Xe偶–偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对Sρ、Dρ间的四极相互作用,在IBMZ中对Xe偶一偶同位素116Xe—132Xe的低激发态能谱和E2跃过几率进行了理论分析.计算结果有效地改善了IBM中这些核的准γ带能谱的Staasering现象,较精确地描述了实验观察到的低激发态的性质.     

Ba3Tb(BO3)3:Ce3+:一种白光LED用绿色荧光粉

采用高温固相法合成了Ba3Tb(BO3)3和Ba3Tb(BO3)3:Ce3+两种绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.Ba3Tb(BO3)2材料呈多峰发射,发射峰位于439,493,547,589和629 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7F1=6,5,4,3跃迁发射,主峰为547 nm;监测547 nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200-330 nm)和4f4f电子吸收(330-400 nm)组成,主峰为380 nm.以Ce3+激活Ba3Tb(BO3)3,所得Ba3Tb(BO3)3:Ce3+与Ba3Tb(BO3),材料的发射光谱分布相同,但发射强度明显增强,说明Ce3+对Tb3+产生了很好的敏化作用;监测547 nm最强发射峰,所得激发光谱为宽带,主峰位于360 nm.改变H3BO3量,Ba3Tb(BO3)3:Ce3+材料的发射强度随之变化,当H3BO3过量15 wt%时,发射强度最大.上述研究结果表明Ba3Tb(BO3)3:Ce3+是一种很好的适于UV-LED管芯激发的白光LED用绿色荧光粉.     

Be,Mg和Ca原子电四极矩E2~1D—~1S跃迁的能级和跃迁概率

利用多组态DiracFock广义扩展平均能级(MCDFEAL)方法系统地计算了重要的中性原子Be,Mg和Ca单光子电四极矩E21D—1S光谱跃迁的能级间隔和跃迁概率,计算中考虑了重要的核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较.此外还从理论上预言了Ba和Mg单光子电四极矩E21D—1S光谱跃迁概率过程,在库仑规范中,跃迁概率A(Be)=38849s-1,跃迁概率A(Mg)=23572s-1和跃迁概率A(Ca)=481s-1.     

133Ba面源效率转移法刻度133Xe气体源HPGe探测效率

提出使用面源进行效率转移法刻度133Xe气体体源的探测效率。使用133Ba面源模拟刻度放射性133Xe气体体源的探测效率,在刻度的过程中利用137Cs与133Ba的峰效率比值及133Ba面源远端无符合相加效应,137Cs能峰远近都无符合相加效应等,结合软件模拟建立远近距离峰效率比值的关系,来解决133Ba的符合相加效应。最后,使用面源效率转移法进行气体体源效率刻度,转移法刻度结果和面源模拟法刻度计算值的偏差在1％以内。     

Be,Mg和Ca原子电四极矩E2^1D—^1S跃迁的能级和跃迁概率

利用多组态Dirac-Fock广义扩展平均能级（MCDF－EAL）方法系统地计算了重要的中性原子Be,Mg和Ca单光子电四极矩E2^1D－^1S光谱跃迁概率,计算中考虑了重要的核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较,此外还从理论上预言了Ba和Mg单光子电四极矩E2^1D－^1S光谱跃迁概率过程,在库仓规范中,跃迁概率A（Be)=3884.9s^-1,跃迁概率A（Mg)=2357.2s^-1和跃迁概率A（Ca)=48.1s^-1。     

~(133)Ba面源效率转移法刻度~(133)Xe气体源HPGe探测效率

提出使用面源进行效率转移法刻度133 Xe气体体源的探测效率。使用133 Ba面源模拟刻度放射性133 Xe气体体源的探测效率,在刻度的过程中利用137 Cs与133Ba的峰效率比值及133 Ba面源远端无符合相加效应,137 Cs能峰远近都无符合相加效应等,结合软件模拟建立远近距离峰效率比值的关系,来解决133 Ba的符合相加效应。最后,使用面源效率转移法进行气体体源效率刻度,转移法刻度结果和面源模拟法刻度计算值的偏差在±1%以内。     

Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的理论研究

利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,通过对Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的系统计算,研究了电子相关效应对Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的影响,给出了相应的跃迁能和辐射跃迁几率,并与最新的实验观测和其它理论计算结果进行了比较。计算结果表明：电子的关联效应显著。根据计算结果和实验结果的一致性和两个规范下所得的跃迁几率的一致性,可以认为本文的计算结果是可信的。     

