Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响

研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响.利用电子柬蒸发以及高温退火得到nc-Si/SiO2超晶格结构.随后将该结构样晶分别注入2.0×1014cm2和2.0×1015cm-2剂量的铈离子(Ce3+),再分别以不同温度对其进行二次退火,获得多种样品.通过对样品光敏发光光谱的分析发现,Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降.二次退火后的样品,随着退火温度的升高,样品的光致发光灶度逐渐增强,但当温度超过600℃时,发光强度反而下降,600℃为二次退火的最佳退火温度.注入适当剂量的Ce3+,其发光强度可以超过未注入时的发光强度,Ce3+的注入存在饱和剂量.研究表明,样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响,并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递.     

五磷酸铈、锰晶体的发光

本文用蒸发溶液法生长了一系列CeP5O14:Mn晶体,测定了它们的组成和结构.测定了晶体的吸收光谱,激发光谱和发射光谱,观察到Ce3+→Mn2+之间的能量转移和在此体系中锰离子在545nm附近和665nm附近两个波段同时进行发射,并随着锰含量的增加,665nm的荧光强度下降而545nm的强度增加.     

LaOBr:Ce,Tb中Ce3+对Tb3+发光的影响

近年来人们对LaOBr:Tb的合成及其发光特性的研究日益增多。LaOBr:Tb不仅是良好的X光增感屏材料,也是较好的阴极射线发光材料。为了进一步提高它的亮度,降低了b的含量(因Tb很贵),寻求LaOBr中Tb3+发光的敏化剂是很重要的。     

五磷酸铈的晶体结构

五磷酸铈晶体的分子式为CeP₅O₁₄,属单斜晶系,α=8.797?, b=9.074?,c=13.124?,β=89°36′,Z=4,空间群C_2h⁵-P₂₁/c,用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点2051个,结构已用重原子法解出,以全矩阵及方块矩阵最小二乘方修正结构参数,最后R因子为0.097。晶体结构分析结果表明,结构系由阳离子连结阴离子带构成络合物,围绕着铈离子的八个氧原子构成稍歪扭的“正方”反三稜形配位多面体,两个Ce离子间的最短距离为5.967?。 关键词：     

五磷酸钆中Eu3+的光谱

本文对GdP5O14:Eu3+(GdPP:Eu,x:0～1)。晶体的紫外可见吸收、激发光谱、荧光光谱、红外吸收光谱和结构进行了测定和分析。给出了GdPP中Eu3+离子的能级图。讨论了Gd3+—Eu3+离子间的能量转移和猝灭。     

LaOBr:Ce3+,Tb3+中Ce3+与Tb3+间能量传递

本文利用毫微秒技术在ns秒量级测量了不同浓度组分的LaOBr:Ce3+,Tb3+中Ce3+发射带的衰减常数τCe值和时间分辨光谱,确立了Ce3到Tb3+能量传递过程模型,建立了动力学方程和导出能量传递的计算公式。据此计算出Ce3+到Tb3+的能量传递几率和效率,得出Ce3+,Tb3+的最佳浓度。     

CaS:Ce,Tb中Tb3+到Ce3+的能量传递

本文通过发射光谱、激发光谱和发光的衰减特性,研究了三价稀土离子Ce3+和Tb3+在CaS基质中的相互作用。实验结果表明,在CaS中Tb3+敏化了Ce3+的发光,监测Ce3+的发光(505nm),在激发光谱中出现Tb3+中心特征辐射的激发带。而且在CaS:Ce、Tb中,Ce3+中心的发光衰减变慢,衰减后期的慢成份正是反映了能量施主Tb3+的衰减特性,证明在CaS:Ce、Tb中存在着Tb3+到Ce3+的能量传递。     

铈离子掺杂浓度对氯化镧(LaCl_3:Ce)闪烁晶体发光性能的影响

本文采用垂直Bridgman法,分别生长了未掺杂LaCl3和掺有不同浓度CeCl3的LaCl3闪烁晶体,并对它们的透光性质、发光性质和光衰减特性进行了测试和对比分析.发现未掺杂LaCl3晶体的吸收边位于215 nm附近,本征发射峰为405 nm,衰减时间在1μs以上.该发光属于纯氯化镧晶体的自陷激子发射,但随着CeCl3掺杂浓度的提高,源于自陷激子(STE)的本征发射强度逐渐降低,LaCl3:Ce晶体中的吸收边逐渐红移至300nm,由Ce3+中心所产生的5d→4f发射逐渐增强,其衰减时间加快至～20 ns.这种现象被解释为LaCl3晶格中的自陷激子向Ce3+离子发光中心的能量传递作用所致.     

