有机分子束外延技术与研究进展

本介绍了超高真空分子束外延生长有机薄膜的技术及基研究进展,讨论了外延材料的纯化过程和杂质对外延薄膜的影响;从理论和实验观点评论了薄膜的生长性质和膜的有序结构。超高真空有机分子束外延技术是一种多用途的高技术,可以生长有机、无机、有机／无机混和的薄膜结构。这种薄膜结构是示来光学和电子器件有希望应用的新一类工程材料。     

分子束外延生长GaN薄膜的新方法

GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在国际上受到很大重视.在材料制备方面初步解决了p型掺杂的困难,从而制成了高功率的发光二极管. 目前生长GaN比较成功的方法是使用有机气体氮源的金属有机物化学汽相淀积.但它所生成的是纤锌矿(六角)结构,而且是生长在蓝宝石衬底上.生长温度也高达1000℃.要使得GaN材料有可能实用,需要采用低温生长的分子束外延(MBE)技术,并在GaAs,Si等半导体衬底上生长出闪锌矿(立方)结构的GaN薄膜.这样才有可能最终解决p型…     

分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究

报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度, 与用红外透射谱得到的薄膜禁带宽相近; 其半峰宽和带尾能量较小, 显示了较高的薄膜质量。样品经过退火后带尾能量降低, 双晶衍射的半峰宽也有明显的变窄     

硅分子束外延及其应用的新进展

以Si为基底的分子束外延是Si能带工程的基础．本文简要地介绍了Si分子束外延的技术以及它在新型器件结构应用方面的一些基本问题和发展现状．     

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

采用激光分子束外延技术，利用两步法，在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示， TiN薄膜材料表面光滑，在10 μm×10 μm范围内，均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示，TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10^-5Ω·cm，迁移率达到5830 cm²/V·S，表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明，高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底     

硅分子束外延的最新进展：第五届国际硅分子束外延会议介绍

硅分子束外延的最新进展──第五届国际硅分子束外延会议介绍王迅（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）一、概况第五届国际硅分子束外延会议（ＳｉＭＢＥ－Ｖ）作为１９９３年国际固态器件和材料会议（ＳＳＤＭ’９３）的一部分于１９９３年８月３０...     

化学束外延（CBE）技术

化学束外延是最近几年发展起来的一种新的外延技术．本文在把化学束外延与分子束外延和金属有机物化学气相淀积比较的基础上，介绍了化学束外延的基本原理、生长动力学过程和它的突出优点，同时总结了该技术在半导体材料和光电器件制备方面的应用，最后简要指出了目前它存在的不足之处．     

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10^-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm²/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底 关键词： 激光分子束外延 TiN单晶薄膜 外延生长     

高Tc氧化物超导薄膜的分子束外延研究综述

高临界温度（Ｔｃ）氧化物超导体的研究日新月异。作为高Ｔｃ超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延（ＭＢＥ）作为一项高级精密的真空镀膜技术，也跟其它镀膜技术一样，在高Ｔｃ超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体ＭＢＥ研究方面的工作，对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍，并对该领域未来的发展作一些展望     

分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构

利用高分辨电子显微术，对在GaP基体上由分子束外延生长六角GaN晶体薄膜中的晶体缺陷结构进行了研究．实验中发现了GaN薄膜外延生长过程中产生的一种典型早期刃型位错结构．此晶体缺陷位于一大块GaN晶粒内部，其外观类似于一段（1120）晶界．它由一条（1120）高能孤立晶界段及其两端的两个1/6［1120］不完全刃型位错组成．从大晶格失配材料之间分子束外延生长的机理上对这种缺陷结构的形成进行了解释． 关键词：     

分子束外延生长Sb薄膜及其量子尺寸效应

在GaAs(001)衬底上，用分子束外延生长Sb(111)薄膜，用反射式高能电子衍射仪原位监控生长过程，用透射电子显微镜观察薄膜结构，并用van der Pauw方法测量了电阻率随生长温度的变化，观察到Sb薄膜半金属/半导体转变及其量子尺寸效应． 关键词：     

用于激光分子束外延的计算机控制和RHEED图像数据采集系统

激光分子速外延是近几年才出现的一种高精密新型型制膜技术，文章较系统地介绍了我国第一台激光分子束外延这设备的计算机控制和反射式高能电子衍射仪（ＲＨＥＥＤ）图像采集处理系统，其中包括结构原理、达到的性能指标和主要实验结果。     

Ga2Se3／ZnSe异质结分子束外延生长过程中ZnGa2Se4外延层的形成

首次在（１００）ＧａＡｓ衬底上成功地生长出ＺｎＧａ２Ｓｅ４外延薄膜。用分子束外延技术在１００ＧａＡｓ衬底上制备Ｇａ２Ｓｅ３／ＺｎＳｅ异质结时，用５４０℃以上的温度生长出ＺｎＧａ２Ｓｅ外延层。     

Co在GaAs(001)表面的分子束外延及其结构研究

报道了用高能电子衍射研究Co在GaAs(001)表面上分子束外延生长的实验结果.发现当生长温度为150℃时，Co膜的外延可以分为三个阶段：最初的3nm Co膜的晶体结构是体心立方亚稳相；接下来的4nm是复杂的多相结构；从7nm往后，Co膜则是单晶的六角密堆积结构热力学稳定相.这一新的实验结果，澄清了前人有关这一体系外延层晶体结构的矛盾之处，并清晰地建立了Co在GaAs(001)表面外延生长的物理图象. 关键词：     

GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长出了03微米厚的GaN薄膜,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜.这一研究结果表明在GaAs衬底上生长GaN薄膜的相结构可以通过选择不同的成核层来控制. 关键词：     

用激光分子束外延的YBCO薄膜制备高稳定性DC-SQUID

利用激光分子束外延法在高约２５０ｎｍ的ＳＴＯ台阶衬底和３６．８°双晶衬底上外延厚度为２００～２３０ｎｍ的ＹＢＣＯ超导薄膜,用常规的光刻工艺制出ＤＣＳＱＵＩＤ图形．器件进入超导态后,正常态电阻不随温度改变．在恒定偏流,７７Ｋ温度下,磁通白噪声为２．０×１０－４Φ０／Ｈｚ．经过４０次室温与液氮温度间循环后,观察不到任何性能的改变     

GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式．另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象． 关键词：     

用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜

利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10~(16) cm~(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。     

同质硅分子束外延层的界面缺陷的研究

对同质硅分子束外延层的界面缺陷进行了测试与分析．对存在高浓度施主型界面缺陷的Ｐ型材料，通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图，得到了该缺陷能级上电子的填充与发射随外加反向偏压变化的情况．并分析了用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对其进行测试所需的条件，以及与常规的ＤＬＴＳ测试结果的不同之处．提出了可同时对该缺陷上电子的发射和俘获过程进行ＤＬＴＳ测量的方法．实验测量结果表明，该高密度的界面缺陷的能级位置位于Ｅ_c－０．３０ｅＶ． 关键词：     

分子束外延材料从基础研究到产业化

文章计概述了分子束外延技术和材料从实验室走向产业化的成功之路,为读者提供了一个了解高技术发展的全过程：由物理学家从理论上提出人工超晶格量子阱材料;再由器件物理学家制备出若干具有重要应用价值的器件与电路,如微波毫米波高电子迁移率晶体管及电路、量子阱激光器,从而促进了分子束外延技术的发展与完善。移动通信、移动互联肉、地面宽带无结通信、汽车防碰撞雷达、高效太阳能电池等对分子束外延材料的需求为其产业化带来