相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展。     

GeSbTe与AglnSbTe体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来，一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现，其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系．文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点，阐述了其晶化机理；同时，较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响，并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点．     

GeSb_2Te_4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的反射率对比度较低，可通过膜层设计来提高     

GeSbTe 与 AgInSbTe 体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来 ,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现 ,其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系 .文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点 ,阐述了其晶化机理 ;同时 ,较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响 ,并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点     

光致变色材料多阶光存储模型与实验

光致变色材料具有光子型反应的特点,控制光致变色材料吸收的光子数就可以控制材料的反应程度,从而实现多阶存储。根据光化学反应的原理,分析了光致变色材料的写入过程,建立了光致变色多阶存储写入过程的反射率模型。根据该模型的仿真计算结果,设定了一组合适的曝光量,在1,2_双(2_甲基_5_(4_(1,3_二氧戊环基)苯基)噻吩_3_基)全氟环戊烯材料上实现了8阶存储。     

高密度光存储

近年来，随着高分辨激光光谱学的进展，以光谱烧孔为基础的频域光存储和以受激光子回波为基础的时域光存储的研究引起了重视．用这两种方法有可能在一个存储单元上存储多个信息，从而使存储密度大大提高．本文介绍这些方法的原理及其前景．     

近场高密度光存储

文章综述了近场高密度光存储领域的研究进展情况，着重介绍了固体浸没透镜（solid immersion lens,SIL)存储方案和近场超分辨结构（super resolution near-field,SuperRENS)的原理、研究进展及问题。     

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术，SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理、研究现状以及它们的优缺点及存在的问题。     

MO—PVA与EO—PVA有机膜片的图像光存储

用Ａｒ＾＋５１４ｎｍ激光作为写入光，在有机膜片ＭＯ－ＰＶＡ和ＥＯ－ＰＶＡ中首次实现了汉字、英文单词及图像的实时与永久光存储，信息估计可保持一年以上。并进一步实现了图像的联想存储。     

Cu对用于高速相变存储器的Sb2Te薄膜的结构及相变的影响研究

采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb₂Te 薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化. Sb₂Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大. 在10 at.%和14 at.% Cu的Sb₂Te薄膜中, Cu与 Te 成键, 结晶相由六方相的Cu₇Te₄、菱形相的Sb及六方相的Sb₂Te构成. 10 at.% 和14 at.% Cu 的Sb₂Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3.2%和 4.0%, 均小于传统的Ge₂Sb₂Te₅ (GST)薄膜. 制备了基于Cu-Sb₂Te薄膜的相变存储单元, 并测试了其器件性能. Cu-Sb₂Te器件均能在10 ns的电脉冲下实现可逆SET-RESET操作. SET和RESET操作电压随着Cu含量的增加而减小. 疲劳测试结果显示, Cu 含量为10 at.%和14 at.%的PCRAM单元的循环操作次数分别达到1.3×10⁴和1.5×10⁵, RESET和SET态的电阻比值约为100. Cu-Sb₂Te可以作为应用于高速相变存储器(PCRAM)的候选材料.     

光存储的现状及未来

介绍近年来ＣＤ光盘的发展，综合介绍近年来发展较快的磁光存储和全光存储的膜系材料、存储原理。并对光存储今后的发展进行预测     

AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写光存储性质研究

报道了新型电子转移复合物AgTCNQ脂类衍生物：银-(2,5-二丙酸甲酯-7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷)的旋涂薄膜的光谱特征、薄膜的静态绿光可擦重写光存储性能,并研究了薄膜的可擦重写机理。结果表明该薄膜在388nm和675nm处有两个源于复合物中阴离子自由基TCNQ(C2H4COOCH3)2^-中的电子跃迁的特征吸收峰;AgTCNQ酯类衍生物旋涂膜具有良好的绿光光存储性能,该薄膜在写入功率为9mW,写入脉冲为80ns,擦除功率为4mW,擦除脉冲为500ns时反射率衬比度大于15％,循环次数可达100次以上,并且没有出现任何疲劳现象。机理研究表明,AgTCNQ酯类衍生物与AgTCNQ有着相同的可逆光致变色机理,即在激光作用下因复合物中可逆电子转移引起薄膜光学性质的可逆变化,从而实现可擦重写光信息存储。     

光盘——激光存储技术的应用

 光盘是激光技术在信息记录、存储、提取、传输等方面的重要应用,是光电子技术和计算机技术相结合的产物。自70年代诞生以来,由于其高密度、大容量的信息存储优势获得了广泛的关注,其推广和应用日趋活跃,并迅疾形成一个专门的信息产业。微光存储的基本原理光盘是利用激光相干性好的特点,将光束聚焦到直径1μm以下的焦斑上,使处在该区域内的记录介质受高功率密度光的烧蚀形成小孔,或产生其他改变物质性质的影响。光束受欲存储的信息调制,于是在介质上便记录下这种信息。为了操作方便,记录介质基层都制成圆盘形状,故得名光盘,英文Com-pactOpticalDisk,简称CD。     

光存储与传统磁存储理论的比较研究

光存储技术中,除一般所熟知的利用激光的热效应而导致的相变做为存储方式的光盘或磁光盘存储之外,利用量子相干效应进行存储的设想被实验证明是有效的.相比传统的存储,量子相干记录方式与传统的磁记录方式更加相似,其理论与实现的过程中有许多共性的方面.本文在传统磁存储和新的基于电磁感生透明原理的暗态极化声子的光存储方案的基本原理基础上,通过比较研究比较,指出了这种新的光存储方案的主要不足,即原子间关联的缺失导致的存储时间短的问题,并提出了对于这个问题的解决前景的看法.     

光盘与光存储技术简介

本文较全面地介绍了各类光盘的结构、性能、记录原理和加工过程,特别注意介绍光盘技术中涉及到的物理原理。     

高密度数字光存储技术

 随着信息科学的迅速发展,对存储介质的存储密度和存储容量的要求在不断提高,然而传统的信息存储方法已几乎接近物理极限,于是寻找新的存储介质和存储方法就成为近年来信息科学的研究热点。光存储技术是继磁存储技术之后的又一新兴技术,它利用光改变物质物理或者化学性质存储信息,近年来不仅取得了重大的技术突破,而且形成了一个庞大的产业。现在以光盘为代表的光学数字数据存储技术已成为信息存储中不可缺少的载体。与以往的磁存储相比,光盘存储的优点是存储容量大、密度高、寿命长、信息的信噪比高,可以非接触式读写和擦除等。     

GeSg2Te4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ－８３０ｎｍ区域的吸收，反射光谱和光学常数，发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ－６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的发射率对比度较低，可通过膜层设计来提高。     

冷原子系综中光存储效率与耦合光强的关系研究

我们在87Rb冷原子团中利用电磁感应透明(EIT)动力学过程实现了光学信号的存储与释放,研究了光存储效率与耦合光强的关系.实验结果表明,在较低的耦合光强下,存储效率随耦合光强增大而增大,当耦合光达到一定强度时,存储效率不再增高,然后随着耦合光强增大而降低.通过分析光脉冲在冷原子团中传播时的吸收和色散特性,我们对存储效率随耦合光强的变化趋势给出了定性解释.     

光存储技术简介

 一、从莫扎特到多媒体当莫扎特交响曲美妙的旋律从CD(Compact disk的缩写)机上响起,当精采的电影画面通过视盘放出,当亲自在多媒体台式计算机上操作,任何一个人都能体验到CD带来的革命性的冲击。今天,CD的风采已使留声唱片几近成为昨日黄花,它甚至可能取代录像带。那么,CD的魅力究竟在哪里呢?