YAG基质中Ce对Tb3+离子发光特性的影响

实验中发现,在YAG:Tb中加入痕量Ce后,可以使Tb3+离子5D4→7F跃迁显著增强,因而,改变了发射光谱的能量分布,提高了发光亮度,改善了电流和电压特性,揭示了改进和提高商用P53磷光体发光特性的可能性。实验表明,这种增强作用是由于Ce3+→Tb3+离子的能量传递所致。讨论了Ce3+→Tb3+能量传递机理,分析了传递过程。     

Mg2+对Ce∶Fe∶LiNbO3晶体光折变性能的作用和影响

在Ce(0.1wt%)∶Fe(0.08wt%)∶LN中掺进摩尔分数为(0.2%,0.4%,0.6%)的MgO,采用提拉法生长Mg∶Ce∶Fe∶LN晶体.测试晶体的吸收光谱,Mg∶Ce∶Fe∶LN晶体的吸收边相对Ce∶Fe∶LiNbO3晶体发生紫移,Mg(6%)∶Ce∶Fe∶LN晶体OH-吸收峰移到3 532 cm-1,研究OH吸收峰移动机理.以二波耦合光路测试Mg∶Ce∶Fe∶LN晶体的指数增益系数和响应时间,发现Mg∶Ce∶Fe∶LN晶片厚度减小时指数增益系数显著增加.首次采用光爬行效应解释指数增益系数增加机理.     

Sm3+在玻璃中的发光以及Sb6+、Ce6+、Gd3+对Sm3+发光性质的影响

本文研究了单掺(Sm3+,Ce3+、Gd3+.Sb3+、双掺(Sm3++Ce3+、Sm3++Gd3+,Sm3++Sb3+)和兰掺(Sm3++Gd3++Ce3+)约四十余种不同玻璃的发射谱和激发谱.探讨了玻璃成份和掺杂离子浓度对Sm3+发光性质的影响以及Ce3+,Gd3+、Sb3+、Ce3++Gd3+对Sm3+的敏化作用。     

TbxTmyY1-x-yP5O14晶体中Tb3+和Tm3+间的能量转移

本文提出了Tb3+和Tm3+的交叉弛豫机理,计算了交叉弛豫几率,研究了Tm3+对Tb3+离子发光性质的影响,结果指出Tm3+对Tb3+离子的5D3能级的荧光有很强的猝灭作用,对5D4能级的荧光有增强作用,并且给出Tb的荧光强度和Tb3+,Tm3+离子浓度之间的依赖关系。     

偏硅酸钙中Ce3+的发光性质

制备了Ce3+激活的CaSiO3磷光体。在77K和室温下研究讨论了它们的激发和发射光谱以及荧光寿命等光学性质,分析了结构和电荷补偿剂的影响。在UV或CR激发下,Ce3+发射较强的蓝紫光,峰值为396nm。室温下,Ce3+离子的荧光寿命大约为30ns。     

TbxY1-xP5O14晶体的发光理论和浓度效应

本文利用Judd-Ofelt理论求得TbP5O14晶体的振子强度参数Ωλ,计算了5D3、5D4到7FJ能级的电偶极和磁偶极辐射跃迁几率及5D3-5D4和7F6-7F0能级对间的多极矩耦合的迁移几率。讨论了5D3、5D4能级发射强度的浓度效应,并给出了发射强度的表达式和强度随浓度和激发光引起的基态到激发态的跃迁几率的变化图。     

Eu3+在硼酸盐玻璃中的发光以及Bi3+对Eu3+的敏化作用

本文研究了单掺和双掺(Eu3+,Bi3+,Fu3++Bi3+)约二十余种不同成份的硼酸盐玻璃,探讨了玻璃成份对Eu3+发光性质的影响和Bi3+对Eu3+的敏化作用.     

碱金属碱土金属磷酸盐中Ce3+的发光

磷酸盐是一类极好的发光和激光基质。稀土的多聚磷酸盐晶体、磷酸盐玻璃均可用于激光材料,掺稀土的碱金属磷酸盐已用于X射线或阴极射线发光材料。Ce3+在某些磷酸盐中的发光与敏化作用已有综述,Ce3+敏化的某些磷光体已做成光致发光材料。     

KAlF_4∶ Ce,Tb磷光体的发光特性及Ce~(3+)对Tb~(3+)的敏化作用

采用溶液反应法和高温固相反应法合成了ＫＡ１Ｆ４基质化合物及ＫＡ１Ｆ４∶Ｃｅ，Ｔｂ磷光体，测定了磷光体的激发光谱和发射光谱，研究了在碱金属氟铝酸盐基质中Ｃｅ３＋对Ｔｂ３＋的能量传递，根据Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋在ＫＡｌＦ４中的能级关系，分析了其发光特性和Ｃｅ３＋对Ｔｂ３＋能量传递过程