低能沟道效应及其应用

带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。本文评述了能量为Mev的质子和氦离子在晶体中的沟道效应及其在固体物理、半导体物理、表面物理和原子物理中的应用,同时也叙述了我们实验室在近几年来得到的各种实验结果。     

沟道效应在粒子物理中的应用

本文综述有关利用沟道效应技术从事粒子物理实验的可能性。讨论课题包括短寿命粒子的触发系统,重味粒子磁矩的测量;应用阻塞技术测量粒子寿命;沟道辐射用于粒子识别;光子束,带电粒子束的弯曲和聚焦;晶体中的Primakoff效应;生成沟道效应;以及用于长基线中微子振荡实验的粒子束。     

沟道效应在粒子物理中的应用

本文综述有关利用沟道效应技术从事粒子物理实验的可能性。讨论课题包括短寿命粒子的触发系统,重味粒子磁矩的测量;应用阻塞技术测量粒子寿命;沟道辐射用于粒子识别;光子束,带电粒子束的弯曲和聚焦;晶体中的Primakoff效应;生成沟道效应;以及用于长基线中微子振荡实验的粒子束。     

中国科学院西安光机所科技成果介绍之四

近年来,随着世界电子技术的迅速发展,国内外正在广泛深入地开展晶体、半导体的研究工作:包括单晶表面与内部晶体辐射损伤的研究,晶体内杂质分布的研究晶体内部及表面的缺陷、移动原子、层错、弯曲、结晶表面无序的研究,半导体的离子注入、离子渗杂等的研究。所有这些研究工作都可以通过离子沟道效应、沟道辐射的研究而进行的。高精的沟道辐射的研究和离子沟道效应的研究有赖于多维精密定角仪。     

非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型

为了进一步提高深亚微米SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 的电流驱动能力, 抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应, 提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET. 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构, 栅极由不同功函数的两种材料组成. 考虑新器件结构特点和应变的影响, 修正了平带电压和内建电势. 为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型. 模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响, 考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响. 研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力, 抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应, 为新器件物理参数设计提供了重要参考. 关键词： 非对称Halo 异质栅 应变Si 短沟道效应     

离子沟道效应离子前向散射、离子背散射研究装置

本文阐述了研制成功并投入使用的用于离子沟道效应、离子背散射研究装置,其包括能量狭缝、双向狭缝、高真气靶室和多维精密定角仪。多维精密定角仪是核心部分,其由微处理机实时控制四个高精度转轴,每个脉冲转动角小于0.005°,并有效地消除了空回,还有二个直线位移手动微调机构,可以同时使用数个晶体样品,带有终端限度和声光报警安全装置。 文中着重介绍了多维精密定角仪研制中的关键性问题和特殊性的几个问题。     

正弦平方势与带电粒子沟道效应的能带结构

在量子力学的框架内描述了带电粒子与晶体相互作用，利用正弦平方势把沟道粒子的Schr?dinger方程化为Mathieu方程，根据Bloch定理讨论了系统能量分布，并用摄动法求解了方程的低阶不稳定区及其禁带宽度，系统自动呈现出了能带结构，再现了粒子束同晶体相互作用的周期性特征.而这一点正是其他相互作用势不曾有的. 关键词： 沟道效应 能带结构 正弦平方势 摄动法     

离子型声子晶体的光学性质

提出了离子型声子晶体的概念,发展了相应的理论：在实验上证实了离子型声子晶体中存在超晶格振动与电磁波的强烈耦合,观察到原先存在于离子晶体中的极化激元等长波光波行为;预言了一些可能的物理效应,离子型声子晶体超晶格振动和电磁波的耦合方程与黄昆方程在形式上完全一致,说明了超晶格与实际晶格在物理上的相似性。     

H+2，H+3团簇离子在沟道条件下的背散射 质子产额测量

采用卢瑟福背散射方法，测得了每质子能量为650 keV的H⁺₂，H+₃团簇离子在Si晶体<100>和<110>沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现，由于H⁺₂，H⁺₃团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应，H⁺₂的背散射质子产额大于H ⁺的背散射产额，而H^{+< 关键词： 团簇 沟道效应 库仑爆炸 背散射}     

光折变晶体中高速调制光放大特性的研究

本文对光折变晶体中高速调制光的放大特性进行了理论分析,给出了在Ce:SBN晶体中进行的实验结果,并从物理概念上进行了讨论,指出光折变晶体中的双光束耦合可以用于时域编码通讯。     

胶体晶体结晶过程与人造三维周期性集团点阵材料

胶体晶体结晶的物理过程和以胶体晶体为基的三维周期性集团点阵材料的制备是目前实验凝聚态物理的一个热点领域,文章对胶体粒在悬浮液中自组织有序化的物理机制、结构相变与形态的形成和以胶体晶体为基的人造三维周期性点材料作了介绍,无论是从实验上还是理论上看,对胶体体系中发生的自组织有序化的物理机制还有没有给出令人信服的证据和解释。而胶体晶体的制备为具有新异功能的三维周期性集团国材料设计开辟了一条新途径,因而在     

