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卤素分子的高激发态光谱与结构的研究一直是原子、分子物理及光谱学研究的重要课题.碘分子的高位激发态,尤其是与厂(旬十I+(’P,‘D仅离子组合相关的三组离子对态,多年来一直是激光光谱研究的重要对象之一。其中较低的几个高于对态已经被仔细研究和标识,而对于高位离子对态,由于态与态之间的相互作用较为复杂,其特性了解得并不完善,尚需做大量的研究工作。研究表明,碘分子各高于对态校间距(典型值几一0.36n叫较基态(R。。0.26urn)大得多,单步激发受到lhanckCondon因于限制,一般很难实现。而采用光学一光学双共振多光子… 相似文献
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一个有效,实用的神经网络,可用于自动识别未知成份的有机蒸气光谱。本文将讨论神经网络系统建立的条件,算法紧及对遥感光谱的识别结果。 相似文献
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在恐怖袭击中,爆炸袭击为最常见的恐怖袭击方式,爆恐袭击已经严重威胁公众的日常生活,因此对爆炸物的检测越来越受到关注。通过激光诱导击穿光谱技术在空气和低气压条件下分别对RDX和TNT两种有机爆炸物进行检测,检测到原子谱线和分子谱线两种特征谱线,发现CN (421.3 nm)和C2 (516.2 nm)是有机爆炸物最有研究价值的两条谱线。研究结果表明:谱线强度与样品分子式比以及分子结构有关,分子谱线比原子谱线更具有研究价值。与空气条件相比,低气压环境下RDX的相对标准偏差由5.1 %降低到1.8 %,TNT的相对标准偏差由15.7 %降低到2.7 %,低压环境可以有效提高LIBS检测有机物光谱的分析精密度,增加光谱分析准确性,为LIBS对有机爆炸物的检测和分析精密度提高提供了帮助。 相似文献
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不同取向金刚石薄膜的红外椭圆偏振光谱特性研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用红外椭圆偏振光谱仪对HFCVD方法所制备的不同取向金刚石薄膜的光学参数进行了测量.结果表明(001)取向金刚石薄膜具有较佳的光学质量,在红外波段基本是透明的.在2.5~12.5μm红外波长范围内,(001)取向金刚石膜的折射率和消光系数几乎不随波长的改变而变化,折射率为2.391,消光系数在10-5范围内;对于(111)取向金刚石膜,其折射率和消光系数随波长的改变有微小变化,折射率和消光系数都低于(001)取向膜.通过计算拟合得到(001)取向金刚石膜的介电常数为5.83,优于(111)取向膜. 相似文献
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庞小峰 《红外与毫米波学报》1993,12(5)
运用新的理论和Green函数方法给出了蛋白质的稳定孤子的本征能量值,与实验值很好吻合。进一步考虑孤子的无规热调制现象给出了由该孤子引起的红外吸收系数和低温下红移线的吸收强度随温度的变化关系,也与实验结果一致。 相似文献
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利用对孤子哈密顿量的部分对角化研究了有机蛋白质分子中激发孤子导致的喇曼散射特点,求出喇曼散射的跃迁几率和微分截面的表达式,得到了与实验值相吻合的和与喇曼散射斯塔克分量相关的红移值 相似文献
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研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪,其测量波长范围为2.5~12.5μm,入射角度在20°~90°连续可变.系统数据采集、前放自动增益控制、入射角度和波长设置及扫描均由计算机自动控制.给出了金反射率和GaAs体材料折射率椭偏测量,并与其它方法进行了对比,并分析了实验测量技巧和主要实验误差 相似文献
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GaN折射率的椭圆偏振光谱研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用400~1200nm波段的椭圆偏振光谱对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂纤锌矿氮化镓(GaN)外延薄膜进行了研究.通过拟合实验数据获得了GaN薄膜的厚度和在可见-近红外区域的折射率色散关系,即n^2(A)=2.26^2 330.1^2/((λ/nm)^2-265.7^2).利用这一公式研究了GaN紫外-可见波段的反射光谱,计算得到的GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果一致,两者偏差仅为0.68%. 相似文献
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采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同Si(100)衬底温度下制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)导电金属氧化物薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明,随着衬底温度升高LSCO薄膜的结晶质量增加,在650℃和700℃下制备的薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜.通过椭圆偏振光谱仪测量了400~1100nm波长范围内该导电金属氧化物薄膜的光学性质,采用双Lorentz振子色散关系及三相结构模型(Air/LSCO/Si)拟合获得了薄膜的光学常数.结果表明,薄膜的折射率随着衬底温度的升高而减小,然而在可见-近红外波长范围内消光系数随着衬底温度的升高而增大.这主要与薄膜的晶化质量和导电性能有密切的关系. 相似文献
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从密度矩阵运动方程出发,详细地推导了光泵氨分子振动基态远红外激光的增益系数表达式。 相似文献
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报道了用光致发光光谱,吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽,不同覆盖层厚度的应变In0.20Ga0.80As/GaAs单量子阱结构的实验结果,结果理论计算,观察到GaAs覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量,应力驰豫和发光淬灭机制的影响,确定了各样品应变值和导带不连续因子Qc,并讨论了这种结构发光机制。 相似文献
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利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度 总被引:2,自引:0,他引:2
势垒结构磁电容曲线,测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线,与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好,由此得到朗道能级模型态密度。根据拟合自洽地给出了二维浓度、费密能级、子带能量和有效Lande因子随场振荡变化的规律。 相似文献