57Fe,119Sn掺杂Bi2Sr2Can-1CunO2n+4的化学键性质和Missbauer谱位移研究

利用电介质的平均能带模型计算了Bi2Sr2Can-1CuO2n 4(n=1,2,3)的化学化学键参数,应用由共价性和极化率定义的化学环境因子计算^57Fe和^19Sn在Bi2Sr2Can-1CuO2n 4中的Moessbauer同质异能位移,确定了^57Fe和^119Sn在Bi2Sr2Can-1CunO2n 4中的价态和占位情况。     

~(57)Fe,~(119)Sn掺杂Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+4)的化学键性质和Mssbauer谱位移研究

利用电介质的平均能带模型计算了Bi2 Sr2 Can- 1CunO2n +4 (n =1,2 ,3)的化学键参数 .应用由共价性和极化率定义的化学环境因子计算了57Fe和119Sn在Bi2 Sr2 Can - 1CunO2n +4 中的M ssbauer同质异能位移 ,确定了57Fe和119Sn在Bi2 Sr2 Can- 1CunO2n +4 中的价态和占位情况 .     

新系列超导相TlBaCa_(n-1)Cu_nO_(2n 2.5)(n=2,3)的晶体结构和超导电性

本文用粉末烧结法合成了Tl-Ba-Ca-Cu-O体系TlBa_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n 2.5)新系列超导相,用粉末衍射法测定了n=2和3的晶体结构,属简单四方单胞,空间群为D_(4h)~1-P4/mmm,点阵常数a相同,而c值不同,随n值而增大。a=3.847,c分别为12.73和15.89,每单胞含一个化合式单位,阳离子沿四方晶系的(0,0,z)和(1/2,1/2,z)位置交替排列,排列的顺序相同,n=3比n=2依次多增加Ca和Cu及相应的氧离子。 TlBa_iCa_()Cu_O_(2n 2.5),n=3时,零电阻超导转变温度T_c(0)= 112K;n=2时,T_c(0)=101K,与Tl_2Ba_2Ca_()Cu_O_(2n 4)型体心四方晶胞超导相不同,TlBa_2Ca_(n-1)Ca_O_(2n 2.3)结构中缺氧类钙钛矿型结构单元[Ba_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n 1)]仅被TI-O单层所隔开,当n相同时,Tl-O双隔层的体心四方单胞比Tl-O单层的简单四方单胞的超导转变温度高10K左右,这说明Tl-Ba-Ca-Cu-O体系中超导相的转变温度不仅与类钙钛矿结构单元的[CuO_4]和[CuO_5]的数目有关,而且与Tl-O的隔层数目有关。     

HgBa2CuO4+δ中载流子分布的研究

我们根据一种结构分块模型,计算了与超导转变温度Tc密切相关的块之间相互作用能,讨论了HgBa2CuO4 δ中载流子分布对相互作用能的影响.通过计算不同氧缺陷下,空穴在不同平面以及空穴在Cu-O平面不同位置上对相互作用能的影响,研究了它们与超导电性的关联.计算表明,空穴在Cu-O面上的位置不仅明显地影响到相互作用能的大小,而且影响相互作用能随氧含量的变化趋势,该结果为我们了解载流子在Cu-O面上分布是否均匀提供了一定的线索.结果还表明,HgBa2CuO4 δ中的载流子主要分布在Cu-O平面上.     

溶液法制备Tl_mBa_2Ca_nCu_(n+1)O_y超导膜

本文采用溶液浸涂法制备 Tl-Ba-Ca-Cu-O 系超导晶相 Tl_mBa_2Ca_nCu_(n+1)O_y(m=1,2;n=1,2).研究了组分与晶相之间的关系,并提出晶相控制参量 Tl/Ba,当 Tl/Ba>0.7时,可以得到 m=2的双铊氧面超导相;当 Tl/Ba<0.7时,可以得到 m=1的单铊氧面超导相.阐述了溶液法制备高 T_c 氧化物超导膜的特点.所得的双铊氧面超导膜厚度约2μm,T_(c0) 约110K,J_c 可大于10~4A/cm~2.     

