简单分析 ,展示Ｂｉ系高温超导材料的微观特性。ＬＥＯ15 30热场发射扫描电镜 (ＦＥＳＥＭ)有 3种成像方式 :二次电子 (ＳＥ2 )像、背散射 (ＱＢＳＤ)像和ＩＮＬＥＮＳ像 (内镜像 )。由于采用场发射的电子枪 ,ＦＥＳＥＭ的电子束斑在几个ｎｍ的量级[1] ,ＩＮＬＥＮＳ像分辨率可以达到 1ｎｍ(2 0ｋＶ)～ 3ｎｍ(10ｋＶ)。ＩＮＬＥＮＳ像只接收从样品表面几个ｎｍ深度垂直反射的电子信号 ,因而适于分析样品表面的细节 ,而ＳＥ2像适于观察景深较大的样品 ,如图Ａ(1,2 )。此外 ,由图…