Ba原子6s5d~3 D与6p5d~3 F态的超精细结构及态间跃迁的同位素移动的直接确定

提出并演示了一种光泵预选态的原子光谱测量方法,并对Ba原子的6s5d3 D态与6p5d3 F态的超精细结构及该跃迁的同位素移动进行了直接测量。首先利用791nm的激光激发Ba原子特定同位素及特定超精细结构的6s6s 1 S0→6s6p3 P1跃迁,并利用6s6p3 P1→6s5d3 D2的自发辐射有选择地分别将这些同位素制备到6s5d3 D2态不同的超精细能级上,再用778nm的激光扫出对应的6s5d3 D2→6p5d3 F2跃迁的荧光光谱,通过这几组光谱之间的对比直接实现了对22条超精细谱线的认定和归属,从而得到了135 Ba和137 Ba的6s5d3 D2能级与6p5d3 F2能级的超精细结构常数及该跃迁的同位素移动。     

基元反应O(~1D)+CS(~1∑~+)→CO(~1∑~+)+S(~1D)的变分过渡态理论研究

本文利用正则变分过渡态理论及改进的正则变分过渡态理论研究了激发态氧原子O(~1D)与CS(~1∑~+)分子反应(O(~1D)+CS(~1∑~+)→CO(~1∑~+)S(~1S))的速率常数,在经典变分过渡态理论的基础上进行了量子修正,从而计算了这类用实验不易测量其反应速率的速率常数,所得结果与经典轨线理论相近。     

红色长余辉材料Y_2O_2S:Eu,Si,M(M=Mg,Ca,Sr,Ba)的制备及发光性能

采用高温固相法合成了红色长余辉材料Y2O2S:Eu,Si,M(M=Mg,Ca,Sr,Ba),利用X晶体衍射、发光光谱、热释光测量等对材料的性能进行了表征。结果分析表明:Y2O2S:Eu,Si,M(M=Mg,Ca,Sr,Ba)长余辉材料的最大荧光发射和余辉发射峰完全一致都位于627nm,产生红光发射,是典型的Eu3+离子的5D0-7F2跃迁。激发停止后,能够产生较好的余辉性能。碱土金属离子能够增强其荧光发射峰强度并对余辉性能有一定促进作用,其中以Mg2+最好,其次是Ba2+。     

放射源探测效率的动态刻度方法

利用133Ba面源和137Cs点源匀速下降,成功刻度了133Xe气体体源的探测效率和137Cs线源的探测效率;利用133Ba面源和137Cs点源非匀速下降,成功刻度了非均匀分布的133Xe气体体源的探测效率和137Cs线源的探测效率。结果表明：匀速下降情况下,尺寸为f46.8 mm20 mm和f63.5 mm20 mm放射性133Xe气体体源的探测效率分别为0.155 和0.143,标准不确定度为8.4%(包含因子k=2 )。非均匀分布的体源效率和均匀分布的体源效率两者偏差在14%,线源的偏差在23%,可见由非均匀性引起的误差必须进行校正。     

激发态Cs(5D)原子间碰撞能量转移

用激光二步激发Cs原子至8S态,从谱线的波长及强度可以确定Cs原子的辐射及碰撞过程,5D态主要是由8S→7P→5D跃迁布居的.在1016-1017Cs密度范围内,测量了碰撞能量合并5D 5D→nL 6S(nL=9D,11S,7F)速率系数,因5D→6P(3.0-3.6μm)处于红外本实验不能探测,利用一个已经测量过的过程(即6P 5D→6S 7D)作相对测量,对于9D,11S和7F态,其平均速率系数分别为(8.4±4.2)×10-10,(7.3±3.6)×10-10和(9.7±4.8)×10-10cm3s-1.讨论了碰撞转移过程11S 6S 7F 6S对速率系数的影响.     

类O(6)原子核三轴形变的解析描述

在相互作用玻色子模型(IBM)的内禀态下,用自治Q算符框架(CQF),引入L=3的三体势,建立用IBM解析描述原子核三轴形变参数β、γ的理论方案. 计算了Xe、Ba和Ce偶偶核素的三轴形变参数,与硬三轴转子模型(RTRM)的结果进行比较,较精确地描述了原子核的三轴形变性质.     

