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根据空间群理论,预测了Sr3TaGa3Si2O14(STGS)单晶的振动模式,并分别计算了非极性和极性振动模式的Raman散射强度。测量了STGS晶体的Raman光谱,并对其振动模式进行了指认。实验结果表明STGS晶体具有6个A1对称类特征振动模式:波数为126cm-1的振动峰可指认为SiO4团簇、Sr原子和TaO6团簇间的相对平动;245cm-1的振动峰是SiO4团簇的扭曲振动和Sr—TaO6—Sr伸缩振动耦合的结果;特征峰557和604cm-1分别来源于O—Ta—O和O—Ga—O的伸缩振动;896cm-1谱带对应着两个SiO4四面体的O—Si—O伸缩振动;991cm-1的谱带对应着两个SiO4四面体的Si—O伸缩振动。实验结果和理论计算结果均确证了STGS晶体的层状结构,其弱的各项异性和压电模量归因于十面体结构单元的微弱形变。 相似文献
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ZrO2晶格振动的相关分析和ZY系统的拉曼光谱 总被引:4,自引:1,他引:3
谷晋骐 《光谱学与光谱分析》1995,15(6):45-49
采用Fateley相关方法,详细讨论了ZrO2四方相、单斜相和立方相晶格振动的对称性分类及其光谱活性。根据拉曼光谱判定了ZY系统的相结构。 相似文献
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一、研究的意义和目的 杂质诱发的半导体晶格振动问题和无序和混晶半导体的晶格振动问题的研究,在过去20多年中一直是比较活跃的. 过去的研究表明,在杂质诱发晶格振动情况下,由于杂质原子量和掺杂的不同而引起的力常数的变化,可以诱发与杂质有关的、不同程度局域化的振动模(尤其是位于声子带上方的局域模),并可使原来光学不激活的声子带模变得部分地光学可激活.然而对与低频的声学声子带有关的杂质诱发振动行为,国内外却研究得很少,实验方面尤其如此. 关于无序半导体的晶格振动行为,已有的研究成果表明,无序可以使理想晶体情况下光s学不激活… 相似文献
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三螺旋DNA分子poly(dT)·poly(dA)·poly(dT)的构型和振动谱 总被引:4,自引:0,他引:4
我们计算了poly(dT)·poly(dA)·poly(dT)的Howard模型的原子笛卡尔坐标,并利用晶格动力学方法对模型进行了简正分析。结果发现其0 P 0对称振动模式位于804cm-1,这和810cm-1附近没有拉曼和红外谱线的实验结果不符。在800~1000cm-1的范围内只有四个振动模式,明显少于拉曼和红外光谱在该范围内的谱线数目。所以我们认为Howard模型需要进一步地完善和修正,poly(dT)·poly(dA)·poly(dT)必须具有三条不完全一致的脊骨 相似文献
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铟(Ⅲ)-8-羟基喹啉-核酸三元荧光体系的研究与应用 总被引:2,自引:1,他引:1
基于核酸对铟(Ⅲ)-8-羟基喹啉配合物的荧光增强作用,应用铟(Ⅲ)-8-羟基喹啉为荧光探针,研究了铟(Ⅲ)-8-羟基喹啉与核酸的作用,建立了新的核酸测定方法。在最佳条件下,ctDNA、hsDNA、smDNA和yRNA的线性范围分别为0.20-1.40μg/mL、0.20-1.60μg/mL、0.10—1.40μg/mL、0.20—1.20μg/mL。检出限(3o/K)分别为0.004μg/mL,0.002μg/mL,0.002μg/mL,0.002μg/mL;测定实际样品,回收率为90.9%-103.5%。 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析. 计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
关键词:
氮化铟
p型掺杂
电子结构
第一性原理 相似文献
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单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,在3C-SiC中会产生很大的内应力,直接影响3C-SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息,其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(100)和蓝宝石(0001)村底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜,在生长的所有样品中均观察到了典型的3C-SiC的TO和LO声子峰,在3C-SiC/Si材料中,这两个声子峰分别位于970.3cm-l和796.0cm-1,在3C-SiC/蓝宝石材料中,分别位于965.1cm^-1和801.2cm-1,这一结果表明这两种外延材料均为3C-SiC晶型。利用一个3C-SiC自由膜作为无应力标准样品,并根据3C-SiC/Si和3C-SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量,得到3C-SiC中的内应力约分别为1GPa和4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反,通过比较3C-SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数,预期Si衬底上的3C-SiC外延膜受到的应力为张应力,而蓝宝石衬底上3C-SiC受到的应力则为压应力。 相似文献
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采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算单轴应变下闪锌矿氮化铟的电子结构及光学性质.结果表明:施加应变会使带隙变窄.对于拉应变,随着应变增大带隙减小程度增大;对于压应变,随应变增大带隙减小程度减弱;且拉、压应变对带隙调控都是线性的.在能量区间4 eV~12 eV范围内施加应变时,氮化铟的吸收光谱发生红移,随拉应变程度增加,吸收光谱的红移进一步加大;随压应变增加,吸收光谱红移减弱;在该范围内,氮化铟的折射率、反射率随拉应变的增大而增加,随压应变增加减小;施加拉应变时能量损失函数峰值增大,施加压应变后能量损失函数峰值减小.通过施加单轴应变能有效调节氮化铟材料的电结构及光学性质. 相似文献
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通过求解差分方程,推导了纳米晶体线的晶格动力学格林函数,分析了其晶格振动,并推导了声子数表象中的原子位移及晶格振动哈密顿公式.研究结果表明,纳米晶体线的晶格振动能带分裂为一系列的子带,格波只能沿纳米晶体线的纵向传播,沿纳米晶体线的横截面只存在驻波. 相似文献
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利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.15与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加,Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化,类InAs振动强度不变,谱线窄化,峰值位置向低频方向移动,类GaAs和类GaInP振动强度逐渐减弱。同时类InAs与类GaAs振动强度比增大。Raman散射研究中声子的限制效应表明多层结构生长过程中界面存在非完整晶态。 相似文献
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本文对新型非线晶体二水硝酸镧钾(K2La(NO3)5.2H2O)的晶格振动进行了群论分析,给出了该晶体在Г点晶格振动的对称性分类,它们是42A1+42A2+45B1+45B2。其中声学模为A1+B1+B2,拉曼活性模为41A1+42A2+44B1+44B2。红外活性模为41A1+44B1+44B2,测量了该晶体不同几何配置的拉曼光谱,利用群论分析结果对谱图进行了识别和讨论。 相似文献