ReB_2和WB_2电声耦合的第一性原理研究

采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理方法研究了过渡金属化合物ReB2和WB2的声子和电声耦合作用.结果表明,ReB2和WB2都存在弱的电声耦合,电声耦合常数分别为0.23和0.44.电声耦合作用主要来源于B原子振动声子关联模式的贡献.估算得到ReB2的超导温度大约在0~1.5K,WB2的超导温度在0.8~10.7K(取μ*=0.15~0时).研究结果表明ReB2和WB2是一类弱的电声耦合超导体,WB2的超导温度大于ReB2的超导温度.     

新系列超导相TlBaCan-1CunO2n+2.5(n=2,3)的晶体结构和超导电性

本文用粉末烧结法合成了Tl-Ba-Ca-Cu-O体系TlBa₂Ca_n-1Cu_nO_2n+2.5新系列超导相,用粉末衍射法测定了n=2和3的晶体结构,属简单四方单胞,空间群为D_4h¹-P4/mmm,点阵常数a相同,而c值不同,随n值而增大。a=3.847?,c分别为12.73?和15.89?,每单胞含一个化合式单位,阳离子沿四方晶系的(0,0,z)和(1/2,1/2,z)位置交替排列,排列的顺序相同,n=3比n=2依次多增加Ca和Cu及相应的氧离子。TlBa₂Ca_nCu_nO_2n+2.5,n=3时,零电阻超导转变温度T_c(0)=112K;n=2时,T_c(0)=101K,与Tl₂Ba₂Ca_n-1Cu_nO_2n+4型体心四方晶胞超导相不同,TlBa₂Ca_n-1Ca_nO_2n+2.5结构中缺氧类钙钛矿型结构单元[Ba₂Ca_n-1Cu_nO_2n+1]仅被TI-O单层所隔开,当n相同时,Tl-O双隔层的体心四方单胞比Tl-O单层的简单四方单胞的超导转变温度高10K左右,这说明Tl-Ba-Ca-Cu-O体系中超导相的转变温度不仅与类钙钛矿结构单元的[CuO₄]和[CuO₅]的数目有关,而且与Tl-O的隔层数目有关。 关键词：     

AlB_2型WB_2超导电性的第一性原理研究

采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理方法研究了WB_2型WB_2和AlB_2型WB_2的带心声子性质,计算了AlB_2型WB_2的电声耦合作用和超导转变温度.结果表明,AlB_2型WB_2的电声耦合常数为0.87.电声耦合作用主要来源于B原子振动声子关联模式的贡献.估算得到AlB_2型WB_2的超导温度为16~22.2K(取μ~*=0.15~0.1时).研究结果表明AlB_2型WB_2是一类较强的电声耦合超导体.     

AlB2型WB2超导电性的第一性原理研究北大核心CSCD

采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理方法研究了WB_2型WB_2和AlB_2型WB_2的带心声子性质,计算了AlB_2型WB_2的电声耦合作用和超导转变温度.结果表明,AlB_2型WB_2的电声耦合常数为0.87.电声耦合作用主要来源于B原子振动声子关联模式的贡献.估算得到AlB_2型WB_2的超导温度为16~22.2K(取μ~*=0.15~0.1时).研究结果表明AlB_2型WB_2是一类较强的电声耦合超导体.     

密度泛函理论研究Nb_2Ge_n(n=1～4)团簇

运用密度泛函方法在(U)B3LYP/Lan L2DZ水平上对Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇进行了系统的理论研究,得到Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇的最低能结构的几何构型和电子性质.优化结果表明:Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇最低能结构的自旋多重度均为单重态.团簇最低能结构的电子态与团簇的大小有关.当n为奇数时,团簇的电子态为~1A~1,n为偶数时电子态为1A.通过对计算平均束缚能和分裂能发现:Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇中热力学稳定性最强的是Nb_2Ge_2团簇;最弱的是Nb_2Ge_4团簇.自然电荷分布的结果说明Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇中当n=1-2时,电子转移正常,而当n=3-4时出现电荷反转现象.同时还研究了HOMOLUMO能隙、磁性和红外光谱.     

