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本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。 相似文献
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多孔硅制备工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多孔硅的发光性能与其制备工艺密切相关,本文着重讨论了阳极氧化技术、表面再处理、硅衬底的电学性质等因素对多孔硅质量的影响,给出了合适的工艺条件。 相似文献
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毛晋昌 《红外与毫米波学报》1992,11(5):401-405
将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及氧气中激光辐照的多孔硅层内并未探测到二氧化硅,结合红外吸收光谱实验,认为蓝移的原因可能是氧置换了多孔硅内表面的硅,出现Si-O-Si结构的结果. 相似文献
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发光多孔硅微结构及其发光起源探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
用制备发光多孔硅样品的常规电化学方法,在未抛光多晶硅表面,成功地制备出了均匀地发射肉眼可分辨的可见光样品。样品的先致发光光谱得到了测定,证明是一种典型的多孔硅光致发光光谱。用扫描电镜对样品的表面形貌、截面结构进行了详细的分析,摄制出了发光多孔硅样品的完整多孔状微结构清晰照片。实验结果认为多孔硅样品可分成三层:表面层、多孔层、单晶硅衬底;而多晶硅表面上制备的发光样品只有两层结构:表面层、多晶硅衬底。文中认为多孔硅可见光发射应来自其表面层,而与层下的多孔层微结构无关。 相似文献
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介绍了多孔硅的形成方法及其机理。对国内外有关该材料在固体发光方面的研究现状和进展及其在光电器件上的应用作了讨论。 相似文献
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多孔硅(PorousSilicon)是晶体硅于氢氟酸溶液中在硅衬底上形成的多孔态的硅材料。PS可见光区的强烈光辐射使其成为世界范围的研究焦点。本文用电化学方法制得了PS结构,扫描电子显微镜(SEM)的结果表明PS是一个硅的毫微结构量子线的网络,光致发光(PL)谱表明PS发可见红光,而喇曼光谱显示一个在516cm(-1)附近的非对称峰,说明PS是一种新型的硅材料。 相似文献
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介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺,并分析了它的微结构,实验测定了多孔硅光致发光谱(PL),由PL谱的峰值位于可见光区,不同于Si的带隙能量;用纳米量子限制效应(Q-CE),解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔEc和ΔEv,于是多了孔硅有效带宽成为E=E。+ΔE。而E。是Si的带宽为l.08eV,ΔEc和上ΔEv分别为h2/4meq2和h2/4mhq2,由此计算与实验结果一致。 相似文献
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在可见光谱内,多孔硅的发光现象及其广阔的应用前景激发了人们对这种潜在光电子学材料的巨大研究兴趣。本文介绍了多孔硅的结构、制备方法和形成原理,着重从纳米结构量子尺寸效应的角度,讨论了多孔硅的能带展宽现象和可见光的发射机制,并评述了这种材料在实际应用中的重要价值与原型器件的发展状况。 相似文献
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详细讨论了两种新的多孔硅发光机制理论(无序Si网络结构和聚硅烷/氢化物发光)以及相应的实验支持。通过分析多孔硅的各种发光机制和多孔硅微结构研究,作者认为多孔硅不是仅有一种发光机制,不同的微结构和成分构成会产生不同的发光机制,其中量子限制效应和聚硅烷/氢化物发光是受到较多实验支持的,分别有微结构和成分决定的发光理论。 相似文献
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本文较详细地描述了多孔硅的电致发光(EL),以及发光的量子限制效应的机制,并且讨论了目前已经制备出的几种多孔硅发光二级管:Ps/电解液型,Schot-tky-Like,PN结等二极管。最后,讨论了多孔硅作为半导体光电材料所存在的一些问题。 相似文献
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利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层,测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域,同单晶硅吸收光谱相比,其吸收边发生了蓝移,并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变,表现为一种新的能带结构特征。 相似文献