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纳米材料中的巨磁电阻效应 总被引:41,自引:0,他引:41
纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料,通常为1—100nm,如纳米微粒,纳米线、管,纳米薄膜或其组合材料,近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐,本文将重点介绍颗粒膜,颗粒合金薄带,非连续多层膜,颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。 相似文献
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磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 总被引:6,自引:0,他引:6
在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应,这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠构成,出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变。该效应的物理是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射,层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象,在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在,自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景。 相似文献
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掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应研究概况和最新进展,在综合目前实验和理论研究结果的基础上,对在掺杂稀土锰氧化物材料中引起巨磁电阻效应的物理机制进行了探讨,对这一材料的应用前景和需要做的工作进行了讨论。 相似文献
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瑞典皇家科学院宣布,法国科学家阿尔伯特·费尔(Albert Vert)和德国科学家彼得·格鲁伯格(Peter Grunberg),共同获得2007年诺贝尔物理学奖.获奖的原因是这两位科学家先后独立发现了“巨磁电阻”(giant magnetoresistance,GMR)效应.这个发现引发的技术进步极大地提高了计算机硬盘磁头的数据读取能力,使硬盘无论从容量还是体积上都产生了质的飞越.这个发现还导致了新一代磁传感器的出现,而且巨磁电阻被认为是纳米技术最重要的应用之一. 相似文献
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用第一性原理方法研究了在微观尺度具有三重对称磁结构的IrMn合金的反铁磁自旋阀(AFSV)的电子输运.研究表明:基于有序L12相IrMn合金的Co/Cu/IrMn自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应具有三重对称性,可以利用这一特性区分反铁磁材料的GMR与传统铁磁材料的GMR.基于无序γ相IrMn合金的IrMn(0.84 nm)/Cu(0.42 nm)/IrMn(0.42 nm)/Cu(0.42 nm)(111) AFSV的电流平行平面构型的GMR约为7.7%,大约是电流垂直平面构型的GMR(3.4%)的两倍,明显大于实验中观测到的基于共线磁结构的FeMn基AFSV的GMR.
关键词:
反铁磁自旋阀
巨磁电阻效应
非共线磁结构
电流平行平面结构 相似文献
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自旋阀巨磁电阻具有工作磁场小,灵敏度高、频率特生好、信噪比高等优点,成为新一代高度密度读出砂的首选材料,在计算机信息存贮和高灵敏传感器方面有着广阔的应用前景。 相似文献
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采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值~26%,交换耦合场~28kA/m,层间耦合场~01kA/m.自旋阀的下部(缓冲层(Ta)/自由层(NiFe)/中间隔离层(Cu))在低氩气压下沉积、上部(被钉扎层(NiFe)/反铁磁钉扎层(FeMn)/覆盖层(Ta))则在高氩气压下沉积.前者保证了自旋阀具有强(111)晶体织构,平整的NiFe/Cu界面和致密的Cu层,抑制了层间耦合作用;后者则促进小尺寸磁畴生长和增加NiFe/FeM
关键词: 相似文献
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