AlB+n(n=2～10)团簇结构和红外振动光谱研究

用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311G(d)水平上对AlB+n(n=2～10)团簇几何结构、稳定性、电子结构和成键特性进行了系统理论研究,得到了AlB+n(n=2～10)团簇的最稳定结构.结果表明,硼原子间容易聚集,铝原子处于整个硼原子集团的外围.与相应中性AlBn团簇相比,Al-B键作用变弱,使正价团簇(n=6...     

A No—Go Theorem for Nonlinear Canonical Quantization

We want to point out the following strengthening of the classical theorem of Groenewold and van Hove:There exists no mapping Op from polynomial observables f(p,q) on the phase space R^2n into linear operators on L^2 (R^n) which would map Poisson brackets into commutators,the position and momentum observables p and q into the usual (Schrodinger) position and momentum operators,and would obey the von Neumann rule Op (cf^k)=cDp(f)^k for k=1,2,3 and c∈R.The point is that neither linearity,nor continuity etc.of Op are assumed.     

PuC^n＋（n=1,2,3）分子离子的势能函数与稳定性

用密度泛函B3LYP方法对PuC^n (n=1,2,3)分子离子进行理论研究,结果表明：PuC^ 、PuC^2 分子离子能稳定存在,基态电子状态是X^8∑^-(PuC^ )和X^9∑^-(PuC^2 ),并导出了相应的几何性质、力学性质和光谱数据。PuC^3 (^6∑、^8∑）分子离子不能稳定存在。     

强耦合超导理论的物理基础(Ⅱ)

四、强耦合理论基本方程 在强耦合的情形下并且考虑声子作用的推迟效应,单粒子激发谱方程(15)中的Z()和 △()应当仔细地从分析电声子作用求获.因电声子作用使Z(),故其差乃是由于电声子作用引起的修正,这种修正应当和a2()F()成正比.其次,在没有电声子耦台时△=0,电声子互作用和屏蔽库仑作用一起产生了Z()△()项,这项应当包括两种互作用的贡献;电声子互作用的贡献也应当和a2()F()成正比,屏蔽库仑作用的贡献应当和n(0)Vc。成正比,Vc是屏蔽库仑势的平均值.理论分析表明,修正项[1-Z()] 丸叫Z()△()满足下面联立方程[4]:这里N(0)是费密面准粒…     

正常金属/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结中的微分电导

运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了正常金属/dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明:(1)影响电导谱中零偏压电导峰滑移的因素有杂质散射、dxy波分量、混合波两分量的强度比、界面的势垒散射强度、超导晶轴方位等,其中d-xy波分量的存在和超导晶轴方位是关键因素;(2)在θ=π/4的情况下,零偏压电导峰出现的条件为Δ2=0或α=nπ/4;(3)粒子的入射角对电导峰的高低有显著影响.     

类锂离子(Z=11～20)1s23p-1s2nd(n=6,7)的跃迁能和振子强度

用全实加关联(FCPC)方法计算类锂离予体系(Z=11～20)1s2nd(n=6,7)态的非相对论能量.相对论及质量极化效应对能量的修正用微扰论计算,量子电动力学(QED)修正利用有效核电荷方法估算.在此基础上计算了1s23p-1s2nd(n=6,7)的跃迁能及振子强度,对现有的关于1s2nd(n=6,7)态的精细结构的实验数据的可靠性提出质疑.     