M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5(M=Ca,Sr,Ba,Ln=La,Gd,Lu)红色荧光粉发光性质的研究

用高温固相反应法合成了M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5(M=Ca,Sr,Ba,Ln=La,Lu,Gd)荧光粉,研究了荧光粉的发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu~(3+)的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)特征发射组成。其中Eu3+离子位于590 nm附近的5D0→7F1和位于620 nm附近的5D0→7F2跃迁发射的强度最强。荧光粉的激发光谱都是由O~(2-)-Eu~(3+)电荷迁移带和Eu~(3+)的f-f跃迁构成的。M_2Eu_xLa_(1-x)AlO_5(M=Ca,Sr,Ba)的O2--Eu~(3+)的电荷迁移带的峰位按Ca、Sr、Ba顺序向长波方向移动。研究了用La、Gd和Lu替代M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5中Ln的位置对样品发光的影响。给出了Eu~(3+)浓度对发光强度的影响。分析了M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5和M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5的荧光寿命。     

相对论平均场理论对A～130区E(5)关键点核的研究

利用形变约束的相对论平均场理论系统地研究了A～130区Ba,Xe和Te同位素偶－偶核的基态性质, 理论计算数据和实验数据符合得非常好. 详细分析了这些核的位能曲面、费米能和γ跃迁能量的分支比, 给出了¹³⁶Ba,^132,134Xe具有E(5)对称性的预言. 对于^128,130,132Te这3个核, 理论计算的结果表明其具有E(5)对称性, 但γ跃迁能量的分支比的实验值不支持理论结果. 此3个核是否为关键点核有待于实验的进一步检验.     

超声变幅杆设计用表的计算机编制(Ⅲ)——关于几种简单型扭振杆

本文绘出指数型D=D_(1~(e~(-βχ))、类圆锥型D=D_1(1-αχ)~(1/2)、类是链线型D=D_2{cj[γ(L-χ)]}~(1/2)和两段等长圆柱组成的阶梯型四种扭振变幅杆,各主要参数的理论计算公式和方程以及据此在电子计算机上编制出的直径比N=1.01—7.00、dN=0.01的设计用表的概况。表列了部分数据,绘制了各种杆件参数对比曲线,对所得结果作了简要综述和说明。     

类镍离子(AgⅩⅩ—XeⅩⅩⅦ)能级、跃迁波长和振子强度的理论计算

本文用MCDF方法计算了类镍离子(AgⅩⅩ—XeⅩⅩⅦ)的n=3,4的能级结构,n=3—4跃迁波长和振子强度,所得结果比最近国外发表结果(Phys Scripta,43,150(1991))更接近实验值,为高剥离态离子谱线的辩识以及短波长激光的研究提供了有益的参考。     

Cs(8S)态的碰撞转移和高位原子态的激发

在Cs蒸气中,二步激发Cs原子至8S态,研究了其碰撞转移和高位原子态的产生过程.在1016～1017 cm-3密度范围内,测量了碰撞激发转移8S 6S→6D 6S的速率系数.由测得的荧光强度随密度的变化关系,得到k6D=(2.4±0.5)×10-10 cm3·s-1.同时研究了碰撞能量合并过程5D 5D→nL 6S(nL=9D,11S,7F),5D态是由8S→7P→5D的辐射跃迁产生的.由以前测量过的6P 5D 6S 7D的转移速率系数以及6P态的原子密度,结合荧光强度比得到碰撞能量合并过程的速率系数,对于9D,11S和7F各态,其平均值分别为(6.4±3.2)×10-10,(1.0±0.5)×10-10和(8.4±4.2)×10-10 cm3·s-1.     

超声射流冷却S2自由基激光诱导荧光激发谱

在超声射流条件下.采用SF6/Ar(～10%)混合气束脉冲直流放电方法产生S2自由基,观测了32S2自由基在30000～35500 cm-1波段的激光诱导荧光激发谱.通过对所观测到的40多个振动谱带的归属,确定其中28个谱带为s2自由基B3∑μ一X3∑-g跃迁的(v'=1-9,0),(v'=1-8,1),(v'=1-7,2)和(v'=2-5,3)四个谱带序列.通过对所获谱带的转动分析,得到更为丰富的S2自由基B3∑-μ-X3∑-g跃迁谱带的转动光谱常数和更为精确的B3∑-μ电子态的平衡分子常数:Te,щe,щXe,Be,ae和Re.另外,还测得所有观测到的谱带的寿命,进一步丰富了S2自由基学∑-μ-X2∑-g跃迁谱带的光谱信息.     

低速Xe~(q+)(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射

实验中测量了0.38V_(Bohr)(460 keV)高电荷态Xe~(q+)(4≤q≤20)离子轰击高纯Ni表面发射的400-510 nm光谱.实验结果包括NiⅠ原子谱线,NiⅡ离子谱线,以及入射离子中性化发射的XeⅠ,XeⅡ和XeⅢ谱线.研究了谱线XeⅡ410.419,XeⅢ430.444,XeⅡ434.200,XeⅡ486.254,NiⅠ498.245,NiⅠ501.697,NiⅠ503.502,NiⅠ505.061和NiⅠ508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.