凝聚态物理及其应用新年学术讨论会在京举行

中国科学院数理学部主办的凝聚态物理及其应用新年学术讨论会于1982年12月28日至1983年1月4日在北京举行。参加会议的国内代表100余人。17名美籍学者应邀参加了会议。会议期间共宣读了综述报告21篇,专题报告44篇。这些报告介绍了国内外在凝聚态物理研究中的一些最新成果,涉及的面相当广泛,包括半导体与表面物理、光学晶体、低温、磁性、非晶态、离子晶体、发光、铁电体、金属与合金、力学与声学性质、固体理论等方面。     

X射线晶体衍射实验

X射线及其通过晶体时衍射现象的发现是二十世纪物理学的伟大研究成果之一。作为近代物理实验的重要组成部分,X射线晶体衍射实验除了验证X射线和晶体的基本性质外,对于晶体(特别是固体)材料的研究、控制和改进生产工艺过程,具有非常重要的应用价值。自从X射线被发现,和X射线的一系列的实验出现以后,人类对物质结构的认识发生了质的飞跃,它不但推进了物理学的发展,而且也使化学、地质学、天文学、医学、工艺学等等许多科学领域得到新的重大的发展。近年来特别对生物化学的发展也起了重要的作用。作为这样一个重要的近代物理实验,了解它的发生、发展背景和它在现代科学发展过程中的作用。对于更好的学习和做好X射线晶体衍射实验,和进一步创造性工作是有意义的。     

声子晶体的负折射

通过对声子晶体负折射的实验和理论进行梳理,提出可以通过从对称性角度理解声波在周期性结构中的散射,来理解声学负折射现象的物理机制.在此启发下,本文继而运用有限元模拟,通过改变背景介质的声学常数,成功展示了声波在声子晶体中的负折射现象.     

光学技术单晶材料简介

近年来,现代光学技术特别是激光、红外技术的发展,对光学材料的要求愈来愈高,而新材料的出现又推动现代光学仪器的进步,例如人造单晶体的发展,就给物理光学仪器和激光、红外技术提供了有利的发展前提。按着单晶材料在光学技术中的应用情况,可将它们大致分为:激光晶体、红外晶体及其他光学用途的晶体材料。六十年代兴起的激光技术带动了激光材料的蓬勃发展,激光材料的不断出现又为激光技术的迅速发展创造了条件。激光晶体是固体激光材料(包括晶体、玻     

Bloch定理与散射平面波的干涉

从波动学的角度分析空晶格模型中的自由电子在周期性晶体势微扰作用下转变为晶体中Bloch电子的过程,揭示出了这一过程的物理实质,结果表明,在晶体势微扰作用下,代表空晶格模型中自由电子定态波函数的行进平面波在晶体内各点处产生了各种许可波矢的散射平面波,Bloch定理是晶体微观结构的平移对称性（即周期性）使得这些散射平面波产生干涉的结果。     

沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征

利用正弦平方势,把粒子运动方程化为具有运动阻尼和周期调制的摆方程.利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉和混沌行为，指出了沟道辐射本底增强和沟道效应的无规行为与混沌之间的相关性. 关键词： 沟道效应 摆方程 分叉 混沌     

高κ介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型

为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的J影响,栅金属长度及其功函数变化的影响,不同漏电压对短沟道效应的影响.结果表明,沟道表面势中引入了阶梯分布,因此源端电场较强;同时漏电压引起的电势变化可以被屏蔽,抑制短沟道效应.栅介电常数增大,也可以较好的抑制短沟道效应.解析模型与数值模拟软件ISE所得结果高度吻合.     

新实验技术在材料研究中的应用讲座 第四讲 电子通道效应及其应用

一、引 言 电子通道效应是扫描电镜中的一项重要物理现象,它的发现进一步扩大了扫描电镜在材料科学和金属物理中的应用. 对电子与晶体相互作用的研究表明,入射电子被晶体的散射几率是同它相对于(hkl)晶面的入射角有关.在某些入射方向下,电子被散射的几率较大(相当于禁道),而在另一些入射方向下,电子被散射的几率较小(相当于通道),这种现象称为电子通道效应. 在扫描电镜中,应用电子通道效应所产生的花样和显微象称为电子通道花样和通道显微象.由于上述花样和显微象能反映晶体的位向、晶体的表面状态以及晶体的不完整性,因此,它在材料科学和金…     

晶体学实验——2020年国际物理奥林匹克竞赛实验试题解答

<正>2020年国际物理奥林匹克竞赛实验试题为“晶体学”,试题分为四个部分,A部分主要研究一维晶体衍射的最基本规律,B部分研究二维晶体的相关参数,C部分研究晶体中的晶胞对称性,D部分研究相位问题。本文在大赛提供的参考答案基础上对本题进行了重新解答。