MC与M_(n+1)AC_n稳定性与电子特征的第一性原理研究

研究M C与M n+1A C n(M=Sc,Ti,V,Cr,Mn;A=Al,Si,P,S;n=1,2,3)结构的稳定性与电子特征有利于探究三元层状结构M n+1A C n稳定性的内在原因和设计新型M n+1A C n结构.第一性原理计算研究表明,M-3d与C-2p轨道间的电子转移对M C与M n+1A C n的形成焓有较大影响.供电子能力较强的前过渡金属可以形成稳定的M C结构.计算结果显示,M C结构是缺电子体系,其趋向于与具有一定供电子能力的MA结构结合形成M n+1A C n.与M2PC和M2SC相比,M2Al C和M2Si C可以更为容易地被分离成二维M2C结构.     

Tl2Ba2Ca2Cu3O10的化学键性质和同质异能位移研究

在Tl2Ba2Can-1CunO2n 4(n=1,2,3,4)系列超导性氧化物中,Tl2Ba2Ca2Cu3O10具有最高Tc值(125 K)．利用电介质的平均能带模型计算了Tl2Ba2Ca2Cu3O10的局域化学键参数,得到Cu(1)-O键的共价性为0．561,Cu(2)-O键的平均共价性为0．296．应用化学环境因子计算了57Fe在Tl2Ba2Ca2Cu3O10中的穆斯堡尔同质异能位移,证实了57Fe在低掺杂时以Fe3 和Fe4 离子形式占据Cu(1)位置,而在高掺杂时以Fe3 和Fe4 离子形式分别占据Cu(1)和Cu(2)位置．结果表明,化学键理论计算有助于复杂晶体的穆斯堡尔谱的正确分析．     

中重核14.5MeV (n,2n),(n,3n)反应截面的系统学计算

本文从中子核反应机制出发,讨论(n,2n),(n,3n)反应过程,给出约化截面的计算公式.按照系统学方法计算z=58—83的53个中重核的14.5MeV (n,2n),(n,3n)反应截面,计算结果与实验值符合较好.     

Nb_2Si_n~-(n=1～6)团簇的几何构型、电子性质和磁性的理论研究

运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin-(n=1~6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现Nb2Sin-(n=1~6)团簇只是在相应的Nb2Sin团簇的结构基础上发生了微小畸变.其中Nb2Si-6团簇结构变化较为严重.对平均束缚能和分裂能的研究发现,Nb2Sin-(n=1~6)团簇的平均束缚能和分裂能均明显高于相应的Nb2Sin团簇,表明增加一个电子可以提高Nb2Sin(n=1~6)团簇的稳定性.通过对最低能构型的分裂能的研究发现,Nb2Si-3团簇和Nb2Si3团簇分别是Nb2Sin-和Nb2Sin(n=1~6)团簇中所有最低能构型中最稳定的.对电荷自然布局的研究发现,在Nb2Sin-(n=1~6)团簇中出现了电子反转.而对于Nb2Sin(n=1~6)团簇,当n=4~6时出现电子反转现象,n=1~2时电子转移符合常规.对HOMO-LUMO能隙的研究结果表明,除了n=1,6外,其余Nb2Sin-(n=2~5)团簇最低能结构的HOMO-LUMO能隙均小于相应的Nb2Sin团簇,说明在这些团簇中增加一个电子增强了团簇的化学活性,但是当n=1、6时增加一个电子,该团簇的化学活性反而降低了.对于Nb2Sin-(n=1~6)团簇来讲,Nb2Si-2和Nb2Si-5团簇分别成为Nb2Sin-(n=1~6)团簇中化学稳定性最强和化学活性最强的.且Nb2Sin-(n=1~6)团簇呈现半导体属性.对磁矩的研究结果表明,Nb2Sin-(n=1~6)团簇的最低能结构的总磁矩均为1.00μB,两个Nb原子的局域磁矩方向,除了Nb2Si5-团簇有一个铌原子与总磁矩相反外,其余均与总磁矩方向相同.说明各团簇中两个铌原子和硅原子对磁矩的贡献不同,方向也不完全相同.